本发明涉及半导体器件制造技术领域，公开干法刻蚀工艺的优化方法。包括：预先获取保护层在干法刻蚀时单位时间内的减薄量；提供待刻蚀样品，包括第一结构层和第二结构层；在第二结构层上制备保护层；在保护层一侧进行刻蚀处理，以形成脊形结构；根据刻蚀时...

本发明提供一种热控分区腐蚀晶圆的装置及方法，装置包括隔离网筒和温控腐蚀系统；隔离网筒包括筒壁和隔离网壁，隔离网筒用于套设于晶圆外围，隔离网壁用于将晶圆表面分隔成多个相互独立的腐蚀区域，并与晶圆表面具有间距以形成非接触气隙，基于液体表面张...

本发明提供一种用于晶圆分区腐蚀的隔离网筒及腐蚀方法，隔离网筒包括：筒壁，用于套设于晶圆外围，并与晶圆共同被真空吸附台吸附固定；隔离网壁，固定于筒壁内，用于将晶圆表面分隔成多个相互独立的腐蚀区域，当筒壁被真空吸附台固定时，隔离网壁延伸至晶...

本发明提供了一种3D传感器的制造方法和3D传感器，涉及3D传感器技术领域，该方法首先制备具有多个阵列分布的菱形传感单元的基底，然后在基底的背面开孔形成多个导电通孔，并进行布线形成基底布线层，再将基底切割分离为多个基座。再将基座贴装至引线...

本发明的实施例提供了一种3D传感器的制备方法和3D传感器，涉及传感器技术领域，首先在硬质薄膜上制备阵列分布的多个贴装图案单元，然后在图案化后的硬质薄膜上贴装传感芯片，然后将硬质薄膜对准至锥台阵列衬底上方，最后将硬质薄膜压合在锥台阵列衬底...

本发明提供一种低零点偏移低漂移的双霍尔集成芯片及电流传感器元件，包括：第一霍尔芯片和第二霍尔芯片，为在制造晶圆上紧密相邻的两个霍尔芯片；霍尔芯片包括横向排布的两第一电极和纵向排布的两第二电极；其中，第一霍尔芯片横向排布的第一电极用于施加...

本发明提供了一种三维霍尔传感器及空间磁场矢量的测量方法，包括第一霍尔效应元件、第二霍尔效应元件和导磁部件，第一霍尔效应元件和第二霍尔效应元件叠置于基板之上，用于感测沿基板表面的正交方向的磁场矢量，导磁部件位于第一和第二霍尔效应元件之上，...

本发明提供一种用于磁感芯片的聚磁结构以及磁传感器，包括：设置于磁感芯片上表面的第一聚磁部，以及，设置于磁感芯片下表面的第二聚磁部；其中，第一聚磁部以及第二聚磁部均设置有聚磁片，且第一聚磁部以及第二聚磁部中至少有一聚磁部包括n层聚磁片；任...

本发明涉及激光器技术领域，公开了一种激光器结构及多波长激光器阵列，激光器结构包括：半导体衬底层以及设置于半导体衬底层上的激光器本体、第一电极结构和第二电极结构，激光器本体包括有源层，有源层包括层叠设置的多种发光波长不同的介质结构；第一电...

本发明提供了一种3D传感器的制备方法和3D传感器，涉及传感器技术领域，该方法先对衬底进行切割或蚀刻形成均匀排布的三棱锥结构，然后在每个三棱锥结构的顶角边缘处开孔形成贯穿衬底的微孔，然后将均匀贴设有传感器芯片的胶膜对位放置在衬底上，再加热...

本发明提供一种霍尔电流传感器，包括：磁芯，磁芯一侧开设有气隙；霍尔元件，霍尔元件设置于气隙内；铁氧体结构，铁氧体结构设置于气隙内，铁氧体结构将霍尔元件夹持在气隙内，减小磁路气隙，并使霍尔元件与气隙中的磁感线方向保持垂直。本发明能够显著提...

一种坩埚组件及蒸镀装置，涉及蒸镀装置技术领域。该坩埚组件包括具有多个凹槽的承载台、对应设于多个凹槽内的多个坩埚、与承载台传动连接的转动机构、设于坩埚上方且与坩埚间隔设置的防护板，以及阻挡板；转动机构用于驱动承载台转动，以带动设于承载台上...

本申请提供一种磁传感器

本实用新型公开了一种用于框架注塑的放片治具以及框架，属于半导体技术领域。所述框架为仅设置有一个横向边框的框架，所述横向边框上设置有至少一个半导体器件产品，所述框架放置在放片治具上。所述放片治具包括：金属基板主体；镂空区，所述镂空区设置成...

本申请属于芯片级传感器领域，提出了一种阵列型的霍尔芯片磁传感器及其制备方法，该传感器包含IC芯片、第一铟柱阵列、互连基板、第二铟柱阵列、霍尔晶圆阵列；通过设置于互连基板内部的电路布线层连接导通第一铟柱阵列及第二铟柱阵列；第一铟柱阵列一端...

本实用新型提供一种光学耦合器件，包括：第一支撑件和第二支撑件，所述第一支撑件包括第一主支撑区，第二支撑件包括第二主支撑区；第一主支撑区和第二主支撑区相对设置；位于所述第一主支撑区朝向所述第二主支撑区一侧表面的半导体激光器；位于所述第二主...

本实用新型涉及霍尔元件输送的技术领域，具体涉及一种直线进料轨道。包括第一块体和第二块体，第一块体和第二块体平行且第一块体的侧壁和第二块体的侧壁正对；第一块体的侧壁和第二块体的侧壁间隔设置形成供霍尔元件通过的通道。第二块体与第一块体正对的...

本实用新型公开了一种批量电子器件的自动化测试装置，包括：测试源表、多路选通器和测试板，其中，测试板的输出端与多路选通器的第一输入端连接，多路选通器的输出端与测试源表的一端连接；所述多路选通器包括多路通道，所述多路选通器的第一输入端包括至...

本发明提供一种半导体激光器的制备方法，包括：提供半导体衬底层；在半导体衬底层上形成有源层；在有源层背离半导体衬底层的一侧形成上半导体包层；在上半导体包层背离有源层的一侧形成图形化的掩膜层；形成用于限定脊形区的凹槽，包括：以掩膜层为掩膜对...

本发明提供了一种三维霍尔传感器结构及制备方法，涉及化合物半导体的技术领域，包括：一复合半导体结构，所述复合半导体结构上形成有2N个两两相对设置的霍尔器件，N≥2；所述2N个霍尔器件于所述复合半导体结构的底面上的投影分布成一预设的对称关系...