提供一种经FPC化时具有比以往更高的弯曲性的压延铜箔。一种压延铜箔，含有99.9质量％以上的Cu，余量由不可避免的杂质构成，表面的S取向{123}＜634＞的取向分布密度为21.50以上。

提供一种在经FPC化时具有比以往更高的弯曲性的压延铜箔。压延铜箔含有99.9质量％以上的Cu，余量由不可避免的杂质构成，在以260℃的干燥器的器内温度、30分钟的加热保持时间进行了热处理时测定的Cube面积率为94.0％以上。

本发明提供了一种在经FPC化时具有比以往更高的弯曲性的压延铜箔。该压延铜箔含有99.9质量％以上的Cu，剩余部分由不可避免的杂质构成，并且在经以260℃的干燥器的器内温度、30分钟的加热保持时间进行热处理时，在任意1点以及沿压延垂直方向...

一种铜粉，其中，碳含量C(质量％)与BET比表面积(m2/g)之比(C/SSA)为0.07以下，在利用X射线光电子能谱法得到的C1s光谱中，在288eV～289.2eV的范围具有峰顶的峰的面积A2与在284eV～285eV的范围具有峰顶...

提供一种当经由利用层压法制造CCL进行了FPC化时具有比以往更高的弯曲性的压延铜箔。该压延铜箔，含有99.9质量％以上的Cu，余量由不可避免的杂质构成，在以370℃的加热保持温度、1秒钟的加热保持时间进行了热处理时，测定任意1点以及沿压...

本发明提供一种溅射靶及其制造方法，该溅射靶是靶部和背衬板部均包含铜和不可避免的杂质的一体型溅射靶，该溅射靶的维氏硬度Hv为90以上，并且与溅射面正交的截面的晶粒的扁平率为0.35以上且0.65以下。

本发明提供一种具有高的成型加工性的金属树脂复合电磁波屏蔽材料。该金属树脂复合电磁波屏蔽材料，是由N(其中，N为1以上的整数)张金属层和M(其中，M为1以上的整数)张树脂层进行层叠得到的金属树脂复合电磁波屏蔽材料，其特征在于，VFL(Va...

本发明提供一种能够维持磁记录介质的磁性层中的高矫顽力，同时能够提高磁性粒子间的磁分离性的溅射靶。该溅射靶，含有Co以及Pt作为金属成分，含有NbO<subgt;2</subgt;作为金属氧化物成分。或者，该溅射靶，含有Co以...

本发明能够提供一种能够良好地抑制作为电磁波屏蔽材料使用时(特别在弯曲时)的裂纹等的电磁波屏蔽材料。该电磁波屏蔽材料具有至少一层非磁性导电金属层和至少一层强磁性层进行层叠而成的层叠体，其中，层叠体的至少一侧的最外层是非磁性导电金属层，当使...

本发明提供一种滑动弯曲耐折性高的铜箔、以及使用其的覆铜叠层板及柔性印刷线路板。本发明是一种立方体取向{001}<100>的面积率为92％以上的铜箔、以及使用其的覆铜叠层板及柔性印刷线路板。

本发明涉及溅镀靶、积层膜的制造方法、积层膜及磁记录媒体。具体为，溅镀靶含有Co及Pt作为金属成分，Pt的含量相对于Co的含量的摩尔比为5/100～45/100，且含有Nb2O5作为金属氧化物成分。

本发明提供一种电路直线性良好，适合于微细电路的柔性印刷基板用铜箔、使用其的覆铜积层体、柔性印刷基板及电子机器。解决方案：一种柔性印刷基板用铜箔，其是含有99.96质量％以上的Cu，其余部分由不可避免的杂质构成的轧制铜箔，进行300℃×3...

课题：提供一种电路直线性良好且适合于微细电路的柔性印刷基板用铜箔、使用其的覆铜层压体、柔性印刷基板及电子器件。解决手段：一种柔性印刷基板用铜箔，其是含有99.96质量％以上的Cu，其余部分由不可避免的杂质构成的压延铜箔，进行300℃×3...

本发明涉及铜合金、伸铜品及电子机器零件。具体地，本发明提供一种光泽度高且焊接性良好的铜合金以及使用其的伸铜品及电子机器零件。本发明的铜合金为含有合计0.5～5.0质量％的Ni及Co中的1种以上，0.1～1.2质量％的Si，其余部分由铜及...

本发明的课题在于提供一种MoSi<subgt;2</subgt;加热器，所述MoSi<subgt;2</subgt;加热器能够防止形成于电极部上的金属膜的剥离，能够实现加热器的长寿命化。一种MoSi<sub...

一种高纯度电沉积铜包括铜和不可避免杂质，其中纯度为至少6N，作为杂质含有的Ag的含量为0.2ppm或更少，所含有粒径为0.5‑20μm的非金属夹杂物的量为20000个/g或更少，电沉积截面的平均粒径处于40～400μm的范围内，电沉积截...

本公开的课题在于提供一种低载流子浓度且高载流子迁移率的氧化物膜和适合于形成该氧化物膜的氧化物溅射靶。一种氧化物膜，其特征在于，所述氧化物膜含有锌(Zn)、锡(Sn)、铝(Al)和氧(O)，并且满足下式(1)～(3)：(1)3×Sn/Zn...

本发明的课题为提供一种强度高且抑制切割时产生毛边的带状铜合金材。本发明的带状铜合金材由超过0.1质量％的Si、Ni，以及余量铜及不可避免的杂质所构成，且通过规定的方法所测得的0.2％保证应力为550MPa以上，且通过规定的方法所测得的于...

本申请提供一种可得到在整个靶寿命中波动小的成膜速度的钨溅射靶以及钨溅射靶的制造方法。在钨溅射靶中，通过利用电子背散射衍射法的反极投影对垂直于溅射面的剖面进行分析，{100}、{110}以及{111}面取向的晶粒的面积比例对于任一个取向面...

本发明提供一种电子材料用铜合金，其中，Ni的量为1.0质量％以下，含有0.5～2.5质量％的Co，以按质量比例计(Ni+Co)/Si为3～5的方式含有Si，余量由铜以及不可避免的杂质组成，在轧制垂直方向上伸长且板厚减少的平面应变下的平均...