本技术涉及晶体生长技术领域，具体而言，涉及一种坩埚。坩埚包括坩埚体和坩埚盖，坩埚体具有一腔室，坩埚盖设于坩埚体的一端以封闭腔室，坩埚还包括：原料筒，位于腔室内；原料筒具有靠近腔室的底壁的底部和远离腔室的底壁的顶部，原料筒的底部封闭设置且...

本技术涉及晶圆设备领域，具体而言，涉及一种载盘末端执行器组件。载盘末端执行器组件包括执行器机构、标示光源、载盘和气浮盘；所执行器机构具有第一标志线，载盘具有第二标志线；第一标志线、第二标志线均为直线段，且第二标志线的延伸方向均与气浮半月...

本发明实施例提供的一种功率半导体封装结构包括：基板，具有相背设置的第一及第二表面；芯片，设置在基板的第一表面上，芯片的背离基板的表面配置有第一电极焊盘，芯片的朝向基板的表面配置有与基板的第一表面连接的第二电极焊盘；封装体，至少包封基板的...

本发明实施例提供一种半导体器件及制作方法。所述半导体器件包括：半导体基底；电极层，设置在半导体基底的第一表面上并与半导体基底形成肖特基接触或欧姆接触；无机钝化层，设置在电极层的背离半导体基底的表面上、并延伸至半导体基底的第一表面的未被电...

本技术涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种坩埚盖和碳化硅单晶生长装置；坩埚盖包括中间部和边缘部，中间部用于安装籽晶，边缘部呈环状、且环绕中间部设置，边缘部的内环侧壁与中间部的周向侧壁连接；其中，边缘部还具有与内环侧壁相背设置的外环侧壁...

本申请公开了坩埚组件及碳化硅粉料制造装置，其中，坩埚组件包括坩埚和罩体，坩埚包括坩埚体和坩埚盖，坩埚体具有一腔室，坩埚体的顶端设有与腔室连通的腔室开口，坩埚盖可拆卸连接于坩埚体的顶端，用于封堵或开启腔室开口；其中，坩埚体的外壁形成有环形...

本技术涉及金刚石长晶技术领域，具体而言，涉及一种生长腔体组件。生长腔体组件包括腔体；刻度标尺，刻度标尺包括多个设置在腔体内壁上的刻度单元，多个刻度单元沿腔体的高度方向依次布置。如此能够快速高效地测量金刚石生长厚度，调节生长参数，从而便于...

本申请提供的功率器件，在边缘终端区内，半导体外延片包括沿底部到顶部方向交替层叠设置的多个第一外延层以及多个第二外延层；第二外延层包括第一掺杂区和第二掺杂区；第一掺杂区环绕有源区一周形成第一环状结构；第一外延层和第一掺杂区为第一导电类型，...

本申请提供的功率器件，在有源区内，半导体外延片包括沿底部到顶部方向交替层叠设置的多个第一外延层以及多个第二外延层；第二外延层包括多个第一掺杂区和多个第二掺杂区；第一外延层和第一掺杂区为第一导电类型，第二掺杂区为第二导电类型；以此，在器件...

一种MOSFET器件，涉及半导体技术领域，包括：宽带隙外延片，所述宽带隙外延片包括宽带隙衬底和设置于所述宽带隙衬底上的宽带隙漂移层；阱区，位于所述宽带隙外延片内；重掺杂区，位于所述阱区内；JFET注入区，位于所述宽带隙外延片内，且与所述...

本申请提供一种半导体器件，包括：半导体外延片包括有源区和围绕有源区的边缘终端区；若干源区设于有源区；第一导电层的栅极电极层设置在有源区，与栅极电极层连接的栅极总线层设置在边缘终端区；层间介质层覆盖第一导电层；第二导电层设于层间介质层远离...

本申请提供的半导体器件，包括半导体外延片、若干半导体元胞和栅极总线，半导体外延片包括有源区和围绕有源区外的边缘终端区；若干半导体元胞设置在有源区，且半导体元胞从有源区延伸至有源区的边缘；栅极总线设置在边缘终端区上，且栅极总线围绕有源区，...

本公开涉及一种半导体外延结构、HEMT器件和半导体外延结构的制备方法，包括：衬底；设置在衬底上的化合物半导体复合结构，该化合物半导体复合结构包括第一半导体层以及设置在第一半导体层上的第二半导体层，且第一半导体层和第二半导体层形成具有二维...

本发明实施例提供一种功率器件，例如包括：半导体基底、接触金属层、正面金属层、钝化层和保护层。半导体基底具有有源区和围绕有源区的外围区域。接触金属层设置在有源区上以与半导体基底形成电接触、并从有源区朝向外围区域延伸。正面金属层设置在接触金...

本申请提供的半导体器件的制备方法及其半导体器件，通过在第二掺杂区的上方形成离子掺杂浓度大于第二掺杂区的离子掺杂浓度的第三掺杂区，以形成深注入轻掺杂的第二掺杂区以及浅注入重掺杂的第三掺杂区，以及通过在第四掺杂区的上方形成离子掺杂浓度大于第...

本申请公开了一种参数整定方法、整流电路、装置、设备及存储介质，其中，方法包括：在并联RC吸收电路前，获取整流二极管正常反向恢复波形所对应的振荡频率和恢复期初始电流；依据预设的结电容值和振荡频率确定杂散电感；在并联RC吸收电路时，确定整流...

本发明提供一种功率器件，例如包括：半导体基底，具有有源区和位于有源区外侧的外围区域；场氧层，设置在半导体基底上并暴露出有源区；电极层，设置在有源区并与半导体基底形成电接触、且从有源区朝向外围区域延伸至场氧层的背离半导体基底的一侧以与场氧...

本申请公开了一种碳化硅复合籽晶及晶体生长装置，该碳化硅复合籽晶包括中间部和边缘部。边缘部连接于中间部的周向侧壁上，且沿中间部的周向环绕中间部设置；其中，中间部设置为偏轴籽晶，边缘部至少部分设置为正轴籽晶。上述，小平面区域为偏轴籽晶，籽晶...

本申请涉及电动汽车技术领域，尤其涉及一种功率模块冷却装置及驱动控制设备，功率模块冷却装置包括散热板，其散热面上设有散热针翅；包括冷却液流道和隔板的流道组件，冷却液流道的相对两侧分别设有进液口和出液口，隔板设置于冷却液流道内以将冷却液流道...

本发明提供了一种功率器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，该功率器件包括衬底、半导体外延层、第一掺杂区、第二掺杂区、栅氧化层、耐压注入层、耐压氧化层和栅电极，第一掺杂区和第二掺杂区设置在半导体外延层中，且之间形成有沟槽；栅氧化层设置在沟...