本发明公开了一种GaN基LED外延结构及其制备方法，GaN基LED外延结构包括：衬底、第一类型外延层、包括周期层叠的第一势阱层和第一势垒层的第一量子阱结构层、包括周期层叠的第二势阱层和第二势垒层的第二量子阱结构层、第二类型外延层，且所述...

本发明公开了一种LED芯片及其制备方法，所述制备方法包括通过在LED外延结构的P型外延层上形成透明导电层；形成贯穿透明导电层暴露出部分P型外延层的开口；形成填充满开口且覆盖透明导电层的表面的P电极层；以及形成在N型外延层表面的N电极，其...

本发明公开了一种垂直LED芯片的导电膜测试方法，该方法包含以下过程：将待测试的垂直LED芯片放置在作为衬台物的导电膜上；更换测试机的平台及测试机接线方式；将放置有待测试的垂直LED芯片导电膜进行翻转，将所述待测试的垂直LED芯片翻转至其...

本发明公开了一种LED外延结构及其制备方法，LED外延结构包括：衬底；位于衬底上的第一类型外延层；位于第一类型外延层上的调节层，调节层包括N个周期层叠的第一势阱层和第一势垒层，从第一个周期至第N个周期，第一势阱层中含In的组分呈渐变式变...

一种GaN基发光二极管外延结构及其制备方法，P‑GaN层包含两种不同方法生长的第一P型GaN层和第二P型GaN层，第一P型GaN层是由未掺杂GaN层和未掺杂MgN层交替生长而成，第二P型GaN层是由InGaN层和未掺杂MgN层交替生长而...

一种垂直型发光二极管，包括：堆叠层，包括N型半导体层、量子阱层、P型半导体层和导电层，导电层与P型半导体层电连接；若干间隔分布的第一沟槽，位于堆叠层内，第一沟槽露出N型半导体层；第一绝缘层，覆盖在导电层上，并覆盖第一沟槽的侧壁；导电塞，...

本发明提供一种用于垂直结构LED芯片的多层键合方法，包括如下步骤：S1：在键合机的下加热基板与上加热基板之间叠放至少两组待键合结构；所述待键合结构包括目标衬底及叠放于所述目标衬底上的晶片；所述目标衬底与所述晶片相对的一对表面中至少有一个...

本发明提供一种用于图形化表面的金锡键合方法，包括如下步骤：S1：将目标衬底及晶片叠放于键合机的上下加热基板之间，其中，所述晶片的待键合面设有至少一个凹槽；所述目标衬底的待键合面形成有用于金锡共晶键合的第一键合材料层，所述晶片的待键合面形...

本发明提供一种键合方法，包括如下步骤：S1：在键合机的上下加热基板之间叠放一组待键合结构；所述待键合结构包括叠加放置的目标衬底及晶片，其中，热膨胀系数较大的一个位于上方；S2：在所述待键合结构上方叠放一组辅助键合结构；所述辅助键合结构包...

本发明提供一种具有光滑侧壁的垂直LED芯片结构及其制备方法，包括：1）提供生长衬底，于生长衬底上依次生长UID-GaN层、N-GaN层、多量子阱层以及P-GaN层；2）于P-GaN层上形成P电极；3）提供键合衬底，将键合衬底与步骤2）得...

本发明提供一种具有反射效果切割道的垂直LED芯片结构及其制备方法，包括：1）提供蓝宝石衬底，于蓝宝石衬底上依次生长UID-GaN层、N-GaN层、多量子阱层以及P-GaN层；2）于对应于后续要形成台阶结构的边缘及切割道区域内的P-GaN...

本发明提供一种具有高亮度的LED芯片及其制备方法，包括以下步骤：1）提供生长衬底，在生长衬底上依次生长n型GaN层、发光层多量子阱及p型GaN层；2）形成贯穿p型GaN层及发光层多量子阱的深槽，深槽的底部位于n型GaN层内；3）在p型G...

本发明提供一种垂直LED芯片结构及其制备方法，包括：1）提供蓝宝石衬底，在蓝宝石衬底上依次生长UID-GaN层、N-GaN层、多量子阱层以及P-GaN层；2）在P-GaN层上形成P电极；3）提供键合衬底，将键合衬底与步骤2）得到的结构键...

本发明提供一种高可靠性垂直倒装LED芯片的制备方法，所述高可靠性垂直倒装LED芯片的制备方法通过在形成第一深孔、第二深孔及走道之后，在第二深孔及走道的底部及侧壁形成膜层质量非常好的第一绝缘层，用于包覆刻蚀暴露出的发光层多量子阱，规避了在...

本发明提供一种倒装LED芯片及其制备方法，包括以下步骤：1）提供生长衬底，在生长衬底上依次生长n型GaN层、发光层多量子阱及p型GaN层；2）形成贯穿p型GaN层及发光层多量子阱的第一深槽；3）在p型GaN层表面形成欧姆接触及电流扩展层...

本发明提供一种提升亮度的倒装LED芯片及其制备方法，包括以下步骤：1）提供生长衬底，在生长衬底上依次生长n型GaN层、发光层多量子阱及p型GaN层；2）形成贯穿p型GaN层及发光层多量子阱的第一深槽；3）在p型GaN层表面形成石墨烯；4...

本发明提供一种GaN基LED外延结构的制备方法，包括以下步骤：提供生长衬底，在所述生长衬底上生长缓冲层；采用非连续生长工艺在所述缓冲层上生长未掺杂的GaN层；在所述未掺杂的GaN层上生长N型GaN层；在所述N型GaN层上生长InGaN/...

本发明提供一种蓝宝石衬底回收再使用的方法，包括以下步骤：提供待回收再使用的蓝宝石衬底；使用盐酸溶液去除所述蓝宝石衬底表面残留的Ga；使用王水去除所述蓝宝石衬底表面残留的金属；使用ITO刻蚀液去除所述蓝宝石衬底表面残留的ITO；使用磷酸去...

本发明提供一种LED垂直芯片结构及其制作方法，包括以下步骤：S1：提供一蓝宝石衬底，在其上依次生长非故意掺杂GaN层、N型GaN层、多量子阱层及P型GaN层；S2：形成若干分立的P电极；S3：形成若干分立的并覆盖所述P电极的第一键合金属...

本发明提供一种LED芯片结构的制作方法，包括以下步骤：S1：提供一蓝宝石衬底；S2：采用激光从所述蓝宝石衬底背面照射并聚焦到所述蓝宝石衬底内部，在所述蓝宝石衬底内部形成气孔阵列；S3：在所述蓝宝石衬底表面依次生长缓冲层、N型氮化镓层、多...