一种铌酸锂光调制器及其制备与封装方法，使用氢化非晶硅在铌酸锂基底上制备波导结构，利用非晶硅的高折射率可以有效减小波导尺寸，从而减小铌酸锂光调制器上金属电极之间的间距，进而使得所需调制电压低。优选使用氢化非晶硅制作波导芯片，其Si：H链的...

一种高精度靶材测量系统及方法，包括：检测平台、光学检测单元、数据收集处理单元和控制单元，所述检测平台中间设置有一中空腔，所述中空腔上设置有可拆卸的活动板，所述活动板可将所述中空腔完全覆盖，所述中空腔内部设置至少一组限位组件，所述限位组件...

本发明所述的一种芯片互联结构及其互联工艺，结合热压键合技术并且充分利用了铜的金属特性来实现对两个芯片或者多个芯片的互联，金属结构的设置使得两个芯片不仅可以实现光学连接，亦可以实现电学连接。芯片之间的键合比较牢固，强度高；并且整个互联工艺...

本发明中利用双重曝光技术辅助集成光学生产的工艺，通过光刻机进行二次曝光来形成高分辨率的波导间隔，并且这种高分辨率的波导间隔是由光刻机的机械精度来实现的，所以不受限制于光学衍射。在集成光学领域，生产成本很大程度上取决于光刻掩膜板的成本，高...

本发明公开了一种基于二维电子气(2-DEG)的霍尔元件及其制备方法，所述霍尔元件结构包括以外延方式倒装生长的铟镓砷（InxGa1-xAs）沟道层，铝镓砷（AlxGa1-xAs）空间隔离层以及铝镓砷（AlxGa1-xAs）势垒层。所述制备...

本发明公开了一种基于衬底剥离的霍尔元件及其制备方法。该方法制备的霍尔元件，将用于外延生长的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶衬底与霍尔元件功能层实现剥离，霍尔元件组装在刚性支撑衬底上或者绝缘散热底座上。组装在绝缘散热底座的霍尔元件，能大大提升其散...

本发明公开了一种基于衬底剥离工艺的倒装台面型铟镓砷（InGaAs）红外探测器及其制备方法，所述探测器外延结构包括磷化铟单晶衬底上依次生长赝晶砷化铝牺牲层、磷化铟缓冲层、铟镓砷腐蚀阻挡层、磷化铟帽层、铟镓砷本征吸收层、磷化铟欧姆接触层。所...

本实用新型公开了一种用于MOCVD设备的MO源供给系统管路，其包括多个并联设置的MO源供给系统，所述MO源供给系统包括：控制载气流量的第一质量流量控制器，所述第一质量流量控制器通过第一气动阀与MO源瓶入口处的第一手动阀相连通，所述MO源...

一种影像测量仪的检测平台，所述检测平台内设置有中空腔，所述中空腔上设置有可拆卸的活动板，所述活动板可将所述中空腔完全覆盖，所述中空腔内部至少设置一组限位组件，所述限位组件可旋转并用以固定样品，且至少一组限位组件与驱转装置连接且由其驱动；...

本实用新型提供一种通讯信号补偿器，包括信号探测器、补偿开关和信号放大电路以及输出接口，通过信号探测器来探测当前的信号强度，当信号微弱到一定的阈值时，则开启补偿开关，通过信号放大电路对信号进行放大，而且信号放大的比例与信号强弱成比例，该信...

一种影像测量仪的3D光学检测装置，包括镜头、固定机构、安装部件、光栅投影装置和至少两个转动部件；所述安装部件可移动地设置在所述固定机构的下端，在所述安装部件的底部设置有光栅投影装置，所述转动部件一端与所述安装部件转动连接，所述镜头设置在...

本实用新型提供一种LED封装结构，包括成型有一个型腔的硅基载体，在所述硅基载体上设有玻璃基板，在所述硅基载体的型腔内设置有LED芯片，所述玻璃基板和所述硅基载体的边缘连接，在该连接位置通过粘结胶层密封连接，所述硅基载体的型腔内中空，在所...

本实用新型所述的一种芯片互联结构，结合热压键合技术并且充分利用了铜的金属特性来实现对两个芯片或者多个芯片的互联，金属结构的设置使得两个芯片不仅可以实现光学连接，亦可以实现电学连接。芯片之间的键合比较牢固，强度高；并且整个互联工艺相对简单...

本实用新型提供一种新型GaN基LED结构，包括高温掺杂Mg的p型GaN层，和掺杂Si的n型GaN层，所述掺杂Si的n型GaN层在所述高温掺杂Mg的p型GaN层之上，还包括高掺杂Mg的p+-GaN层，和高掺杂Si的n+型GaN层，高温生长...

一种铌酸锂光调制器，使用非晶硅在铌酸锂基底上制备波导结构，利用非晶硅的高折射率可以有效减小波导尺寸，从而减小金属电极之间的间距，进而使得所需调制电压低。优选使用氢化非晶硅制作波导芯片，其Si：H链的存在能够减小光学损耗。可以通过调节氢化...

本实用新型所述的自适应磁场调整型磁控溅射镀膜设备，相邻所述永磁铁之间设置有通电线圈，在所述通电线圈和所述磁轭之间设置有霍尔传感器，所述通电线圈的长度方向与所述永磁铁磁极方向垂直；所述霍尔传感器外接磁场强度侦测系统，用于磁场强度的实时监测...

本发明提供一种新型GaN基LED结构及制备方法，属于半导体光电子器件的制备领域。本发明区别现有技术的核心是：通过在p+-GaN层和n+-GaN层上高温生长掺杂Mg的p-型GaN外延层。其中n+-GaN层中的Si原子可以有效地抑制GaN外...

本发明涉及一种低温下化合物半导体和硅基半导体进行键合的方法，其包括如下步骤：（1）对硅基半导体进行清洗，之后在其表面镀钯；（2）对化合物半导体进行清洗，之后与步骤（1）中所述镀钯的硅基半导体相对，保持钯层位于两种半导体之间作为中间介质键...

本发明所述的自适应磁场调整型磁控溅射镀膜设备，相邻所述永磁铁之间设置有通电线圈，在所述通电线圈和所述磁轭之间设置有霍尔传感器，所述通电线圈的长度方向与所述永磁铁磁极方向垂直；所述霍尔传感器外接磁场强度侦测系统，用于磁场强度的实时监测；所...

本发明所述的LED外延结构，N型GaN层采用周期性的梯度掺杂结构，交替设置的掺杂Si的GaN和不掺杂的GaN层可以在不掺杂的GaN层聚集电子，形成高密度的二维电子气，从而有效增加载流子浓度和迁移率；更重要的是，设置在多量子阱层上的U型的...