本实用新型提供的一种霍尔传感器以及电子设备，霍尔传感器包括框架引脚和位于所述框架引脚上方的霍尔元件；所述霍尔元件包括衬底、成型于所述衬底的感磁部以及与所述感磁部电连接的电极；所述电极朝向所述框架引脚并与所述框架引脚连接。如此设计，霍尔传...

本实用新型提供一种量子阱层结构及半导体激光器，该量子阱层结构包括：第一混合层及第二混合层，第一混合层的材料为InAlGaAs，且In、Al、Ga、As的组分比值为y:z:(1‑y‑z):1；第二混合层的材料为AlGaAs，且Al、Ga、...

本实用新型涉及封装技术领域，具体涉及一种引脚封装结构。本实用新型公开的引脚封装结构，包括金属框架、注塑层和预注塑层，金属框架包括引脚区和功能区，引脚区包括若干引脚，引脚靠近功能区的部分为引脚注塑区；注塑层覆盖功能区和引脚注塑区；预注塑层...

本发明涉及一种测量激光器远场发散角的方法及装置，S1、确定X轴、Y轴及Z轴，以X Z形成测量平面，将激光器设在测量平面的原点，探测器的感光面朝向激光器的发光面；S2、探测器以Y轴进行转动，检测激光器的光强度，获得光斑直径，计算出垂直于结...

本发明提供的一种霍尔传感器以及电子设备，霍尔传感器包括框架引脚和位于所述框架引脚上方的霍尔元件；所述霍尔元件包括衬底、成型于所述衬底的感磁部以及与所述感磁部电连接的电极；所述电极朝向所述框架引脚并与所述框架引脚连接。如此设计，霍尔传感器...

本实用新型公开了一种磁传感部件及磁传感器，包括：磁传感部件基体，对磁传感部件基体的两面通过抛光工艺处理形成两抛光面，在其中任一的抛光面上加工处理形成钝化层，在钝化层的部分区域上设置有粘合层，在粘合层上贴合有磁敏功能层，在磁敏功能层上设置...

本实用新型涉及机械技术领域，公开了一种抽真空设备及镀膜设备，其中抽真空设备包括：腔体；抽真空组件与所述腔体连接，用于抽取所述腔体内的流体；冷却组件具有冷凝件，所述冷凝件与所述腔体内的流体接触，所述冷凝件具有预设温度，用于将所述腔体内的流...

本实用新型公开了一种半导体激光器，该半导体激光器包括：依次层叠的衬底、发光层和出光镜面，衬底具有贯穿的通孔，露出发光层远离出光镜面的第一表面；反射层，设置在衬底的通孔暴露的发光层的第一表面。本实用新型实施例提供的半导体激光器，在衬底上形...

本发明提供一种量子阱层结构、半导体激光器及制备方法，该量子阱层结构包括：第一混合层及第二混合层，第一混合层的材料为InAlGaAs，且In、Al、Ga、As的组分比值为y:z:(1‑y‑z):1；第二混合层的材料为AlGaAs，且Al、...

本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体器件及其制备方法。其中，包括：基板；设置在所述基板上的导热层，导热层包括相互键合的第一金属层和第二金属层；设置在所述导热层上第一导电类型半导体层；设置在所述第一导电类型半导体层上的第二导电...

本实用新型公开了一种集成放大器件的霍尔器件，包括：在衬底上形成第一半导体层，所述第一半导体层适于用作霍尔功能层；在所述第一半导体层上外延生长第二半导体层，所述第二半导体层与所述第一半导体层之间形成二维电子气；去除部分第二半导体层，使其下...

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种光电探测器及其制备方法，旨在解决现有PIN型铟镓砷光电探测器寄生电容较大，影响所述光电探测器响应速度的问题，其技术要点在于包括层叠设置的半绝缘InP衬底、InP缓冲层、InGaAs光敏层、InP帽层...

本发明提供了一种磁场辅助化学刻蚀的方法，包括，S1、将半导体材料进行涂胶光刻处理，得到待刻蚀材料；S2、将待刻蚀材料放入刻蚀液中，于强度为1kOe－2kOe的磁场强度下进行刻蚀；本发明还提供了一种磁场辅助化学刻蚀的装置，包括，溶液瓶，用...

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体器件及其制备方法。其中，包括：基板；设置在所述基板上的导热层，导热层包括相互键合的第一金属层和第二金属层；设置在所述导热层上第一导电类型半导体层；设置在所述第一导电类型半导体层上的第二导电类型...

本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种晶体外延结构及生长方法，旨在解决如何消除不匹配外延材料生长时的应变，晶体外延生长方法包括以下步骤：在衬底的第一表面形成晶格匹配层；在所述衬底的第二表面形成第一晶格失配层，第一晶格失配层包括晶格渐...

本发明涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种半导体激光器的散热封装结构，旨在解决现有技术中需要单独为半导体激光器配备半导体制冷器，导致半导体激光器体积较大的问题，包括半导体制冷器以及金属层；其中，金属层设置在半导体制冷器与半导体激光器之间...

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种高灵敏度霍尔元件的制备方法，包括以下步骤：a)提供半导体衬底；b)采用外延方法在半导体衬底上形成牺牲层；c)在牺牲层上制备霍尔元件功能层；d)在霍尔元件功能层表面先粘附一层柔性薄膜，然后采用选择性腐...

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体激光器芯片及其制作方法，其中半导体激光器芯片包括：双面抛光衬底、激光器外延结构以及太阳能电池外延结构；激光器外延结构设置于双面抛光衬底的正面；太阳能电池外延结构设置于双面抛光衬底的背面；金属热...

本发明涉及光纤通信传输技术领域，具体涉及一种铌酸锂光调制器及其制备与封装方法，旨在解决现有技术中铌酸锂波导芯片的尺寸较大、制备工艺较为复杂、封装工艺较为简陋的问题，其技术要点在于使用氢化非晶硅在铌酸锂基底上制备波导结构，利用非晶硅的高折...

本发明公开了一种集成放大器件的霍尔器件及其制备方法，其中所述方法包括：在衬底上形成第一半导体层，所述第一半导体层适于用作霍尔功能层；在所述第一半导体层上外延生长第二半导体层，所述第二半导体层与所述第一半导体层之间形成二维电子气；去除部分...