本发明提供了一种石墨烯硅太阳能电池及其制备方法，所述太阳能电池的结构从下至上依次包括铜胶带基底层，液态镓铟合金电极层，N型硅片层，二氧化硅层，PMMA层（聚甲基丙烯酸甲酯）保护下的石墨烯透明电极层，银导电胶电极层。本发明技术方案能够获得...

本发明所述的一种霍尔元件，包括层叠设置的半绝缘GaAs衬底、InGaP缓冲层、GaAs霍尔元件功能层、InGaP帽层以及InGaP钝化层，所述InGaP钝化层还覆盖所述InGaP缓冲层、GaAs霍尔元件功能层和InGaP帽层的侧壁；In...

本发明所述的一种低暗电流铟镓砷探测器，包括层叠设置的第二电极、N型InP衬底和本征InP缓冲层，所述InP缓冲层上直接形成有InGaAs光敏层，所述InGaAs光敏层上层叠设置有InP帽层和通过外延方式生长的钝化层，所述InP帽层面积小...

本发明所述的一种霍尔元件，包括层叠设置的半绝缘GaAs衬底、GaAs霍尔元件功能层和设置在其上的电极，其中霍尔元件的功能区为十字结构，通过湿法刻蚀形成，其十字方向与GaAs衬底的[011]晶向呈45°角。通过此种结构设计，可以大幅降低霍...

一种霍尔元件，该霍尔元件包括依次设置的衬底、掺杂的功能层、掺杂的欧姆接触层和金属电极，且欧姆接触层紧贴金属电极设置，功能层的掺杂浓度小于欧姆接触层的掺杂浓度。解决了低掺杂浓度的高灵敏度霍尔元件功能层很难与金属电极形成良好的欧姆接触的技术...

本实用新型公开了一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体霍尔元件，其结构包括霍尔元件功能层薄膜，通过倒装焊的方式组装在绝缘散热底座上，绝缘散热底座预先已制备好电极图形。用于生长霍尔元件功能层薄膜的单晶衬底，通过衬底剥离的方式，与霍尔元件功能层薄膜分离，...

一种霍尔元件及其制备方法，该霍尔元件包括依次设置的衬底、掺杂的功能层、掺杂的欧姆接触层和金属电极，且欧姆接触层紧贴金属电极设置，功能层的掺杂浓度小于欧姆接触层的掺杂浓度。解决了低掺杂浓度的高灵敏度霍尔元件功能层很难与金属电极形成良好的欧...

本实用新型提供了一种Ⅲ-Ⅴ半导体太阳能电池模组，包括串联的由包含Ⅲ-Ⅴ化合物半导体层的至少两个以上的太阳能电池单元，各个太阳能电池单元为极性反转的PN结正副太阳能电池片，且各个太阳能电池单元的发电面积相同。本实用新型提供的太阳能电池模组...

本发明提供一种LED封装结构，包括成型有一个型腔的硅基载体，在所述硅基载体上设有玻璃基板，在所述硅基载体的型腔内设置有LED芯片，所述玻璃基板和所述硅基载体的边缘连接，在该连接位置通过粘结胶层密封连接，所述硅基载体的型腔内中空，在所述型...

本发明提供了一种Ⅲ-Ⅴ半导体太阳能电池模组，包含具有至少两个以上Ⅲ-Ⅴ化合物半导体层的太阳能电池单元，各个太阳能电池单元为极性反转的PN结正副太阳能电池片，且各个太阳能电池单元的发电面积相同。本发明提供的太阳能模组通过串联极性反转的PN...

本实用新型所述的一种光电探测器，包括层叠设置的半绝缘InP衬底、InP缓冲层、InGaAs光敏层、InP帽层和钝化层；钝化层中开设有暴露InP帽层部分区域的通孔，沿通孔内侧壁形成环形第二电极，第二电极的部分区域延伸至钝化层的上部，形成搭...

一种等离子体辅助的金属有机物化学气相沉积（MOCVD）设备，包括：反应腔、喷淋装置、衬底载片台、基座、加热装置，其特征在于在金属有机物化学气相沉积设备反应腔相对的两侧腔壁增设等离子反应室，通过调控磁铁分布调节磁场以形成平行于衬底表面、且...

本实用新型所述的一种光电探测器,包括依次层叠设置的InP衬底、InP缓冲层、InGaAs光敏层、InP帽层、第二电极；还包括第一电极，以及设置在所述第二电极一端的电极引线；所述第二电极为透明电极。在设计所述光电探测器结构时，实际光敏面积...

本发明公开了一种具有透明电极的InGaAs光电探测器，其中正面透明电极由石墨烯构成。石墨烯通过化学气相沉积转移法制备，置于InP帽层之上，作为环形正电极，取代传统的金属电极。石墨烯因其优越的透光性能，在相同光敏台面的情况下，可以大大提高...

本发明所述的一种光电探测器，包括层叠设置的半绝缘InP衬底、InP缓冲层、InGaAs光敏层、InP帽层和钝化层；钝化层中开设有暴露InP帽层部分区域的通孔，沿通孔内侧壁形成环形第二电极，第二电极的部分区域延伸至钝化层的上部，形成搭接区...

本发明提供一种通讯信号补偿器及方法，包括信号探测器、补偿开关和信号放大电路以及输出接口，通过信号探测器来探测当前的信号强度，当信号微弱到一定的阈值时，则开启补偿开关，通过信号放大电路对信号进行放大，而且信号放大的比例与信号强弱成比例，该...

一种铌酸锂光调制器及其制备与封装方法，使用氢化非晶硅在铌酸锂基底上制备波导结构，利用非晶硅的高折射率可以有效减小波导尺寸，从而减小铌酸锂光调制器上金属电极之间的间距，进而使得所需调制电压低。优选使用氢化非晶硅制作波导芯片，其Si：H链的...

一种高精度靶材测量系统及方法，包括：检测平台、光学检测单元、数据收集处理单元和控制单元，所述检测平台中间设置有一中空腔，所述中空腔上设置有可拆卸的活动板，所述活动板可将所述中空腔完全覆盖，所述中空腔内部设置至少一组限位组件，所述限位组件...

本发明所述的一种芯片互联结构及其互联工艺，结合热压键合技术并且充分利用了铜的金属特性来实现对两个芯片或者多个芯片的互联，金属结构的设置使得两个芯片不仅可以实现光学连接，亦可以实现电学连接。芯片之间的键合比较牢固，强度高；并且整个互联工艺...

本发明中利用双重曝光技术辅助集成光学生产的工艺，通过光刻机进行二次曝光来形成高分辨率的波导间隔，并且这种高分辨率的波导间隔是由光刻机的机械精度来实现的，所以不受限制于光学衍射。在集成光学领域，生产成本很大程度上取决于光刻掩膜板的成本，高...