本发明提供一种电子材料用铜合金，其中，Ni的量为1.0质量％以下，含有0.5～2.5质量％的Co，以按质量比例计(Ni+Co)/Si为3～5的方式含有Si，余量由铜以及不可避免的杂质组成，在轧制垂直方向上伸长且板厚减少的平面应变下的平均...

本发明提供一种良好地抑制基板背面的翘曲的磷化铟基板、半导体外延晶片以及磷化铟基板的制造方法。磷化铟基板具有用于形成外延晶体层的主面和主面的相反侧的背面，在使磷化铟基板的背面朝上的状态下测定出的、背面的BOW值为－2.0～2.0μm。

本发明提供一种对低频率区域的屏蔽特性良好的电磁波遮蔽材料。是一种具有强磁性层与非磁性导电金属层进行层叠而成的结构体的电磁波屏蔽材料，其中，在非磁性导电金属层的至少一侧的表面上还具有含有合金的处理膜，并且该合金包含铜和镍。

本发明提供一种能够抑制溅射时的微粒的产生的Fe－Pt－C系溅射靶部件。一种Fe－Pt－C系溅射靶部件，其具有含有Fe以及Pt的磁性相和含有C的非磁性相，在使用X射线衍射法对该溅射靶部件进行分析得到的X射线衍射图谱中，在满足25.6°≤2...

本发明提供一种能够抑制微粒的产生的磁记录层用溅射靶部件。该磁记录层用溅射靶部件，含有：10～70mol％的Co，5～30mol％的Pt，1.5～10mol％的碳化物，并且，合计含有0～30mol％的从碳、氧化物、氮化物以及碳氮化物中选择...

本发明提供一种在热处理后也保持高强度的具有耐热性的二次电池用轧制铜箔。所述二次电池用轧制铜箔，含有0.05～0.15重量％的Zr、0.05重量％以下的氧，余量由Cu以及不可避免的杂质构成，350℃×3小时的热处理后的轧制平行方向上的抗拉...

本发明提供一种抑制溅射时的电弧、微粒増加等，并且相对密度高的IGZO溅射靶。该IGZO溅射靶含有铟(In)、钙(Ga)、锌(Zn)、锆(Zr)及氧(O)，余量由不可避免的杂质组成，含有小于20质量ppm的Zr，相对密度为95％以上。

本发明提供一种锂离子电池用正极活性物质，其由下述式(1)所示的组成表示，在基于FE－EPMA的50μm×50μm的视野中的正极活性物质粒子的WDX映射分析中，在正极活性物质粒子的表面附着有M的氧化物，且M的氧化物不以未附着于正极活性物质...

本发明的课题在于提供一种纯铜或铜合金粉末，所述纯铜或铜合金粉末用于基于激光束方式的增材制造，所述纯铜或铜合金粉末能够提高激光吸收率，并且能够降低成型物内的氧浓度。一种纯铜或铜合金粉末，所述纯铜或铜合金粉末形成有氧化覆膜，其中，所述氧化覆...

本发明提供一种金属树脂复合电磁波屏蔽材料，是由N(其中，N是1以上的整数)张金属层与M张(其中，M是1以上的整数)的树脂层夹着粘合剂层进行层叠而成者，关于各粘合剂层中的、最接近所述金属树脂复合电磁波屏蔽材料的外表面的粘合剂层，当从树脂层...

本发明涉及一种铜粉，其包含铜粒子，所述铜粉的振实密度为1.30g/cm<supgt;3</supgt;～2.96g/cm<supgt;3</supgt;，在铜粒子的体积基准的粒径直方图中累积频率成为50％时的50...

本发明的课题在于提供一种适合于形成低载流子浓度且高迁移率的半导体膜的溅射靶。一种溅射靶，所述溅射靶含有锌(Zn)、锡(Sn)、镓(Ga)和氧(O)，其中，所述溅射靶含有以Ga/(Zn+Sn+Ga)的原子比计0.15以上且0.50以下的G...

一种表面处理铜箔，其具有铜箔及形成于上述铜箔的至少一面的表面处理层。表面处理层以下述式(1)表示的Spk的变化量为0.02～0.24μm。Spk的变化量＝P2

本发明提供一种能够抑制溅射靶的破裂，且Al含量高的Cu－Al二元合金溅射靶及其制造方法。该溅射靶由含有Cu以及Al的二元合金、且余量由不可避免的杂质组成的烧结体构成，Cu和Al的含量(at％)满足0.48≤Al/(Cu+Al)≤0.70...

本发明涉及一种表面处理铜箔，其具有铜箔及形成于上述铜箔的至少一面的表面处理层。表面处理层以下述式(1)表示的Vmp的变化量为0.0010～0.0110μm3/μm2。Vmp的变化量＝P2－P1

一种表面处理铜箔，其具有铜箔及形成于上述铜箔的至少一面的表面处理层。表面处理层以下述式(1)表示的Sk的变化率为23.0～45.0％。Sk的变化率＝(P2－P1)/P2

本发明涉及铜箔、层叠体以及柔性印刷线路板。本发明提供一种作为高频率电路用铜箔具有优良的电导率的铜箔。该铜箔的至少一个表面的展开界面面积率(sdr)为0.0030以下。展开界面面积率(sdr)为0.0030以下。展开界面面积率(sdr)为...

本发明提供一种作为高频率电路用铜箔传输损耗少的铜箔。该铜箔的至少一个表面的二次平均平方根倾斜度(Sdq)为0.120以下。平均平方根倾斜度(Sdq)为0.120以下。平均平方根倾斜度(Sdq)为0.120以下。

一种表面处理铜箔，其具有铜箔及形成于上述铜箔的至少一面的表面处理层。表面处理层以下述式(1)表示的Vmc的变化率为23.00～40.00％。Vmc的变化率＝(P2

一种表面处理铜箔，其具有铜箔及形成于上述铜箔的至少一面的表面处理层。表面处理层以下述式(1)表示的Sk的变化量为0.180～0.600μm。Sk的变化量＝P2