本申请公开了一种碳化硅复合籽晶及晶体生长装置，该碳化硅复合籽晶包括中间部和边缘部。边缘部连接于中间部的周向侧壁上，且沿中间部的周向环绕中间部设置；其中，中间部设置为偏轴籽晶，边缘部至少部分设置为正轴籽晶。上述，小平面区域为偏轴籽晶，籽晶...

本申请涉及电动汽车技术领域，尤其涉及一种功率模块冷却装置及驱动控制设备，功率模块冷却装置包括散热板，其散热面上设有散热针翅；包括冷却液流道和隔板的流道组件，冷却液流道的相对两侧分别设有进液口和出液口，隔板设置于冷却液流道内以将冷却液流道...

本发明提供了一种功率器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，该功率器件包括衬底、半导体外延层、第一掺杂区、第二掺杂区、栅氧化层、耐压注入层、耐压氧化层和栅电极，第一掺杂区和第二掺杂区设置在半导体外延层中，且之间形成有沟槽；栅氧化层设置在沟...

本发明提供了一种功率器件和功率器件的制备方法，涉及功率器件技术领域，该功率器件包括衬底、半导体复合层、钝化层、源极、漏极、栅极、半导体块和多个半导体岛，半导体复合层和钝化层依次设置在衬底上；源极和漏极与半导体复合层形成欧姆接触；栅极设置...

本申请提供的碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件中，包括，在半导体元胞的沟道区上形成层叠设置的张应力材料层和压应力材料层，其中，张应力材料层位于压应力材料层与半导体外延片之间；且张应力材料层的应力值大于压应力材料层的应力值；对形成...

本申请公开了一种GaN‑HEMT器件及其制备方法，GaN‑HEMT器件包括：衬底；产生有二维电子气的化合物半导体复合层，设置在衬底上；电极结构，包括：源极结构、栅极结构和漏极结构，设置在化合物半导体复合层上，栅极结构位于源极结构与漏极结...

本申请提供的半导体器件的制备方法及其半导体器件，包括：提供一碳化硅外延片；在碳化硅外延片的表面形成欧姆接触金属层；其中，欧姆接触金属层包括欧姆接触层、金属缓冲层以及金属导电层，欧姆接触层设置于碳化硅外延片上，金属缓冲层设置于欧姆接触层上...

本技术公开了一种用于物理气相沉积中的真空控制系统，包括：反应腔；冷泵，用于对反应腔进行抽高真空处理；真空阀，真空阀连接有第一压缩干燥空气CDA气管通道以及第二CDA气管通道，其中CDA气体从第一CDA气管通道或第二CDA气管通道进入真空...

本技术提供了一种电机控制器、电机、电驱总成和电动车，涉及电机技术领域，该电机控制器包括第一壳体、电控散热件和电控组件，第一壳体的一端设置有进管接头，第一壳体的另一端设置有汇流槽，并用于接合于电机端盖，以形成一汇流腔，汇流腔用于与开设在端...

本申请公开了一种挡板组件、拉力测试装置及金属线焊接设备，该挡板组件应用于拉力测试装置，包括中间挡板、第一侧挡板与第二侧挡板。中间挡板、第一侧挡板和第二侧挡板均用于设置在承托机构的上方并与承托机构间隔设置，以在拉力测试过程中分别限制引线框...

本申请提供一种半导体器件及其制备方法；该半导体器件包括半导体外延层，半导体外延层上设置有多个半导体单元；半导体单元包括彼此相邻的四个元胞，每个元胞均包括第一掺杂区、第二掺杂区和第三掺杂区；其中，第一掺杂区包括主体区和多个副体区；主体区具...

本申请提供一种移动装置及蚀刻设备，该移动装置用于移动坩埚；坩埚包括坩埚体和坩埚盖，坩埚体的外侧壁上设有沿坩埚体的周向间隔分布的多个第一吊环，坩埚盖背向坩埚体底壁的外表面上间隔设置有多个第二吊环；移动装置包括吊装组件和移动组件；其中，吊装...

本申请公开了一种籽晶及其制作方法、长晶工艺的多型率测试方法。该籽晶包括多个拼接籽晶片，至少两个拼接籽晶片符合特定条件，特定条件为：拼接籽晶片与穿过拼接籽晶片的特定线有且只有两个交点；特定线平行于[11‑20]方向，上述特征使籽晶作为衬底...

本申请公开抛光头和抛光装置，其中，抛光头包括抛光头本体和多个处理件，多个处理件沿抛光头本体的周向间隔分布于抛光头本体的周侧，每个处理件均固定于抛光头本体上；多个处理件用于在抛光头本体进行抛光时接触抛光垫，以清理抛光垫上的残留物和/或修整...

本技术提供了一种半导体器件及肖特基二极管，涉及半导体技术领域，该半导体结构包括衬底；外延层，设置在衬底上；金属电极层，设置在外延层上，金属电极层包括背离外延层的第一表面，与外延层相接的第二表面以及连接第一表面和第二表面的侧壁；第一钝化层...

本技术涉及半导体技术领域，涉及一种测温仪支架和测温设备；测温仪支架包括第一调节装置和第二调节装置，第一调节装置与第二调节装置与传动连接、用于调节第二调节装置的上下位置；第二调节装置包括第一调节机构和第二调节机构，第一调节机构包括第一底座...

本技术提供一种用于外延生长装置的晶圆载具及外延生长装置，该晶圆载具包括：底座，其具有中心槽；载盘，其设在底座的中心槽内，且用于承载晶圆；座盖，其设在底座上，且具有能够容纳晶圆的中心孔。在底座的中心槽的槽侧壁上设有用于抵接载盘靠近座盖的表...

本申请提供了一种氮化镓功率器件的制备方法、氮化镓功率器件；该制备方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底中的第二半导体层的上表面形成间隔设置的盖帽层、源极和漏极；在第二半导体层的上表面形成第一介质层；在第一介质层的上表面形成第二介质层，其...

本申请提供一种晶体生长装置。晶体生长装置包括第一腔室、第二腔室以及挡流组件，第一腔室用于设置籽晶及晶体生长；第二腔室用于容纳晶体生长原料，第二腔室具有相对设置的第一端和第二端，第二腔室的第一端与第一腔室连通；挡流组件包括设置在第二腔室内...

本发明提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括外延层、P型离子注入层、N型离子注入层、栅极结构和源极结构，在外延层中形成P型离子注入层，该P型离子注入层局部刻蚀形成有沟槽，且沟槽的侧壁区域形成了帽...