本发明涉及半导体设备技术领域，具体而言，涉及一种过滤装置和半导体研磨设备；过滤装置包括箱体、缓冲机构和沉淀机构，箱体设置有箱体入口、箱体出口、缓冲腔和沉淀腔；箱体入口与缓冲腔连通，箱体出口与沉淀腔连通，且缓冲腔和沉淀腔连通；缓冲机构设置...

本披露公开了一种用于承载外延片的复合式载盘及C/C‑SiC复合材料的制备方法。所述用于承载外延片的复合式载盘包括石墨底座、外遮挡环和内遮挡环。所述石墨底座包括设置于石墨底座顶部的第一环形凸起；所述外遮挡环环形套设于所述石墨底座上的所述第...

本公开涉及一种半导体外延结构及其制备方法，该半导体外延结构包括：衬底；设置在衬底上含铝氮硅原子键的薄层；设置在薄层上均匀的铝层；设置在铝层上的第一缓冲层。该半导体外延结构有效的减小了衬底与外延界面之间的失配、以及缺陷问题，减少了后期HE...

本申请的实施例提供了一种功率半导体模块，涉及电气元件技术领域，该功率半导体模块包括基板、DC+衬板、DC‑衬板和AC衬板，将基板进行分区，在基板的表面设置相互隔离的DC+衬板、DC‑衬板和AC衬板，通过合理布置，使得布局更加紧凑。相较于...

本发明的实施例提供了一种功率模块散热封装结构、电机控制器和电驱总成，涉及电机技术领域，该功率模块散热封装结构，包括型材散热器和多个围设在型材散热器周围的功率模块，型材散热器内设置有供冷却液流通的散热流道，散热流道贯通至型材散热器的两端，...

本发明提供了一种纵向功率半导体器件，涉及半导体技术领域，该纵向功率半导体器件包括衬底、半导体外延层、第一掺杂区、第二掺杂区、栅极结构和正面金属，在半导体外延层中设置第一掺杂区和第二掺杂区，并在第一掺杂区和第二掺杂区之间设置沟槽，将栅电极...

本技术公开了一种撕金设备，所述撕金设备包括：机架、驱动组件、压辊与调节组件，所述驱动组件与所述机架滑动连接，所述驱动组件设置于所述机架的两侧；所述压辊的两侧均转动连接在所述驱动组件上；所述调节组件连接在机架上，所述调节组件与所述驱动组件...

本发明的实施例提供了一种电机控制器、电机、电驱总成和电动车，涉及电机技术领域，该电机控制器包括第一壳体、电控散热件和电控组件，第一壳体的一端设置有进管接头，第一壳体的另一端设置有汇流槽，并用于接合于电机端盖，以形成一汇流腔，汇流腔用于与...

本技术公开了一种氮化镓晶体管的测试系统，包括驱动电路和控制电路，其中，驱动电路基于输入信号产生高压脉冲信号；控制电路与驱动电路的输出端连接，在待测晶体管耦接控制电路时，控制电路基于高压脉冲信号产生测试信号并输出至待测晶体管的漏极，进行单...

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种碳化钽涂层的制备方法和制备装置，碳化钽涂层的制备方法包括在原料堆放区域填充钽粉和硅粉，并将待镀层工件放置于沉积区且置于隔板上；使用加热机构将硅粉和钽粉加热，以生成气态的碳化硅和气态的硅化钽，并...

本技术公开了一种晶体生长装置，包括：坩埚；以及置料组件，置料组件包括底座、筒状侧板和分隔滤网，底座位于坩埚内且置于坩埚的底部，底座与坩埚的底部贴合，筒状侧板位于坩埚内并与坩埚的侧壁贴合，筒状侧板环绕底座设置，以使筒状侧板与底座之间形成用...

本发明公开了一种晶体生长装置，包括：坩埚；提拉装置，沿所述坩埚的轴线方向可移动的贯穿于所述坩埚的顶部；以及生长模具，包括变径段，所述变径段包括位于所述坩埚内且沿所述坩埚的轴线方向相邻设置的第一缩径段和第一扩径段，所述第一缩径段和第一扩径...

本申请提供一种碳化硅半导体外延片及其制造方法、碳化硅半导体器件，包括：衬底和外延层，外延层包括缓冲层和设置在缓冲层上的第一漂移层；第一漂移层包括沿衬底到缓冲层方向叠设的多个半导体叠层，每个半导体叠层均包括一个第一单元和一个叠设在第一单元...

本申请公开了一种碳化硅晶体生长设备及生长方法，其中，提供一种碳化硅晶体生长设备，包括坩埚、气体混合装置和气化装置；其中，坩埚具有一腔室，该腔室用于放置原料和安装籽晶；气体混合装置通过第一管路与腔室连通，且第一管路上设有第一气路阀，气化装...

本技术涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种钢线清洁装置和切割机。钢线清洁装置包括吹扫方向一致且沿吹扫方向依次间隔设置的至少两个环形风刀；沿吹扫方向，任意相邻的两个环形风刀中的前一个环形风刀吹扫出来的气流至少部分进入后一个环形风刀的中心...

本申请公开了一种碳化硅器件的短路保护系统、短路保护方法，该短路保护系统包括逻辑处理电路和第一数据处理电路；其中，逻辑处理电路被配置为向碳化硅器件发送电压信号，以使碳化硅器件的栅极上电；第一数据处理电路被配置为采集碳化硅器件的门极电压，并...

本发明提供了一种碳化硅晶体生长装置，涉及碳化硅生长技术领域，该碳化硅晶体生长装置，包括外坩埚、支撑体、内坩埚和多个移动部件，在实际长晶时，随着长晶过程的进行，在高温和原料产生的气体的共同作用下，支撑体会发生改性而软化，此时内坩埚在自身重...

本申请公开了一种半导体制程设备。半导体制程设备包括：基台，至少一冷却子结构和至少一边缘冷却机构。基台包括主体和至少一承载部，其中，基台的至少一承载部用以放置半导体籽晶；至少一冷却子结构设置在基台的主体内，至少一边缘冷却机构设置在对应至少...

本申请公开了一种碳化硅籽晶及其制备方法、碳化硅晶体生长方法，其中碳化硅籽晶包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面为多孔结构。通过将碳化硅籽晶的第一表面设有多孔结构，多孔结构能够作为缓冲层吸收碳化硅籽晶与坩埚盖之间因热膨胀系数而导致的...

本申请公开了一种SiC晶体的剥离方法。该方法包括提供SiC晶体，SiC晶体在距SiC晶体的第一端面的第一距离处有一改质层；采用电解的方法使SiC晶体中靠近所述第一端面的第一部分沿改质层从SiC晶体剥离，其中电解的方法采用的是碱性电解液，...