本申请提供一种氮化镓功率器件，包括衬底、外延层、盖帽层、源极、漏极以及钝化层，其中，源极和漏极间隔设置于外延层上；钝化层包括设置于外延层背离衬底一侧的第一钝化层，以及设置于第一钝化层背离外延层一侧的第二钝化层，其中，钝化层在对应源极和漏...

本技术涉及晶体生长技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅单晶生长装置；碳化硅单晶生长装置包括坩埚、坩埚盖和第一保温层，坩埚具有腔室，腔室包括相互连通的原料区和生长区，原料区用于盛装碳化硅原料，生长区远离原料区的一端具有开口；坩埚盖可拆卸地设...

本技术提供了一种母线电容、电机控制器和电驱总成，涉及电机控制技术领域，该母线电容，包括母线外壳、电容卷制芯包、正极连接排和负极连接排，采用环状的母线外壳构成了环形容纳槽，电容卷制芯包为一次卷绕成型的环形单体结构，并装配在环形容纳槽中，同...

本技术涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种线切设备；线切设备包括：驱动机构、切割线、喷头和磁吸机构，切割线设置于驱动机构，且由驱动机构驱动切割线沿其长度延伸方向移动；喷头的出液口与切割线相对分布，喷头用于向切割线喷淋工作液；磁吸机构邻...

本技术涉及晶体生长技术领域，具体而言，涉及一种坩埚。坩埚包括坩埚体和坩埚盖，坩埚体具有一腔室，坩埚盖设于坩埚体的一端以封闭腔室，坩埚还包括：原料筒，位于腔室内；原料筒具有靠近腔室的底壁的底部和远离腔室的底壁的顶部，原料筒的底部封闭设置且...

本技术涉及晶圆设备领域，具体而言，涉及一种载盘末端执行器组件。载盘末端执行器组件包括执行器机构、标示光源、载盘和气浮盘；所执行器机构具有第一标志线，载盘具有第二标志线；第一标志线、第二标志线均为直线段，且第二标志线的延伸方向均与气浮半月...

本发明实施例提供的一种功率半导体封装结构包括：基板，具有相背设置的第一及第二表面；芯片，设置在基板的第一表面上，芯片的背离基板的表面配置有第一电极焊盘，芯片的朝向基板的表面配置有与基板的第一表面连接的第二电极焊盘；封装体，至少包封基板的...

本发明实施例提供一种半导体器件及制作方法。所述半导体器件包括：半导体基底；电极层，设置在半导体基底的第一表面上并与半导体基底形成肖特基接触或欧姆接触；无机钝化层，设置在电极层的背离半导体基底的表面上、并延伸至半导体基底的第一表面的未被电...

本技术涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种坩埚盖和碳化硅单晶生长装置；坩埚盖包括中间部和边缘部，中间部用于安装籽晶，边缘部呈环状、且环绕中间部设置，边缘部的内环侧壁与中间部的周向侧壁连接；其中，边缘部还具有与内环侧壁相背设置的外环侧壁...

本申请公开了坩埚组件及碳化硅粉料制造装置，其中，坩埚组件包括坩埚和罩体，坩埚包括坩埚体和坩埚盖，坩埚体具有一腔室，坩埚体的顶端设有与腔室连通的腔室开口，坩埚盖可拆卸连接于坩埚体的顶端，用于封堵或开启腔室开口；其中，坩埚体的外壁形成有环形...

本技术涉及金刚石长晶技术领域，具体而言，涉及一种生长腔体组件。生长腔体组件包括腔体；刻度标尺，刻度标尺包括多个设置在腔体内壁上的刻度单元，多个刻度单元沿腔体的高度方向依次布置。如此能够快速高效地测量金刚石生长厚度，调节生长参数，从而便于...

本申请提供的功率器件，在边缘终端区内，半导体外延片包括沿底部到顶部方向交替层叠设置的多个第一外延层以及多个第二外延层；第二外延层包括第一掺杂区和第二掺杂区；第一掺杂区环绕有源区一周形成第一环状结构；第一外延层和第一掺杂区为第一导电类型，...

本申请提供的功率器件，在有源区内，半导体外延片包括沿底部到顶部方向交替层叠设置的多个第一外延层以及多个第二外延层；第二外延层包括多个第一掺杂区和多个第二掺杂区；第一外延层和第一掺杂区为第一导电类型，第二掺杂区为第二导电类型；以此，在器件...

一种MOSFET器件，涉及半导体技术领域，包括：宽带隙外延片，所述宽带隙外延片包括宽带隙衬底和设置于所述宽带隙衬底上的宽带隙漂移层；阱区，位于所述宽带隙外延片内；重掺杂区，位于所述阱区内；JFET注入区，位于所述宽带隙外延片内，且与所述...

本申请提供一种半导体器件，包括：半导体外延片包括有源区和围绕有源区的边缘终端区；若干源区设于有源区；第一导电层的栅极电极层设置在有源区，与栅极电极层连接的栅极总线层设置在边缘终端区；层间介质层覆盖第一导电层；第二导电层设于层间介质层远离...

本申请提供的半导体器件，包括半导体外延片、若干半导体元胞和栅极总线，半导体外延片包括有源区和围绕有源区外的边缘终端区；若干半导体元胞设置在有源区，且半导体元胞从有源区延伸至有源区的边缘；栅极总线设置在边缘终端区上，且栅极总线围绕有源区，...

本公开涉及一种半导体外延结构、HEMT器件和半导体外延结构的制备方法，包括：衬底；设置在衬底上的化合物半导体复合结构，该化合物半导体复合结构包括第一半导体层以及设置在第一半导体层上的第二半导体层，且第一半导体层和第二半导体层形成具有二维...

本发明实施例提供一种功率器件，例如包括：半导体基底、接触金属层、正面金属层、钝化层和保护层。半导体基底具有有源区和围绕有源区的外围区域。接触金属层设置在有源区上以与半导体基底形成电接触、并从有源区朝向外围区域延伸。正面金属层设置在接触金...

本申请提供的半导体器件的制备方法及其半导体器件，通过在第二掺杂区的上方形成离子掺杂浓度大于第二掺杂区的离子掺杂浓度的第三掺杂区，以形成深注入轻掺杂的第二掺杂区以及浅注入重掺杂的第三掺杂区，以及通过在第四掺杂区的上方形成离子掺杂浓度大于第...

本申请公开了一种参数整定方法、整流电路、装置、设备及存储介质，其中，方法包括：在并联RC吸收电路前，获取整流二极管正常反向恢复波形所对应的振荡频率和恢复期初始电流；依据预设的结电容值和振荡频率确定杂散电感；在并联RC吸收电路时，确定整流...