本发明提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括外延层、P型离子注入层、N型离子注入层、栅极结构和源极结构，在外延层中形成P型离子注入层，该P型离子注入层局部刻蚀形成有沟槽，且沟槽的侧壁区域形成了帽...

本申请提供一种半导体器件，包括衬底、半导体外延层以及第一掺杂区。其中，半导体外延层包括有源区和围绕有源区外的边缘终端区；第一掺杂区设置在边缘终端区内且从边缘终端区表面向衬底的第一方向延伸；其中，第一掺杂区具有从第一掺杂区表面向第一方向延...

本申请提供一种半导体器件，包括衬底、半导体外延层以及终端掺杂结构。其中，终端掺杂结构设置于半导体外延层的边缘终端区内，且终端掺杂结构包括围绕有源区外的主结结构，以及设置于主结结构相对的第一侧和第二侧的若干叉状结构；其中，相邻两个叉状结构...

本发明公开了一种功率半导体器件，包括：衬底；设置在衬底上的半导体层，设置在半导体上的源接触区、栅电极、第一介电层，以及依次层叠的第一金属层、第二介电层、第二金属层；第一金属层通过第一介电层中的第一导电件与源接触区电耦合；第二金属层通过第...

本申请提供一种半导体器件，包括衬底、半导体外延层、第一掺杂去以及第二掺杂区。其中，半导体外延层包括有源区，围绕有源区外的边缘终端区；边缘终端区包括围绕有源区外的过渡区和围绕过渡区之外的终端区；第一掺杂区设置在过渡区内，且从过渡区表面向衬...

本技术涉及碳化硅晶体制备技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅晶体生长装置，其包括坩埚、导流罩和分隔组件，坩埚具有一腔室，腔室被配置为相互连通的原料容置区和晶体生长区；导流罩设置于晶体生长区，导流罩具有靠近并朝向原料容置区设置的第一端以及远...

本申请提供一种推拉力测试固定治具。该推拉力测试固定治具包括：基座，所述基座的表面设有用于容置待测件的凹槽；安装于所述基座上的多个压紧组件，用于在所述凹槽的深度方向上压紧所述待测件的不同位置，每一所述压紧组件均可沿所述凹槽的长度方向、宽度...

本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅晶体生长装置和生长方法，该生长装置包括坩埚和保温机构，该坩埚具有一腔室，腔室被配置为具有相互连通的晶体生长区和原料堆放区，原料堆放区位于晶体生长区和坩埚的底壁之间；保温机构套设于坩埚的外...

本申请提供一种半导体封装结构，包括塑封体、芯片、基板、第一引脚以及第二引脚，具体的，芯片设置于基板的第一表面，芯片的背面设置有第一焊盘，芯片的正面设置有第二焊盘；且芯片通过第一焊盘与基板电连接，第二引脚的一端通过金属夹与第二焊盘连接；其...

本申请提供一种封装半导体结构，包括：塑封体、芯片、基板、第一引脚和第二引脚；芯片的背面设置有第一焊盘，正面设置有第二焊盘；芯片安装于基板的第一表面上，芯片和第一表面被包封在塑封体内；第一引脚的一端从塑封体的第一侧伸出并朝第一表面的朝向方...

本公开涉及一种集成器件及其制备方法，该集成器件包括：衬底；设置在衬底上并产生有二维电子气的化合物半导体复合结构；第一器件，包括第一电极、以及位于第一电极两侧的第二电极；第二器件，包括栅电极、以及位于栅电极两侧的源电极和漏电极；第一电极和...

本技术公开了一种氮化镓晶体管的测试系统，包括：多个驱动电路和多个控制电路，其中，多个驱动电路之间通过级联耦接在一起，驱动电路被配置为基于输入信号产生高压脉冲信号；每一控制电路与对应的驱动电路的输出端连接，被配置为在待测晶体管耦接控制电路...

本技术涉及晶体生长技术领域，具体而言，涉及一种过滤装置和晶体生长设备。过滤装置包括过滤管和过滤件；过滤管的第一端设有第一开口，过滤管的第二端设有第二开口，过滤管内设有过滤区，过滤区位于第一开口与第二开口之间，过滤区具有入口和出口，入口朝...

一种用于气相沉淀中的真空控制系统，包括：真空泵，反应腔，反应腔与真空泵之间设置有气体管道；设置在所述气体管道上的真空阀；电磁阀，其与真空阀之间设置有第一CDA气管通道以及第二CDA气管通道；电路开关器件和开关控制电路，开关控制电路被配置...

本公开提供了一种落料装置和半导体加工系统。本公开通过在落料装置中设置检测件对落料轨道传输的半导体的引脚进行异常检测，以及设置清扫组件，对落料轨道传输的半导体的引脚进行清扫，可以对半导体异常品质进行监控，确保半导体的异常问题可以及时呈现出...

本技术公开了一种晶片研磨装置，包括：旋转工作台、研磨组件和第一清理机构。其中，研磨组件包括驱动轴和安装于驱动轴的第一端的环状砂轮。第一清理机构安装于驱动轴的第一端，环状砂轮套设于第一清理机构的外侧，在驱动轴的驱动下，环状砂轮可运动至第一...

本申请提供一种碳化硅晶体生长装置。该碳化硅晶体生长装置包括坩埚，所述坩埚包括一腔室，所述腔室包括相互连通的晶体生长区和原料堆放区；第一加热部件，位于所述坩埚的外侧，且沿所述坩埚的周向环绕所述原料堆放区设置；含硅气体储存罐，位于所述坩埚的...

本申请提供一种半导体封装结构，包括塑封体、芯片、基板、第一引脚以及第二引脚；芯片通过第一焊盘安装于基板的第一表面；且芯片和基板的第一表面被包封在塑封体内，基板的第二表面的至少部分裸露于塑封体外；第一引脚一端与基板相连，另一端从塑封体伸出...

本申请提供一种半导体测试器件、半导体晶片以及迁移率测试方法，半导体测试器件中，第一掺杂区包括第一注入区、第二注入区和第三注入区，其中，第一注入区和第二注入区间隔设置，第三注入区设置在第一注入区和第二注入区之间，第三注入区将第一注入区和第...

本申请提供一种碳化硅半导体外延片及其制备方法、碳化硅半导体器件，碳化硅半导体外延片包括碳化硅衬底、第一碳化硅外延层以及第二碳化硅外延层。其中，第一碳化硅外延层设置于碳化硅衬底上；第二碳化硅外延层设置于第一碳化硅外延层上；其中，第一碳化硅...