本发明公开了一种LED芯片，包括：依次堆叠的N‑GaN层、量子阱层和P‑GaN层；反射层，形成于所述P‑GaN层上；阻挡层，形成于所述反射层上，所述阻挡层覆盖所述反射层；所述阻挡层与所述P‑GaN层相接触的部分的材料层的材料为Al、Ag...

本发明公开了一种GaN基LED垂直结构芯片及其制备方法，所述芯片包括：依次堆叠的未掺杂层、N‑GaN层、量子阱层和P‑GaN层；凹槽，凹槽贯穿P‑GaN层和量子阱层且暴露N‑GaN层，透明导电层，其形成于P‑GaN层上，其靠近凹槽的侧壁...

本发明提供了一种LED外延结构及其制备方法、LED芯片，LED外延结构包括：第一子外延结构，位于一衬底上；第二子外延结构，位于所述第一子外延结构上；阻挡层，位于所述第一子外延结构和第二子外延结构之间，所述阻挡层包括N个周期性交叠的SiN...

本发明提供了一种垂直结构LED芯片及其制造方法，垂直结构LED芯片包括导电衬底，形成于导电衬底的下表面的P电极，依次设置于导电衬底的上表面的具有键合面的第一键合结构、具有键合面的第二键合结构、反射层、P型GaN层、多量子阱层、N型GaN...

本发明公开了一种GaN基LED白光垂直结构芯片及其制备方法，所述芯片包括：依次堆叠的未掺杂层、N‑GaN层、量子阱层和P‑GaN层；凹槽，凹槽贯穿P‑GaN层和量子阱层且暴露N‑GaN层；反射层，形成于P‑GaN层上；第一绝缘层，第一绝...

本发明提供了一种垂直LED芯片及其制备方法，垂直LED芯片包括：导电衬底；功能结构，位于导电衬底的一侧；n电极，位于功能结构背离所述导电衬底一侧；p电极，位于导电衬底的另一侧；以及反射结构，反射结构与功能结构位于导电衬底的同侧，反射结构...

本发明涉及一种发光二极管及其制备方法，包含：第一外延导电层，生长在衬底上，具有第一导电类型；外延过渡层，生长在第一外延导电层上，具有第一导电类型；多量子阱结构层，生长在外延过渡层上；第二外延导电层，生长在多量子阱结构层上，具有第二导电类...

本发明涉及一种LED外延结构及其制备方法，所述LED外延结构从下到上包含：衬底、缓冲层、非掺杂层、N型层、多周期应力调节结构(GaN/InxGa1‑xN)n1、发光层多周期量子阱结构(GaN/InaGa1‑aN)n2、P型电子阻挡层、p...

一种AlInN纳米微结构及其制备方法，在低温、高压和大氨气流量环境下，在衬底上生长预铺层，降低气压和氨气流量，升高温度，升温过程中在预铺层上生长升温保护层，在高温、低压和小氨气流量环境下，在升温保护层上生长AlInN纳米微结构层，升高气...

一种LED倒装芯片及其制造方法，通过激光划片、化学侧壁腐蚀方式和背裂的方式制备侧壁为倒梯形状的LED倒装结构，将传统制程中钝化层上层的SiO2保护层替换为DBR反射结构/折射结构，并将反射结构/折射结构覆盖到芯片侧壁，可以获得更好的出光...

本发明涉及一种具有侧面背面银反射镜的LED芯片制作方法，包含：在晶圆衬底上依次形成N型层、发光层和P型层；在晶圆上间隔形成若干底部为N型层的沟槽；在P型层上制作P电极，在沟槽底部的N型层上制作N电极；对衬底背面研磨减薄；在衬底背面上间隔...

本发明涉及一种带有图形化的电流扩展层的倒装芯片及其制造方法，在衬底上生长外延层；在外延层上通过刻蚀划分出P区和N区；在P区制成电流扩展层，并通过刻蚀在所述电流扩展层上开孔制成图形化的孔状结构，其中，开孔深度小于所述电流扩展层的膜层厚度；...

本发明公开了一种载盘的清洁处理方法，包含以下步骤：S102、将待处理的载盘表面进行喷砂处理；S104、将完成喷砂处理的待处理的载盘进行研磨处理；S106、将完成研磨处理的待处理的载盘进行吹扫处理；S108、将完成吹扫处理的待处理的载盘放...

本发明涉及一种集成于MOCVD的快速的在线PL测试系统设计及方法，在设置的在位监测探头组中整合三个探头：第一探头与RT测试模块相对应，在外延生长过程中对反应腔内的外延片进行RT监测；第二探头与固体激光光源发射模组相对应，来向反应腔内的外...

本发明涉及一种MOCVD设备的尾管冷却装备，其设置在所述MOCVD设备的反应腔与颗粒过滤器之间的尾管前段；所述尾管冷却装备设置的一个两端开口、内部为空腔的外筒，接入到该尾管前段；所述外筒设有接入冷却水的冷却水管道，对通过所述外筒一端的进...

本发明公开清洗半导体设备部件的设备，该设备包含清洗槽，清洗槽内放置有清洗液，待清洗的部件浸泡在清洗槽内的清洗液中；所述清洗液为氨水、或氨水和双氧水的混合溶液。本发明基于蓝绿外延工艺环境为富氮的环境，会用到大量的氨气的因素，利用弱碱性的氨...

本发明公开一种发光二极管P型层结构及其外延结构及制备方法，P型层结构是包含本征GaN、MgN和PGaN的多周期结构，本征GaN、MgN和PGaN从下到上依次生成，本征GaN为非掺杂GaN，P型层的周期n大于或等于3。二极管外延结构从下到...

本发明提供了一种LED芯片及其制造方法，首先提供一包含N型外延层、量子阱层及P型外延层的外延结构，刻蚀所述外延结构至剩余部分所述N型外延层，形成隔离凹槽，然后形成导电层、DBR反射层、接触层、绝缘层及键合金属层，通过键合金属层与第二衬底...

本发明提供一种LED芯片，所述LED芯片包括发光二极管、电流阻挡结构和电极，电流阻挡结构包括第一电流阻挡结构和第二电流阻挡结构，第一电流阻挡结构位于第一半导体层上，第二电流阻挡结构位于第二半导体层上，第一电极通过第一电流阻挡结构连接第一...

本发明公开了一种LED芯片及其制备方法，所述LED芯片包括N电极，所述N电极包括相互连接的N电极主体部分和N电极延伸部分，且在所述N电极延伸部分对应区域的LED外延结构中至少设置有两个开口，所述开口依次贯穿所述P型外延层和量子阱层，直至...