本实用新型涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅单晶生长装置；碳化硅单晶生长装置包括：坩埚、籽晶板和导流筒组件，坩埚设置有容纳腔，用于盛装碳化硅原料；籽晶板用于设置籽晶；导流筒组件包括至少两个导流筒，导流筒之间可拆卸地连接；在至少...

本申请公开了一种碳化硅半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，本申请的碳化硅半导体器件，包括衬底；外延层，设置于衬底上；p型碳化硅区和n型碳化硅区，分别设置在外延层内，p型碳化硅区和n型碳化硅区均从外延层远离衬底的一侧的表面延伸至外...

本申请提供了一种晶体退火装置、晶体退火方法，晶体退火装置包括容器、支撑环和支撑盘，所述容器包括底壁以及自所述底壁边缘延伸而出的侧壁，所述底壁与所述侧壁围设形成所述容器的容置腔；支撑环和支撑盘，均设于所述容置腔内；其中，所述支撑环与所述侧...

本实用新型涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种清洗SiC粉的设备。清洗SiC粉的设备包括清洗槽、加热器、导流管路和收集槽；加热器与清洗槽连接；清洗槽用于容纳酸性清洗液和碳化硅粉；导流管路的进口设置在清洗槽上方，导流管路的出口设置在收集...

本实用新型涉及晶体生长技领域，具体而言，涉及一种烧结装置。烧结装置包括坩埚体；坩埚体形成筒状的烧结室；坩埚盖，坩埚盖盖设于坩埚体；加热器，加热器设置在坩埚体的周侧；以及多个原料载具，原料载具用于承载颗粒状碳化硅原料；沿坩埚体的高度方向，...

本实用新型涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种多联动式的吸笔装置。多联动式的吸笔装置包括吸气管路、吸笔板、活动吹嘴和吹气管路；吸笔板的表面设置有吸附槽，吸气管路与吸附槽连接，以使吸附槽能够产生吸附衬底片的吸力；活动吹嘴设置在吸笔板的端...

本实用新型提供了一种封装壳体结构和功率模块，涉及芯片封装技术领域，该封装壳体结构包括封装框架和模块盖板，模块盖板卡合设置在封装框架内侧，且封装框架的内角顶点处设置有卡扣，模块盖板上对应开设有卡槽，卡扣与卡槽相配合。相较于现有技术，本实用...

本实用新型涉及晶片生产技术领域，具体而言，涉及一种台盘结构和减薄机。台盘结构包括底盘，底盘具有真空连接孔；外壁环；至少一个调节单元，调节单元包括隔离环和调节环，隔离环设置在底盘上，隔离环具有配合通孔；真空连接孔位于隔离环中间；调节环套设...

本申请公开了一种肖特基二极管，涉及半导体器件技术领域，本申请的肖特基二极管，包括衬底以及设置于衬底上的异质结，异质结内形成有二维电子气，异质结上间隔设置有阳极电极和阴极电极，阳极电极和阴极电极之间的异质结上设置有应力调节结构，应力调节结...

本实用新型提供了一种功率半导体封装结构，涉及半导体封装技术领域，该功率半导体封装结构包括基底引线框架、芯片和塑封体，基底引线框架设置有基岛，基岛的一侧表面设置有芯片贴装区域；芯片贴装于基岛；塑封体设置在基底引线框架上，并包覆于基岛和芯片...

本实用新型提供了一种车载充电装置和器件功率测试系统，涉及充电技术领域，将功率模组安装在主板上，且功率模组内部贯通设置有散热风道，而功率分立器件设置在主板上，并通过限位压片压合在功率模组的侧壁上，通过内部设置风道的方式实现对功率模组和功率...

本发明公开了一种半导体器件及其光刻方法，涉及半导体技术领域。其中，本发明提供的半导体器件光刻方法包括：提供待光刻半导体；在介质层上涂覆负性光刻胶；对负性光刻胶进行刻蚀，露出台阶及两台阶两侧一段的介质层；刻蚀去除台阶两侧一段的介质层，保留...

本公开提供一种高电子迁移率晶体管及其制备方法。高电子迁移率晶体管包括第一半导体结构、第二半导体结构和导电石墨烯层。第一半导体结构位于栅极金属靠近衬底的一侧并与栅极金属连接。第二半导体结构位于漏极金属与第二半导体层之间并与漏极金属连接。导...

本发明公开了一种氮化镓晶体管的制备方法、氮化镓晶体管及芯片，其中，该氮化镓晶体管的制备方法包括：提供半导体基材；在半导体基材上形成多层半导体层；在半导体层上形成复合层；其中，复合层为包含氮化硅的复合结构，且在复合结构中，靠近半导体层的氮...

本申请提供的一种阈值电压的测量方法、测试设备和一种计算机可读介质，测量方法应用于场效应管，包括在每个标定周期内对场效应管进行标定，获取场效应管的反向导通压降与稳定状态阈值之间的定量对应关系；在每个测试周期内，基于定量对应关系，通过测试场...

本申请公开了半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底和半导体层。半导体层设置于衬底之上。半导体层包括有源区以及与有源区连接的终端区。半导体层在有源区形成有掺杂区，以及在终端区还形成有扩展区，掺杂区与扩展区相连。掺杂区的离子掺杂浓度大于...

本申请提供一种晶圆承载盘及其制备方法。该晶圆承载盘的制备方法包括：提供承载主体；在所述承载主体的表面形成第一缓冲层；所述第一缓冲层被配置为第一α相碳化硅；在所述第一缓冲层背离所述承载主体的一侧表面形成第二缓冲层，所述第二缓冲层被配置为第...

本公开提供了一种冲切装置，包括：底座，用于定位待切件；预压件，设有导引口，所述预压件设置于所述底座上，用于在对所述待切件冲切前进行预压，并使得所述导引口对准于所述待切件的待冲切处；冲切刀，可移动地设置于所述导引口，用于沿所述导引口对所述...

本实用新型涉及一种功率模块封装结构，其包括：衬板；框架，其固定设在衬板上，框架包括外边框，外边框用于界定安装功率芯片的区域；盖板，其盖设在框架远离衬板的一侧；第一卡扣部，其包括第一扣体，设置在盖板上的第一插孔和设置在外边框上且与第一插孔...

本申请公开了一种芯片封装结构，包括载板、第一芯片、第二芯片和封装体，载板被配置为相绝缘的第一电极部、第二电极部和第三电极部，第一电极部和第二电极部设有承载槽；第一芯片，叠置于承载槽中，第一芯片的第一电极、第二电极分别与第一电极部、第二电...