一种表面处理铜箔，其具有铜箔及形成于上述铜箔的至少一面的表面处理层。表面处理层以下述式(1)表示的Spk的变化量为0.02～0.24μm。Spk的变化量＝P2

本发明提供一种能够抑制溅射靶的破裂，且Al含量高的Cu－Al二元合金溅射靶及其制造方法。该溅射靶由含有Cu以及Al的二元合金、且余量由不可避免的杂质组成的烧结体构成，Cu和Al的含量(at％)满足0.48≤Al/(Cu+Al)≤0.70...

本发明涉及一种表面处理铜箔，其具有铜箔及形成于上述铜箔的至少一面的表面处理层。表面处理层以下述式(1)表示的Vmp的变化量为0.0010～0.0110μm3/μm2。Vmp的变化量＝P2－P1

一种表面处理铜箔，其具有铜箔及形成于上述铜箔的至少一面的表面处理层。表面处理层以下述式(1)表示的Sk的变化率为23.0～45.0％。Sk的变化率＝(P2－P1)/P2

本发明涉及铜箔、层叠体以及柔性印刷线路板。本发明提供一种作为高频率电路用铜箔具有优良的电导率的铜箔。该铜箔的至少一个表面的展开界面面积率(sdr)为0.0030以下。展开界面面积率(sdr)为0.0030以下。展开界面面积率(sdr)为...

本发明提供一种作为高频率电路用铜箔传输损耗少的铜箔。该铜箔的至少一个表面的二次平均平方根倾斜度(Sdq)为0.120以下。平均平方根倾斜度(Sdq)为0.120以下。平均平方根倾斜度(Sdq)为0.120以下。

一种表面处理铜箔，其具有铜箔及形成于上述铜箔的至少一面的表面处理层。表面处理层以下述式(1)表示的Vmc的变化率为23.00～40.00％。Vmc的变化率＝(P2

一种表面处理铜箔，其具有铜箔及形成于上述铜箔的至少一面的表面处理层。表面处理层以下述式(1)表示的Sk的变化量为0.180～0.600μm。Sk的变化量＝P2

本发明的目的在于提供一种表面处理铜箔，其能够减少自基板的剥离并形成细间距化的电路图案。本发明的表面处理铜箔(1)具有铜箔(2)、形成于上述铜箔(2)的一面的第1表面处理层(3)及形成于上述铜箔(2)的另一面的第2表面处理层(4)；上述第...

本发明提供一种作为金属层与绝缘层的层叠体的电磁波屏蔽材料，能够提高电磁波屏蔽效果，并且能够抑制成型加工引起的金属层产生破裂的电磁波屏蔽材料。所述电磁波屏蔽材料，是将N(其中，N为1以上的整数)张的屏蔽用金属层与N+1张的绝缘层，夹着粘合...

本发明提供一种抑制了凹形缺陷的产生的磷化铟基板、半导体外延晶片、磷化铟单晶锭的制造方法以及磷化铟基板的制造方法。一种磷化铟基板，其直径为100mm以下，在对至少一个表面利用S偏振光照射波长405nm的激光进行检查时，在表面，利用形貌通道...

一种溅射靶，其是由包括靶材和基材的多个构成构件构成的溅射靶，所述多个构成构件包括彼此层叠的第一构成构件和第二构成构件，所述第一构成构件含有Al，并且所述第二构成构件含有Cu，所述第一构成构件和所述第二构成构件中的至少一方含有Mg，所述溅...

本发明提供一种能抑制磷化铟基板因边缘部的凹凸、加工损伤导致的破裂的磷化铟基板、磷化铟基板的制造方法以及半导体外延晶片。一种磷化铟基板，其中，关于基板的边缘部的表面粗糙度，在边缘部表面整体通过激光显微镜测定出的最大高度Sz为2.1μm以下...

本发明降低了含有氮化硅(Si3N4)的溅射靶的比电阻。该溅射靶含有Si3N4、SiC、MgO、和TiCN，且比电阻为10mΩ

本发明提供一种磷化铟基板，其在晶片表面的镜面研磨后，能良好地抑制将用于研磨的板从晶片背面侧剥离时碎屑的产生。一种磷化铟基板，在晶片中取与主面平行的平面A时，包含晶片边缘与平面A的交线且与晶片边缘相切的平面B与平面A的向晶片外侧方向延长的...

本发明提供一种磷化铟基板、磷化铟基板的制造方法以及半导体外延片，所述磷化铟基板能抑制因边缘部的残留物引起的磷化铟基板表面的污染的产生。一种磷化铟基板，其中，关于基板的边缘部的表面粗糙度，在边缘部的整个表面，利用激光显微镜测定出的均方根高...

本发明提供一种良好地抑制了晶体内的小角度晶界的产生的Mg2Si单晶体。本发明是一种Mg2Si单晶体，其通过XRD测定出的晶体取向的偏差在

本发明提供一种离子电导率良好的硫化物系固体电解质和使用了该硫化物系固体电解质的全固态锂离子电池。本发明的硫化物系固体电解质具有硫银锗矿型结构，所述硫化物系固体电解质的组成由式：Li8GeS5‑

本发明提供一种铜粉，其包含铜粒子，在利用硝酸溶解所述铜粉的所述铜粒子而得到的铜离子浓度为10g/L的溶液中，使用液体中粒子计数器测定出的粒径为1.5μm以上的颗粒数每10mL为10000个以下。10mL为10000个以下。

本发明涉及铜合金、伸铜品及电子机器零件。具体地，本发明提供一种光泽度高且焊接性良好的铜合金以及使用其的伸铜品及电子机器零件。本发明的铜合金为含有合计0.5～5.0质量％的Ni及Co中的1种以上，0.1～1.2质量％的Si，其余部分由铜及...