本实用新型涉及传感技术领域，所述的霍尔元件，包括依次层叠设置的衬底、P型砷化铟层、N型砷化铟层。因为砷化铟层为N型掺杂，P型砷化铟层为过渡层，从而在两者界面处形成一个空间电荷区，而霍尔元件中的金属电极只接触N型区域，因此，在霍尔元件工作...

本发明涉及霍尔传感器技术领域，所述的霍尔元件的制备方法，包括以下步骤：在半导体单晶衬底上形成晶格常数逐渐增大的晶格渐变层；在晶格渐变层上形成缓冲层；在缓冲层上形成与缓冲层晶格常数相匹配的腐蚀隔离层；在腐蚀隔离层上形成与其晶格常数相匹配的...

本实用新型涉及传感技术领域，所述的霍尔元件，包括依次层叠设置的基板、P型锑化铟层、非掺杂锑化铟层。非掺杂锑化铟层为弱N型，P型锑化铟层作为过渡层，会在两者界面处会形成一个空间电荷区，而金属电极只接触功能层部分，在霍尔元件工作过程中，P型...

本发明涉及传感技术领域，所述的霍尔元件，包括依次层叠设置的衬底、P型砷化铟层、N型砷化铟层。因为砷化铟层为N型掺杂，P型砷化铟层为过渡层，从而在两者界面处形成一个空间电荷区，而霍尔元件中的金属电极只接触N型区域，因此，在霍尔元件工作过程...

本实用新型属于传感技术领域，所述的霍尔集成器件，包括化合物半导体霍尔元件以及形成在所述霍尔元件上方的信号放大元件，用于所述霍尔元件的信号放大；所述信号放大元件为化合物半导体同质结晶体管或化合物半导体异质结晶体管。信号放大元件设置在霍尔元...

本发明所述的一种高灵敏度霍尔元件的制备方法，包括以下步骤：a）提供半导体衬底；b）采用外延方法在半导体衬底上形成牺牲层；c）在牺牲层上制备霍尔元件功能层；d）采用腐蚀方法，将半导体衬底与霍尔元件功能层分离；e）霍尔元件功能层粘附于磁性基...

本实用新型所述的一种霍尔元件，包括层叠设置的半绝缘GaAs衬底、GaAs霍尔元件功能层和设置在其上的电极，其中霍尔元件的功能区为十字结构，通过湿法刻蚀形成，其十字方向与GaAs衬底的[011]晶向呈45°角。通过此种结构设计，可以大幅降...

本实用新型所述的一种霍尔元件，包括层叠设置的半绝缘GaAs衬底、InGaP缓冲层、GaAs霍尔元件功能层、InGaP帽层以及InGaP钝化层，所述InGaP钝化层还覆盖所述InGaP缓冲层、GaAs霍尔元件功能层和InGaP帽层的侧壁；...

本发明属于传感技术领域，所述的霍尔集成器件，包括化合物半导体霍尔元件以及形成在所述霍尔元件上方的信号放大元件，用于所述霍尔元件的信号放大；所述信号放大元件为化合物半导体同质结晶体管或化合物半导体异质结晶体管。信号放大元件设置在霍尔元件上...

本发明涉及传感技术领域，所述的霍尔元件，包括依次层叠设置的基板、P型锑化铟层、非掺杂锑化铟层。非掺杂锑化铟层为弱N型，P型锑化铟层作为过渡层，会在两者界面处会形成一个空间电荷区，而金属电极只接触功能层部分，在霍尔元件工作过程中，P型过渡...

本发明所述的一种高灵敏度霍尔元件，包括层叠设置的半绝缘GaAs衬底、GaAs功能层、欧姆接触层、金属电极和钝化层；GaAs功能层为掺杂浓度很低的N型掺杂；欧姆接触层为高掺杂浓度的N型掺杂AlGaAs或InGaAs等。所述的一种高灵敏度霍...

本发明提供了一种锗硅光电探测器及制备方法，所述探测器的外延结构包括在P型Si衬底上依次外延生长本征Si缓冲层，P型重掺杂Ge层，i型Ge层，N型重掺杂Ge层，Si帽层；然后在外延层上蒸镀金属银层，做出特定的网格形状；最后，转移一层石墨烯...

本发明提供了一种石墨烯硅太阳能电池及其制备方法，所述太阳能电池的结构从下至上依次包括铜胶带基底层，液态镓铟合金电极层，N型硅片层，二氧化硅层，PMMA层（聚甲基丙烯酸甲酯）保护下的石墨烯透明电极层，银导电胶电极层。本发明技术方案能够获得...

本发明所述的一种霍尔元件，包括层叠设置的半绝缘GaAs衬底、InGaP缓冲层、GaAs霍尔元件功能层、InGaP帽层以及InGaP钝化层，所述InGaP钝化层还覆盖所述InGaP缓冲层、GaAs霍尔元件功能层和InGaP帽层的侧壁；In...

本发明所述的一种低暗电流铟镓砷探测器，包括层叠设置的第二电极、N型InP衬底和本征InP缓冲层，所述InP缓冲层上直接形成有InGaAs光敏层，所述InGaAs光敏层上层叠设置有InP帽层和通过外延方式生长的钝化层，所述InP帽层面积小...

本发明所述的一种霍尔元件，包括层叠设置的半绝缘GaAs衬底、GaAs霍尔元件功能层和设置在其上的电极，其中霍尔元件的功能区为十字结构，通过湿法刻蚀形成，其十字方向与GaAs衬底的[011]晶向呈45°角。通过此种结构设计，可以大幅降低霍...

一种霍尔元件，该霍尔元件包括依次设置的衬底、掺杂的功能层、掺杂的欧姆接触层和金属电极，且欧姆接触层紧贴金属电极设置，功能层的掺杂浓度小于欧姆接触层的掺杂浓度。解决了低掺杂浓度的高灵敏度霍尔元件功能层很难与金属电极形成良好的欧姆接触的技术...

本实用新型公开了一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体霍尔元件，其结构包括霍尔元件功能层薄膜，通过倒装焊的方式组装在绝缘散热底座上，绝缘散热底座预先已制备好电极图形。用于生长霍尔元件功能层薄膜的单晶衬底，通过衬底剥离的方式，与霍尔元件功能层薄膜分离，...

一种霍尔元件及其制备方法，该霍尔元件包括依次设置的衬底、掺杂的功能层、掺杂的欧姆接触层和金属电极，且欧姆接触层紧贴金属电极设置，功能层的掺杂浓度小于欧姆接触层的掺杂浓度。解决了低掺杂浓度的高灵敏度霍尔元件功能层很难与金属电极形成良好的欧...

本实用新型提供了一种Ⅲ-Ⅴ半导体太阳能电池模组，包括串联的由包含Ⅲ-Ⅴ化合物半导体层的至少两个以上的太阳能电池单元，各个太阳能电池单元为极性反转的PN结正副太阳能电池片，且各个太阳能电池单元的发电面积相同。本实用新型提供的太阳能电池模组...