本发明提供一种量子阱层结构、半导体激光器及制备方法，该量子阱层结构包括：第一混合层及第二混合层，第一混合层的材料为InAlGaAs，且In、Al、Ga、As的组分比值为y:z:(1‑y‑z):1；第二混合层的材料为AlGaAs，且Al、...

本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体器件及其制备方法。其中，包括：基板；设置在所述基板上的导热层，导热层包括相互键合的第一金属层和第二金属层；设置在所述导热层上第一导电类型半导体层；设置在所述第一导电类型半导体层上的第二导电...

本实用新型公开了一种集成放大器件的霍尔器件，包括：在衬底上形成第一半导体层，所述第一半导体层适于用作霍尔功能层；在所述第一半导体层上外延生长第二半导体层，所述第二半导体层与所述第一半导体层之间形成二维电子气；去除部分第二半导体层，使其下...

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种光电探测器及其制备方法，旨在解决现有PIN型铟镓砷光电探测器寄生电容较大，影响所述光电探测器响应速度的问题，其技术要点在于包括层叠设置的半绝缘InP衬底、InP缓冲层、InGaAs光敏层、InP帽层...

本发明提供了一种磁场辅助化学刻蚀的方法，包括，S1、将半导体材料进行涂胶光刻处理，得到待刻蚀材料；S2、将待刻蚀材料放入刻蚀液中，于强度为1kOe－2kOe的磁场强度下进行刻蚀；本发明还提供了一种磁场辅助化学刻蚀的装置，包括，溶液瓶，用...

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体器件及其制备方法。其中，包括：基板；设置在所述基板上的导热层，导热层包括相互键合的第一金属层和第二金属层；设置在所述导热层上第一导电类型半导体层；设置在所述第一导电类型半导体层上的第二导电类型...

本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种晶体外延结构及生长方法，旨在解决如何消除不匹配外延材料生长时的应变，晶体外延生长方法包括以下步骤：在衬底的第一表面形成晶格匹配层；在所述衬底的第二表面形成第一晶格失配层，第一晶格失配层包括晶格渐...

本发明涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种半导体激光器的散热封装结构，旨在解决现有技术中需要单独为半导体激光器配备半导体制冷器，导致半导体激光器体积较大的问题，包括半导体制冷器以及金属层；其中，金属层设置在半导体制冷器与半导体激光器之间...

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种高灵敏度霍尔元件的制备方法，包括以下步骤：a)提供半导体衬底；b)采用外延方法在半导体衬底上形成牺牲层；c)在牺牲层上制备霍尔元件功能层；d)在霍尔元件功能层表面先粘附一层柔性薄膜，然后采用选择性腐...

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体激光器芯片及其制作方法，其中半导体激光器芯片包括：双面抛光衬底、激光器外延结构以及太阳能电池外延结构；激光器外延结构设置于双面抛光衬底的正面；太阳能电池外延结构设置于双面抛光衬底的背面；金属热...

本发明涉及光纤通信传输技术领域，具体涉及一种铌酸锂光调制器及其制备与封装方法，旨在解决现有技术中铌酸锂波导芯片的尺寸较大、制备工艺较为复杂、封装工艺较为简陋的问题，其技术要点在于使用氢化非晶硅在铌酸锂基底上制备波导结构，利用非晶硅的高折...

本发明公开了一种集成放大器件的霍尔器件及其制备方法，其中所述方法包括：在衬底上形成第一半导体层，所述第一半导体层适于用作霍尔功能层；在所述第一半导体层上外延生长第二半导体层，所述第二半导体层与所述第一半导体层之间形成二维电子气；去除部分...

本实用新型公开了一种霍尔元件，包括磁性基板，石墨烯功能层，电极和磁芯，其中：石墨烯功能层沉积在磁性基板的上方；电极设置在石墨烯功能层上方的电极区域；磁芯设置在石墨烯功能层上方的功能区域。将石墨烯材料直接制备在磁性基板上，使石墨烯霍尔元件...

本实用新型公开了一种半导体激光器芯片，包括：双面抛光衬底、激光器外延结构以及太阳能电池外延结构；其中，激光器外延结构设置于双面抛光衬底的正面；太阳能电池外延结构设置于双面抛光衬底的背面；金属热沉，设置于激光器外延结构远离双面抛光衬底的一...

本发明公开了一种四晶单色仪的光路校准方法及校准装置，其中校准方法包括如下步骤：提供一光源，第一接收屏以及四晶单色仪；使光源发出的入射光照射到第一接收屏上，并记录第一接收屏上的光斑位置为第一光斑位置；保持光源和第一接收屏的相对位置不变，并...

本发明公开了一种霍尔元件及其制备方法，其中霍尔元件包括磁性基板，石墨烯功能层，电极和磁芯，其中：石墨烯功能层沉积在磁性基板的上方；电极设置在石墨烯功能层上方的电极区域；磁芯设置在石墨烯功能层上方的功能区域。将石墨烯材料直接制备在磁性基板...

本发明公开了一种半导体激光器芯片及其制作方法，其中半导体激光器芯片包括：双面抛光衬底、激光器外延结构以及太阳能电池外延结构；其中，激光器外延结构设置于双面抛光衬底的正面；太阳能电池外延结构设置于双面抛光衬底的背面；金属热沉，设置于激光器...

本实用新型公开了一种薄膜转移装置，包括箱体，设置在箱体内部的第一载台的台面与第二载台的台面沿第一方向相对设置，第一载台的台面用于承载第一载体、粘附剂层，第二载台的台面用于承载第二载体、待转移薄膜；第一载台和/或第二载台沿第一方向可升降；...

本实用新型公开了一种半导体激光器封装结构，包括热沉，形成在热沉第一表面上的焊料层，以及通过焊料层焊接在第一表面上的半导体激光器管芯，半导体激光器管芯的脊区靠近焊料层设置；其中，第一表面上开设有一凹槽，凹槽长度方向与脊区长度方向平行；且脊...

本实用新型涉及半导体技术领域，提供一种第一半导体组件、第二半导体组件以及半导体器件，其中半导体器件，包括第一半导体组件，以及第二半导体组件；所述第一半导体组件与所述第二半导体组件层叠设置，且，所述第一半导体组件中的半导体功能层与所述第二...