本实用新型涉及半导体技术领域，提供一种半导体激光器，包括：衬底；并列形成在衬底上的检测组件和发光组件；发光组件中的有源层在检测组件上的投影，落入检测组件中的吸收层的范围内。通过并列设置的检测组件和发光组件，能够降低检测组件与发光组件的对...

本实用新型公开了一种半导体激光器，包括半导体制冷器以及金属层；其中，金属层设置在半导体制冷器与半导体激光器之间，半导体制冷器与半导体激光器通过金属层整体封装于一颗芯片中。在封装半导体激光器的过程中，把半导体制冷器一并封装一体，半导体激光...

本实用新型涉及半导体器件领域，公开了一种晶体外延结构，包括：衬底，具有相对的第一表面和第二表面；晶格匹配层和第二晶格失配层，依次设置在所述第一表面上；第一晶格失配层，设置在所述第二表面上；所述第一晶格失配层、所述衬底以及所述第二晶格失配...

本发明涉及半导体技术领域，提供一种化合物半导体硅基混合器件及其制备方法，其中制备方法，包括：在第一衬底上依次形成牺牲层、半导体功能层，形成第一组件；将第二衬底划分为光波导区和键合区，在所述光波导区上形成光波导结构，在所述键合区形成对准组...

本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体激光器及其制备方法，其中，该半导体激光器包括：衬底；并列形成在衬底上的检测组件和发光组件；发光组件中的有源层在检测组件上的投影，落入检测组件中的吸收层的范围内。通过并列设置的检测组件和发光组件，能...

本发明公开了一种霍尔元件的制备方法，该方法包括如下步骤：在铜箔基底上旋涂一层光刻胶再覆盖掩膜版曝光显影，对基底进行刻蚀；将铜箔基底放入化学气相沉积反应室，通入甲烷和氢气形成石墨烯；石墨烯通过鼓泡法转移至Si衬底上形成有源区；在Si衬底和...

本发明公开了一种半导体激光器，包括半导体制冷器以及金属层；其中，金属层设置在半导体制冷器与半导体激光器之间，半导体制冷器与半导体激光器通过金属层整体封装于一颗芯片中。在封装半导体激光器的过程中，把半导体制冷器一并封装一体，半导体激光器产...

本发明公开了一种生长指令检查方法及装置，其中方法包括：提取待检查MOCVD生长指令中的第一特征字符；根据第一特征字符进行模拟生长得到生长结构；将生长结构与目标结构进行比较，得到比较结果；根据比较结果确定待检查MOCVD生长指令是否正确。...

本发明涉及半导体器件领域，公开了一种晶体外延结构及生长方法，晶体外延生长方法包括以下步骤：在衬底的第一表面形成晶格匹配层；在所述衬底的第二表面形成第一晶格失配层；在所述晶格匹配层上形成第二晶格失配层；所述第一晶格失配层、所述衬底以及所述...

本发明公开了一种薄膜转移装置及其使用方法，其中装置包括箱体，设置在箱体内部的第一载台的台面与第二载台的台面沿第一方向相对设置，第一载台的台面用于承载第一载体、粘附剂层，第二载台的台面用于承载第二载体、待转移薄膜；第一载台和/或第二载台沿...

本发明公开了一种半导体激光器封装结构及其制备方法，其中结构包括热沉，形成在热沉第一表面上的焊料层，以及通过焊料层焊接在第一表面上的半导体激光器管芯，半导体激光器管芯的脊区靠近焊料层设置；其中，第一表面上开设有一凹槽，凹槽长度方向与脊区长...

本发明属于半导体技术领域，提供一种低温度漂移的霍尔元件及其制备方法，其中霍尔元件包括层叠设置的衬底层1、半导体功能层2和电极层3；半导体功能层2为N型掺杂的InxGa1‑xAs1‑2xP2x层，其中，x的值大于0且不大于0.5。半导体功...

本实用新型涉及传感技术领域，所述的霍尔元件，包括依次层叠设置的衬底、P型砷化铟层、N型砷化铟层。因为砷化铟层为N型掺杂，P型砷化铟层为过渡层，从而在两者界面处形成一个空间电荷区，而霍尔元件中的金属电极只接触N型区域，因此，在霍尔元件工作...

本发明涉及霍尔传感器技术领域，所述的霍尔元件的制备方法，包括以下步骤：在半导体单晶衬底上形成晶格常数逐渐增大的晶格渐变层；在晶格渐变层上形成缓冲层；在缓冲层上形成与缓冲层晶格常数相匹配的腐蚀隔离层；在腐蚀隔离层上形成与其晶格常数相匹配的...

本实用新型涉及传感技术领域，所述的霍尔元件，包括依次层叠设置的基板、P型锑化铟层、非掺杂锑化铟层。非掺杂锑化铟层为弱N型，P型锑化铟层作为过渡层，会在两者界面处会形成一个空间电荷区，而金属电极只接触功能层部分，在霍尔元件工作过程中，P型...

本发明涉及传感技术领域，所述的霍尔元件，包括依次层叠设置的衬底、P型砷化铟层、N型砷化铟层。因为砷化铟层为N型掺杂，P型砷化铟层为过渡层，从而在两者界面处形成一个空间电荷区，而霍尔元件中的金属电极只接触N型区域，因此，在霍尔元件工作过程...

本实用新型属于传感技术领域，所述的霍尔集成器件，包括化合物半导体霍尔元件以及形成在所述霍尔元件上方的信号放大元件，用于所述霍尔元件的信号放大；所述信号放大元件为化合物半导体同质结晶体管或化合物半导体异质结晶体管。信号放大元件设置在霍尔元...

本发明所述的一种高灵敏度霍尔元件的制备方法，包括以下步骤：a）提供半导体衬底；b）采用外延方法在半导体衬底上形成牺牲层；c）在牺牲层上制备霍尔元件功能层；d）采用腐蚀方法，将半导体衬底与霍尔元件功能层分离；e）霍尔元件功能层粘附于磁性基...

本实用新型所述的一种霍尔元件，包括层叠设置的半绝缘GaAs衬底、GaAs霍尔元件功能层和设置在其上的电极，其中霍尔元件的功能区为十字结构，通过湿法刻蚀形成，其十字方向与GaAs衬底的[011]晶向呈45°角。通过此种结构设计，可以大幅降...

本实用新型所述的一种霍尔元件，包括层叠设置的半绝缘GaAs衬底、InGaP缓冲层、GaAs霍尔元件功能层、InGaP帽层以及InGaP钝化层，所述InGaP钝化层还覆盖所述InGaP缓冲层、GaAs霍尔元件功能层和InGaP帽层的侧壁；...