本发明属于传感技术领域，所述的霍尔集成器件，包括化合物半导体霍尔元件以及形成在所述霍尔元件上方的信号放大元件，用于所述霍尔元件的信号放大；所述信号放大元件为化合物半导体同质结晶体管或化合物半导体异质结晶体管。信号放大元件设置在霍尔元件上...

本发明涉及传感技术领域，所述的霍尔元件，包括依次层叠设置的基板、P型锑化铟层、非掺杂锑化铟层。非掺杂锑化铟层为弱N型，P型锑化铟层作为过渡层，会在两者界面处会形成一个空间电荷区，而金属电极只接触功能层部分，在霍尔元件工作过程中，P型过渡...

本发明所述的一种高灵敏度霍尔元件，包括层叠设置的半绝缘GaAs衬底、GaAs功能层、欧姆接触层、金属电极和钝化层；GaAs功能层为掺杂浓度很低的N型掺杂；欧姆接触层为高掺杂浓度的N型掺杂AlGaAs或InGaAs等。所述的一种高灵敏度霍...

本发明提供了一种锗硅光电探测器及制备方法，所述探测器的外延结构包括在P型Si衬底上依次外延生长本征Si缓冲层，P型重掺杂Ge层，i型Ge层，N型重掺杂Ge层，Si帽层；然后在外延层上蒸镀金属银层，做出特定的网格形状；最后，转移一层石墨烯...

本发明提供了一种石墨烯硅太阳能电池及其制备方法，所述太阳能电池的结构从下至上依次包括铜胶带基底层，液态镓铟合金电极层，N型硅片层，二氧化硅层，PMMA层（聚甲基丙烯酸甲酯）保护下的石墨烯透明电极层，银导电胶电极层。本发明技术方案能够获得...

本发明所述的一种霍尔元件，包括层叠设置的半绝缘GaAs衬底、InGaP缓冲层、GaAs霍尔元件功能层、InGaP帽层以及InGaP钝化层，所述InGaP钝化层还覆盖所述InGaP缓冲层、GaAs霍尔元件功能层和InGaP帽层的侧壁；In...

本发明所述的一种低暗电流铟镓砷探测器，包括层叠设置的第二电极、N型InP衬底和本征InP缓冲层，所述InP缓冲层上直接形成有InGaAs光敏层，所述InGaAs光敏层上层叠设置有InP帽层和通过外延方式生长的钝化层，所述InP帽层面积小...

本发明所述的一种霍尔元件，包括层叠设置的半绝缘GaAs衬底、GaAs霍尔元件功能层和设置在其上的电极，其中霍尔元件的功能区为十字结构，通过湿法刻蚀形成，其十字方向与GaAs衬底的[011]晶向呈45°角。通过此种结构设计，可以大幅降低霍...

一种霍尔元件，该霍尔元件包括依次设置的衬底、掺杂的功能层、掺杂的欧姆接触层和金属电极，且欧姆接触层紧贴金属电极设置，功能层的掺杂浓度小于欧姆接触层的掺杂浓度。解决了低掺杂浓度的高灵敏度霍尔元件功能层很难与金属电极形成良好的欧姆接触的技术...

本实用新型公开了一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体霍尔元件，其结构包括霍尔元件功能层薄膜，通过倒装焊的方式组装在绝缘散热底座上，绝缘散热底座预先已制备好电极图形。用于生长霍尔元件功能层薄膜的单晶衬底，通过衬底剥离的方式，与霍尔元件功能层薄膜分离，...

一种霍尔元件及其制备方法，该霍尔元件包括依次设置的衬底、掺杂的功能层、掺杂的欧姆接触层和金属电极，且欧姆接触层紧贴金属电极设置，功能层的掺杂浓度小于欧姆接触层的掺杂浓度。解决了低掺杂浓度的高灵敏度霍尔元件功能层很难与金属电极形成良好的欧...

本实用新型提供了一种Ⅲ-Ⅴ半导体太阳能电池模组，包括串联的由包含Ⅲ-Ⅴ化合物半导体层的至少两个以上的太阳能电池单元，各个太阳能电池单元为极性反转的PN结正副太阳能电池片，且各个太阳能电池单元的发电面积相同。本实用新型提供的太阳能电池模组...

本发明提供一种LED封装结构，包括成型有一个型腔的硅基载体，在所述硅基载体上设有玻璃基板，在所述硅基载体的型腔内设置有LED芯片，所述玻璃基板和所述硅基载体的边缘连接，在该连接位置通过粘结胶层密封连接，所述硅基载体的型腔内中空，在所述型...

本发明提供了一种Ⅲ-Ⅴ半导体太阳能电池模组，包含具有至少两个以上Ⅲ-Ⅴ化合物半导体层的太阳能电池单元，各个太阳能电池单元为极性反转的PN结正副太阳能电池片，且各个太阳能电池单元的发电面积相同。本发明提供的太阳能模组通过串联极性反转的PN...

本实用新型所述的一种光电探测器，包括层叠设置的半绝缘InP衬底、InP缓冲层、InGaAs光敏层、InP帽层和钝化层；钝化层中开设有暴露InP帽层部分区域的通孔，沿通孔内侧壁形成环形第二电极，第二电极的部分区域延伸至钝化层的上部，形成搭...

一种等离子体辅助的金属有机物化学气相沉积（MOCVD）设备，包括：反应腔、喷淋装置、衬底载片台、基座、加热装置，其特征在于在金属有机物化学气相沉积设备反应腔相对的两侧腔壁增设等离子反应室，通过调控磁铁分布调节磁场以形成平行于衬底表面、且...

本实用新型所述的一种光电探测器,包括依次层叠设置的InP衬底、InP缓冲层、InGaAs光敏层、InP帽层、第二电极；还包括第一电极，以及设置在所述第二电极一端的电极引线；所述第二电极为透明电极。在设计所述光电探测器结构时，实际光敏面积...

本发明公开了一种具有透明电极的InGaAs光电探测器，其中正面透明电极由石墨烯构成。石墨烯通过化学气相沉积转移法制备，置于InP帽层之上，作为环形正电极，取代传统的金属电极。石墨烯因其优越的透光性能，在相同光敏台面的情况下，可以大大提高...

本发明所述的一种光电探测器，包括层叠设置的半绝缘InP衬底、InP缓冲层、InGaAs光敏层、InP帽层和钝化层；钝化层中开设有暴露InP帽层部分区域的通孔，沿通孔内侧壁形成环形第二电极，第二电极的部分区域延伸至钝化层的上部，形成搭接区...

本发明提供一种通讯信号补偿器及方法，包括信号探测器、补偿开关和信号放大电路以及输出接口，通过信号探测器来探测当前的信号强度，当信号微弱到一定的阈值时，则开启补偿开关，通过信号放大电路对信号进行放大，而且信号放大的比例与信号强弱成比例，该...