本发明的实施例公开了一种化合物半导体霍尔元件。该化合物半导体霍尔元件包括基板、粘结层、磁感应部和电极部。该粘结层位于基板的表面上。该磁感应部通过粘结层键合到基板上。该电极部位于磁感应部的周边并且与磁感应部形成欧姆接触。该磁感应部的迁移率...

本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种高灵敏度霍尔元件，旨在解决现有技术中砷化镓霍尔元件灵敏度偏低的问题，其技术要点在于包括依次层叠设置的衬底、功能层、磁性层和位于所述功能层各个角的金属电极，磁性层位于所述功能层远离所述衬底一侧表面...

本申请涉及一种制备InSb功能层的方法，包括：提供III

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种高灵敏度霍尔元件及其制备方法，旨在解决现有技术中砷化镓霍尔元件灵敏度偏低的问题，其技术要点在于包括依次层叠设置的衬底、功能层、磁性层和位于所述功能层各个角的金属电极，磁性层位于所述功能层远离所述衬底...

本申请涉及一种霍尔元件。一种霍尔元件包括：衬底；十字形功能区，形成在所述衬底上，所述十字形功能区的交叉区域具有凹部；电极层，设置在所述十字形功能区的端部；钝化层，覆盖所述十字形功能区的暴露区域。根据本申请实施例的霍尔元件能够同时实现高灵...

本发明公开了一种磁传感部件、磁传感器及磁传感部件的制备方法，包括：磁传感部件基体，对磁传感部件基体的两面通过抛光工艺处理形成两抛光面，在其中任一的抛光面上加工处理形成钝化层，在钝化层的部分区域上设置有粘合层，在粘合层上贴合有磁敏功能层，...

本发明公开了一种半导体激光器及其制备方法，该半导体激光器包括：依次层叠的衬底、发光层和出光镜面，衬底具有贯穿的通孔，露出发光层远离出光镜面的第一表面；反射层，设置在衬底的通孔暴露的发光层的第一表面。本发明实施例提供的半导体激光器，在衬底...

本申请涉及一种霍尔元件及制备霍尔元件的方法。一种霍尔元件包括：衬底；十字形功能区，形成在所述衬底上，所述十字形功能区的交叉区域具有凹部；电极层，设置在所述十字形功能区的端部；钝化层，覆盖所述十字形功能区的暴露区域。根据本申请实施例的霍尔...

本实用新型提供的一种霍尔传感器以及电子设备，霍尔传感器包括框架引脚和位于所述框架引脚上方的霍尔元件；所述霍尔元件包括衬底、成型于所述衬底的感磁部以及与所述感磁部电连接的电极；所述电极朝向所述框架引脚并与所述框架引脚连接。如此设计，霍尔传...

本实用新型提供一种量子阱层结构及半导体激光器，该量子阱层结构包括：第一混合层及第二混合层，第一混合层的材料为InAlGaAs，且In、Al、Ga、As的组分比值为y:z:(1‑y‑z):1；第二混合层的材料为AlGaAs，且Al、Ga、...

本实用新型涉及封装技术领域，具体涉及一种引脚封装结构。本实用新型公开的引脚封装结构，包括金属框架、注塑层和预注塑层，金属框架包括引脚区和功能区，引脚区包括若干引脚，引脚靠近功能区的部分为引脚注塑区；注塑层覆盖功能区和引脚注塑区；预注塑层...

本发明涉及一种测量激光器远场发散角的方法及装置，S1、确定X轴、Y轴及Z轴，以X Z形成测量平面，将激光器设在测量平面的原点，探测器的感光面朝向激光器的发光面；S2、探测器以Y轴进行转动，检测激光器的光强度，获得光斑直径，计算出垂直于结...

本发明提供的一种霍尔传感器以及电子设备，霍尔传感器包括框架引脚和位于所述框架引脚上方的霍尔元件；所述霍尔元件包括衬底、成型于所述衬底的感磁部以及与所述感磁部电连接的电极；所述电极朝向所述框架引脚并与所述框架引脚连接。如此设计，霍尔传感器...

本实用新型公开了一种磁传感部件及磁传感器，包括：磁传感部件基体，对磁传感部件基体的两面通过抛光工艺处理形成两抛光面，在其中任一的抛光面上加工处理形成钝化层，在钝化层的部分区域上设置有粘合层，在粘合层上贴合有磁敏功能层，在磁敏功能层上设置...

本实用新型涉及机械技术领域，公开了一种抽真空设备及镀膜设备，其中抽真空设备包括：腔体；抽真空组件与所述腔体连接，用于抽取所述腔体内的流体；冷却组件具有冷凝件，所述冷凝件与所述腔体内的流体接触，所述冷凝件具有预设温度，用于将所述腔体内的流...

本实用新型公开了一种半导体激光器，该半导体激光器包括：依次层叠的衬底、发光层和出光镜面，衬底具有贯穿的通孔，露出发光层远离出光镜面的第一表面；反射层，设置在衬底的通孔暴露的发光层的第一表面。本实用新型实施例提供的半导体激光器，在衬底上形...

本发明提供一种量子阱层结构、半导体激光器及制备方法，该量子阱层结构包括：第一混合层及第二混合层，第一混合层的材料为InAlGaAs，且In、Al、Ga、As的组分比值为y:z:(1‑y‑z):1；第二混合层的材料为AlGaAs，且Al、...

本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体器件及其制备方法。其中，包括：基板；设置在所述基板上的导热层，导热层包括相互键合的第一金属层和第二金属层；设置在所述导热层上第一导电类型半导体层；设置在所述第一导电类型半导体层上的第二导电...

本实用新型公开了一种集成放大器件的霍尔器件，包括：在衬底上形成第一半导体层，所述第一半导体层适于用作霍尔功能层；在所述第一半导体层上外延生长第二半导体层，所述第二半导体层与所述第一半导体层之间形成二维电子气；去除部分第二半导体层，使其下...

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种光电探测器及其制备方法，旨在解决现有PIN型铟镓砷光电探测器寄生电容较大，影响所述光电探测器响应速度的问题，其技术要点在于包括层叠设置的半绝缘InP衬底、InP缓冲层、InGaAs光敏层、InP帽层...