本发明公开了一种双面凸块封装芯片的封装方法，其解决了双面凸块芯片易氧化和漏电的缺陷，确保了双面凸块封装芯片的品质和工作稳定性。其特征在于：在晶圆正面作业完成后，晶圆正面与玻璃键合后反置，之后研磨晶圆背面的Si面并进行应力释放，然后在Si...

本发明公开了一种基于芯片封装的狭缝涂布设备及使用方法，该设备包括：载物台；储胶罐，用于提供光刻胶；涂布头，包括上模和下模，上模与下模对齐，上模和下模之间形成狭缝涂布空间；垫片，设有若干个，安装于上模和下模之间。本发明在涂布过程中，通过电...

本发明公开了一种多芯片点胶方式的优化方法，包括以下步骤：步骤一：在晶圆上制备重布线结构；步骤二：在重布线结构上连接功能芯片；步骤三：对功能芯片进行封装，形成塑封体；步骤四：研磨减薄塑封体，直至暴露出功能芯片；步骤五：在晶圆远离功能芯片的...

本发明公开了一种基于台阶单斜孔的封装结构及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：在硅片上设置金属线路结构；在金属线路结构上键合玻璃；在硅片背面形成第一层LV1过程胶并将其做出开口Ⅰ；在开口Ⅰ处进行第一步单斜孔刻蚀，形成第一单斜孔；将第一层...

本发明公开了一种在含多层RDL和PI钝化层封装结构的制程中PI钝化层厚度的检测方法，包括以下步骤：先在每个芯片角落分别设置量测图形并设计开口，确保每层PI钝化层厚度量测区域分别放置在不同的芯片角落，防止多层PI钝化层厚度量测区域堆叠在同...

本发明公开了一种改善翘曲和散热的封装结构及其制作方法，该封装结构包括硅片，硅片背面开设凹槽和通孔，凹槽内设置芯片Ⅰ，通孔内填满金属，芯片Ⅰ和金属上设置芯片Ⅱ，硅片正面设置薄芯片。本发明在硅片正面沉积介电层，再在介电层上设置钝化层与重布线...

本发明公开了一种自动上下料装置及其使用方法，该自动上下料装置包括框架本体，框架本体上设置有料盒存放模组、取放料手臂移动模组、对中模组和防水模组，通过料盒存放模组实现若干个相同或不同尺寸的切割料盒的存放及位置移动，取放料手臂移动模组包括取...

本发明提供一种基于高密度线路板的晶圆级三维堆叠封装结构及其方法，包括：硅基板，所述硅基板一端面上开设有硅基凹槽，所述硅基凹槽内设有多颗芯片形成晶圆，所述晶圆一端面上设有绝缘层，所述绝缘层上相对芯片的焊盘位置处开设有多个重布线层的信号传输...

本发明公开了一种可降低TSV孔底应力的扇出型封装结构的制作方法，包括如下步骤：取一硅基板，在该硅基板上开设TSV孔，该TSV孔为盲孔，且其上部为倒角结构；在TSV孔中形成向硅基板对应于倒角结构的一面延伸覆盖的复合线路结构；在复合线路结构...

本发明公开一种改善释放层耐化性的封装结构及封装方法，该封装方法包括以下步骤：在临时载片上制备释放层；将临时载片边缘的释放层移除，留出释放层空白区域，释放层空白区域在晶圆无效区域范围内；在释放层上制备钝化层，钝化层覆盖释放层和释放层空白区...

本发明公开了一种晶圆级封装模具孔径优化系统及方法，该系统包括：上型模腔，包括上型腔模盒和上模腔，上模腔设置于上型腔模盒内；下型模腔，包括下型腔模盒和下模腔，下模腔用于承载晶圆片，下模腔中设置有真空线路；上型腔模盒能够与下型腔模盒面面相接...

本发明公开了一种高结合力铜凸点结构及其制备方法，该制备方法包括以下步骤：在裸硅正面进行刻蚀挖槽，再在槽中埋入相适配的芯片；在裸硅正面进行TSV通孔的刻蚀及电镀；在TSV通孔上进行RDL重布线层的制作；将得到的半成品与玻璃键合；对裸硅背面...

本发明公开了一种半空腔芯片封装结构及方法，包括取一载片，在载片上形成抗反射层，在抗反射层上交替制备形成重布线结构；在重布线结构上连接功能芯片；在功能芯片上扣合散热罩，功能芯片位于散热罩下方内部，形成半空腔结构；进行封装形成包裹功能芯片和...

本发明公开一种没有硅通孔结构的2.5D封装结构及封装方法，封装方法包括以下步骤：提供没有硅通孔结构的硅转接板，随后在硅转接板表面贴装若干芯片，再对芯片进行塑封；减薄硅转接板，露出硅转接板上的信号连接位置，再在信号连接位置形成C4凸块结构...

本发明公开了一种纳米级LED芯片扇出型封装方法及其产品，该封装方法包括以下步骤：提供一硅片，在硅片的一面键合玻璃Ⅰ；对应于硅片上的金属块的位置，对硅片的另一面进行刻蚀、沉积绝缘材料和导电材料及整平填充材料，再重布线、键合玻璃Ⅱ；将玻璃Ⅰ...

本发明公开了一种嵌入式2.5D集成封装结构的制备方法及其产品，该制备方法包括以下步骤：先制备封装芯片，封装芯片上具有微凸点，再利用微凸点将封装芯片与中介结构相连，并在封装芯片与中介结构之间进行底填充，最后在中介结构上植球，得到所需嵌入式...

本发明公开了一种简化互联结构重布线的工艺方法，包括以下步骤：步骤一：在芯片上制备金属层；步骤二：将多个步骤一所得芯片包覆形成一个整体；步骤三：在步骤二所得半成品表面增设绝缘层Ⅰ；步骤四：在绝缘层Ⅰ表面形成导电层；步骤五：在导电层表面形成...

本发明公开了一种用于半导体封装领域的CMP抛光液回收系统，包括抛光液桶、抛光液供液管道和抛光液循环管；所述抛光液供液管道与所述抛光液桶连接，所述抛光液供液管道上还设有推进泵和第一流量控制器；所述抛光液供液管道通过一三通阀与所述抛光液循环...

本发明公开一种硅基嵌入式光感芯片3D集成封装结构的制备方法，包括以下步骤：将光感芯片与基底压合在一起；对光感芯片正面刻孔，将光感芯片Pad暴露，布线；对光感芯片的切割道包边，在光感芯片正面植球，切割得到芯片a；将芯片a固定在硅槽内；在芯...

本发明公开一种自带电磁波阻挡结构的扇出型封装结构的封装方法，包括以下步骤：提供载体Ⅰ，在载体Ⅰ上布置金属线路和隔离绝缘层；随后在载体Ⅰ上贴装若干个芯片，并使芯片与金属线路电连；再在芯片四周制备电磁波阻挡层，随后将所有芯片塑封，得到塑封体...