本发明提供了一种磁场辅助化学刻蚀的方法，包括，S1、将半导体材料进行涂胶光刻处理，得到待刻蚀材料；S2、将待刻蚀材料放入刻蚀液中，于强度为1kOe－2kOe的磁场强度下进行刻蚀；本发明还提供了一种磁场辅助化学刻蚀的装置，包括，溶液瓶，用...

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体器件及其制备方法。其中，包括：基板；设置在所述基板上的导热层，导热层包括相互键合的第一金属层和第二金属层；设置在所述导热层上第一导电类型半导体层；设置在所述第一导电类型半导体层上的第二导电类型...

本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种晶体外延结构及生长方法，旨在解决如何消除不匹配外延材料生长时的应变，晶体外延生长方法包括以下步骤：在衬底的第一表面形成晶格匹配层；在所述衬底的第二表面形成第一晶格失配层，第一晶格失配层包括晶格渐...

本发明涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种半导体激光器的散热封装结构，旨在解决现有技术中需要单独为半导体激光器配备半导体制冷器，导致半导体激光器体积较大的问题，包括半导体制冷器以及金属层；其中，金属层设置在半导体制冷器与半导体激光器之间...

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种高灵敏度霍尔元件的制备方法，包括以下步骤：a)提供半导体衬底；b)采用外延方法在半导体衬底上形成牺牲层；c)在牺牲层上制备霍尔元件功能层；d)在霍尔元件功能层表面先粘附一层柔性薄膜，然后采用选择性腐...

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体激光器芯片及其制作方法，其中半导体激光器芯片包括：双面抛光衬底、激光器外延结构以及太阳能电池外延结构；激光器外延结构设置于双面抛光衬底的正面；太阳能电池外延结构设置于双面抛光衬底的背面；金属热...

本发明涉及光纤通信传输技术领域，具体涉及一种铌酸锂光调制器及其制备与封装方法，旨在解决现有技术中铌酸锂波导芯片的尺寸较大、制备工艺较为复杂、封装工艺较为简陋的问题，其技术要点在于使用氢化非晶硅在铌酸锂基底上制备波导结构，利用非晶硅的高折...

本发明公开了一种集成放大器件的霍尔器件及其制备方法，其中所述方法包括：在衬底上形成第一半导体层，所述第一半导体层适于用作霍尔功能层；在所述第一半导体层上外延生长第二半导体层，所述第二半导体层与所述第一半导体层之间形成二维电子气；去除部分...

本实用新型公开了一种霍尔元件，包括磁性基板，石墨烯功能层，电极和磁芯，其中：石墨烯功能层沉积在磁性基板的上方；电极设置在石墨烯功能层上方的电极区域；磁芯设置在石墨烯功能层上方的功能区域。将石墨烯材料直接制备在磁性基板上，使石墨烯霍尔元件...

本实用新型公开了一种半导体激光器芯片，包括：双面抛光衬底、激光器外延结构以及太阳能电池外延结构；其中，激光器外延结构设置于双面抛光衬底的正面；太阳能电池外延结构设置于双面抛光衬底的背面；金属热沉，设置于激光器外延结构远离双面抛光衬底的一...

本发明公开了一种四晶单色仪的光路校准方法及校准装置，其中校准方法包括如下步骤：提供一光源，第一接收屏以及四晶单色仪；使光源发出的入射光照射到第一接收屏上，并记录第一接收屏上的光斑位置为第一光斑位置；保持光源和第一接收屏的相对位置不变，并...

本发明公开了一种霍尔元件及其制备方法，其中霍尔元件包括磁性基板，石墨烯功能层，电极和磁芯，其中：石墨烯功能层沉积在磁性基板的上方；电极设置在石墨烯功能层上方的电极区域；磁芯设置在石墨烯功能层上方的功能区域。将石墨烯材料直接制备在磁性基板...

本发明公开了一种半导体激光器芯片及其制作方法，其中半导体激光器芯片包括：双面抛光衬底、激光器外延结构以及太阳能电池外延结构；其中，激光器外延结构设置于双面抛光衬底的正面；太阳能电池外延结构设置于双面抛光衬底的背面；金属热沉，设置于激光器...

本实用新型公开了一种薄膜转移装置，包括箱体，设置在箱体内部的第一载台的台面与第二载台的台面沿第一方向相对设置，第一载台的台面用于承载第一载体、粘附剂层，第二载台的台面用于承载第二载体、待转移薄膜；第一载台和/或第二载台沿第一方向可升降；...

本实用新型公开了一种半导体激光器封装结构，包括热沉，形成在热沉第一表面上的焊料层，以及通过焊料层焊接在第一表面上的半导体激光器管芯，半导体激光器管芯的脊区靠近焊料层设置；其中，第一表面上开设有一凹槽，凹槽长度方向与脊区长度方向平行；且脊...

本实用新型涉及半导体技术领域，提供一种第一半导体组件、第二半导体组件以及半导体器件，其中半导体器件，包括第一半导体组件，以及第二半导体组件；所述第一半导体组件与所述第二半导体组件层叠设置，且，所述第一半导体组件中的半导体功能层与所述第二...

本实用新型涉及半导体技术领域，提供一种半导体激光器，包括：衬底；并列形成在衬底上的检测组件和发光组件；发光组件中的有源层在检测组件上的投影，落入检测组件中的吸收层的范围内。通过并列设置的检测组件和发光组件，能够降低检测组件与发光组件的对...

本实用新型公开了一种半导体激光器，包括半导体制冷器以及金属层；其中，金属层设置在半导体制冷器与半导体激光器之间，半导体制冷器与半导体激光器通过金属层整体封装于一颗芯片中。在封装半导体激光器的过程中，把半导体制冷器一并封装一体，半导体激光...

本实用新型涉及半导体器件领域，公开了一种晶体外延结构，包括：衬底，具有相对的第一表面和第二表面；晶格匹配层和第二晶格失配层，依次设置在所述第一表面上；第一晶格失配层，设置在所述第二表面上；所述第一晶格失配层、所述衬底以及所述第二晶格失配...

本发明涉及半导体技术领域，提供一种化合物半导体硅基混合器件及其制备方法，其中制备方法，包括：在第一衬底上依次形成牺牲层、半导体功能层，形成第一组件；将第二衬底划分为光波导区和键合区，在所述光波导区上形成光波导结构，在所述键合区形成对准组...