本发明涉及一种倒装芯片测试的方法及系统。该方法包括：获取具有不同波长的N个倒装芯片的校准方片；通过倒装机台和正装机台分别获取N个倒装芯片的第一组亮度值和第二组亮度值；获取N个倒装芯片对应的第一亮度值和第二亮度值的亮度比值及亮度比值的平均...

本发明涉及一种芯片亮度值测试的方法及系统。该方法包括：分别B个芯片在第一圆片和方片上的亮度得到第一组亮度值和第二组亮度值；根据第二组亮度值和第一组亮度值中各个芯片对应的测试值的比值得到测试差值；对第一组亮度值和测试差值进行二次拟合获取芯...

本发明涉及一种圆片减薄的方法、治具及上蜡装置。该方法包括：将半导体衬底圆片与衬底片键合在一起作为待减薄圆片；将陶瓷盘放置在上蜡装置的承载台上，将蜡滴在陶瓷盘上的圆片位置，将待减薄圆片放置在蜡的上方；将外径小于待减薄圆片的直径的圆环治具同...

本申请涉及一种GaN基发光二极管外延结构，包括依次叠设的衬底、第一N型外延层、载子流扩散层、第二N型外延层、电子流扩散层、第三N型外延层、电子流扩散层上、发光层、电子阻挡层，位于发光层上及P型外延层，其中，第一载子流扩散层包括多层结构，...

本申请涉及一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法，该外延结构包括：衬底；N型外延层，位于衬底上；发光层，位于N型外延层上；电子阻挡层，位于发光层上；及P型外延层，包括P型主体结构和超晶格结构，超晶格结构包括交替叠设的InAlGaN层...

本申请涉及一种GaN基发光二极管外延结构，包括：衬底；N型外延层，位于衬底上；应力调节层，其禁带宽度位于N型外延层和发光层之间，应力调节层包括依次叠设于N型外延层上的第一至第M周期结构层，各周期结构层包括交替设置的势阱和势垒，自N型外延...

本申请涉及一种GaN基发光二极管外延结构，其特征在于，包括：衬底；N型外延层，位于衬底上；发光层，位于N型外延层上；电子阻挡层，包括未掺杂阻挡层，未掺杂阻挡层包括依次叠设于发光层上的第一至第N层结构，第一层结构的带隙宽度大于发光层的带隙...

本申请涉及一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法，该外延结构包括：衬底；N型外延层，位于衬底上；发光层，位于N型外延层上；电子阻挡层，位于发光层上，电子阻挡层包括位于发光层上的GaN层和依次叠设于GaN层上的第一至第三层InAlGa...

本申请涉及一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法，该外延结构包括：衬底；N型外延层，位于衬底上；发光层，位于N型外延层上；电子阻挡层，位于发光层上；及P型外延层，包括依次叠设于电子阻挡层上的第一P型层、第二P型层和第三P型层，第三P...

本申请涉及一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法，该外延结构包括：依次叠设的衬底、N型外延层、量子阱发光层、电子阻挡层和P型外延层，其中，量子阱发光层包括多个交替叠设的势阱和势垒，势垒包括依次叠设的第一非掺杂层、P型掺杂掺层、第二非...

本发明公开了一种倒装LED芯片，包括：倒装LED芯片本体；以及间隔设置在所述倒装LED芯片本体正面上的奇数个条状通孔；其中，奇数个条状通孔中的一个条状通孔为中心条状通孔，其经过所述倒装LED芯片本体的中轴线，所述中心条状通孔包括第一插栓...

本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片，LED外延结构包括依次叠加在一衬底上的第一子外延结构、N型掺杂结构和第二子外延结构，N型掺杂结构包括依次叠加的第一N型掺杂层、电子流扩散层和第二N型掺杂层，电子流扩散层掺杂有N型离...

本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片，LED外延结构包括：子外延结构，位于一衬底上；P型掺杂结构，位于子外延结构上，P型掺杂结构包括N个周期交叠的P型Ala1Inb1Ga1‑a1‑b1N层、P型Ala2Inb2Ga1‑...

本发明提供了一种垂直LED芯片及其制备方法，垂直LED芯片包括：导电衬底；主体结构，位于导电衬底的一侧，主体结构包括依次设置在导电衬底上的金属部和外延部；p电极，p电极和外延部位于金属部背离导电衬底的一侧；n电极，位于导电衬底的另一侧；...

本发明提供一种LED芯片结构及其形成方法，所述LED芯片结构包括mesa结构、第一电流阻挡层、第二电流阻挡层、第一接触电极和第二接触电极，mesa结构包括N电极和P电极，第一电流阻挡层位于N电极上，第二电流阻挡层位于P电极上，第一接触电...

本发明提供LED芯片结构及其形成方法和LED芯片中，所述LED芯片结构包括mesa结构和接触电极，所述mesa结构具有N电极和P电极，所述mesa结构的表面具有外延层，对所述N电极上的所述外延层进行N掺杂，对所述P电极上的所述外延层进行...

本发明公开了一种高压倒装LED芯片及其形成方法，所述芯片包括：至少两个相互连接的发光单元；若干个沟槽隔离结构，每一沟槽隔离结构用于隔离相邻的两个发光单元；每一沟槽隔离结构内部表面覆盖有绝缘保护层；其中，至少一个沟槽隔离结构经过高压倒装L...

本发明提供了一种LED衬底转移的方法以及垂直结构LED芯片。LED衬底转移的方法包括：提供生长衬底和导电衬底，导电衬底的一侧上形成有电极，另一侧上形成有具有键合面的第一键合子结构；在生长衬底上形成第二键合子结构，第二键合子结构包括依次形...

本发明提供了一种垂直LED芯片结构及其制备方法，该制备方法包括：提供一衬底，衬底的一侧上形成有n型GaN层，n型GaN层至少包括N电极区；在n型GaN层上形成一图形化的掩模层，图形化的掩模层在N电极区具有一开口，并以图形化的掩模层为掩模...

本发明提供了一种垂直结构LED芯片及垂直结构LED芯片单元的制备方法，垂直结构LED芯片包括芯片单元；切割道，位于相邻所述芯片单元之间；以及隔离槽，所述隔离槽形成于所述切割道，用于电性隔离所述芯片单元；在所述隔离槽的底部形成有一与相邻所...