华天科技昆山电子有限公司专利技术

华天科技昆山电子有限公司共有272项专利

  • 本发明公开了一种自动上下料装置及其使用方法,该自动上下料装置包括框架本体,框架本体上设置有料盒存放模组、取放料手臂移动模组、对中模组和防水模组,通过料盒存放模组实现若干个相同或不同尺寸的切割料盒的存放及位置移动,取放料手臂移动模组包括取...
  • 本发明提供一种基于高密度线路板的晶圆级三维堆叠封装结构及其方法,包括:硅基板,所述硅基板一端面上开设有硅基凹槽,所述硅基凹槽内设有多颗芯片形成晶圆,所述晶圆一端面上设有绝缘层,所述绝缘层上相对芯片的焊盘位置处开设有多个重布线层的信号传输...
  • 本发明公开了一种可降低TSV孔底应力的扇出型封装结构的制作方法,包括如下步骤:取一硅基板,在该硅基板上开设TSV孔,该TSV孔为盲孔,且其上部为倒角结构;在TSV孔中形成向硅基板对应于倒角结构的一面延伸覆盖的复合线路结构;在复合线路结构...
  • 本发明公开一种改善释放层耐化性的封装结构及封装方法,该封装方法包括以下步骤:在临时载片上制备释放层;将临时载片边缘的释放层移除,留出释放层空白区域,释放层空白区域在晶圆无效区域范围内;在释放层上制备钝化层,钝化层覆盖释放层和释放层空白区...
  • 本发明公开了一种晶圆级封装模具孔径优化系统及方法,该系统包括:上型模腔,包括上型腔模盒和上模腔,上模腔设置于上型腔模盒内;下型模腔,包括下型腔模盒和下模腔,下模腔用于承载晶圆片,下模腔中设置有真空线路;上型腔模盒能够与下型腔模盒面面相接...
  • 本发明公开了一种高结合力铜凸点结构及其制备方法,该制备方法包括以下步骤:在裸硅正面进行刻蚀挖槽,再在槽中埋入相适配的芯片;在裸硅正面进行TSV通孔的刻蚀及电镀;在TSV通孔上进行RDL重布线层的制作;将得到的半成品与玻璃键合;对裸硅背面...
  • 本发明公开了一种半空腔芯片封装结构及方法,包括取一载片,在载片上形成抗反射层,在抗反射层上交替制备形成重布线结构;在重布线结构上连接功能芯片;在功能芯片上扣合散热罩,功能芯片位于散热罩下方内部,形成半空腔结构;进行封装形成包裹功能芯片和...
  • 本发明公开一种没有硅通孔结构的2.5D封装结构及封装方法,封装方法包括以下步骤:提供没有硅通孔结构的硅转接板,随后在硅转接板表面贴装若干芯片,再对芯片进行塑封;减薄硅转接板,露出硅转接板上的信号连接位置,再在信号连接位置形成C4凸块结构...
  • 本发明公开了一种纳米级LED芯片扇出型封装方法及其产品,该封装方法包括以下步骤:提供一硅片,在硅片的一面键合玻璃Ⅰ;对应于硅片上的金属块的位置,对硅片的另一面进行刻蚀、沉积绝缘材料和导电材料及整平填充材料,再重布线、键合玻璃Ⅱ;将玻璃Ⅰ...
  • 本发明公开了一种嵌入式2.5D集成封装结构的制备方法及其产品,该制备方法包括以下步骤:先制备封装芯片,封装芯片上具有微凸点,再利用微凸点将封装芯片与中介结构相连,并在封装芯片与中介结构之间进行底填充,最后在中介结构上植球,得到所需嵌入式...
  • 本发明公开了一种简化互联结构重布线的工艺方法,包括以下步骤:步骤一:在芯片上制备金属层;步骤二:将多个步骤一所得芯片包覆形成一个整体;步骤三:在步骤二所得半成品表面增设绝缘层Ⅰ;步骤四:在绝缘层Ⅰ表面形成导电层;步骤五:在导电层表面形成...
  • 本发明公开了一种用于半导体封装领域的CMP抛光液回收系统,包括抛光液桶、抛光液供液管道和抛光液循环管;所述抛光液供液管道与所述抛光液桶连接,所述抛光液供液管道上还设有推进泵和第一流量控制器;所述抛光液供液管道通过一三通阀与所述抛光液循环...
  • 本发明公开一种硅基嵌入式光感芯片3D集成封装结构的制备方法,包括以下步骤:将光感芯片与基底压合在一起;对光感芯片正面刻孔,将光感芯片Pad暴露,布线;对光感芯片的切割道包边,在光感芯片正面植球,切割得到芯片a;将芯片a固定在硅槽内;在芯...
  • 本发明公开一种自带电磁波阻挡结构的扇出型封装结构的封装方法,包括以下步骤:提供载体Ⅰ,在载体Ⅰ上布置金属线路和隔离绝缘层;随后在载体Ⅰ上贴装若干个芯片,并使芯片与金属线路电连;再在芯片四周制备电磁波阻挡层,随后将所有芯片塑封,得到塑封体...
  • 本发明公开了自带电磁波阻挡结构的扇出型封装结构的封装方法及产品,该封装方法包括以下步骤:提供一基底,在基底上制备若干凹槽,在凹槽内制备电磁波阻挡层,再将芯片贴装至凹槽内,得到晶圆;在晶圆上重布线,引出芯片的电信号;在基底上键合载体,在重...
  • 本发明公开了一种降低分层风险的封装结构及其制备方法,该封装结构包括感光芯片、粗化层、围堰和玻璃层;所述感光芯片的功能侧包括感光区和非感光区,所述粗化层设置于感光芯片的非感光区部分上,所述围堰设置在所述粗化层上,所述玻璃层设置于所述围堰上...
  • 本发明公开了一种半导体器件旋转式接触的ESD装置,所述ESD装置用于旋转定位平台静电防护,旋转定位平台包括平台本体和设置在平台本体上的旋转模块,包括接地支架和接地模块,所述接地支架固定在平台本体上,所述接地模块与旋转模块弧面接触,所述接...
  • 本发明公开了一种提高CIS芯片可靠性的晶圆级封装方法及封装结构,封装方法包括:将晶圆键合于玻璃基板上,制作硅通孔,在晶圆表面制备钝化层;在钝化层表面制备重布线层,重布线层表面设置有图案形状,重布线层连接晶圆焊盘;设置过程胶,露出重布线层...
  • 本发明公开了一种全自动尾料存储机及其工作方法,该全自动尾料存储机包括:上下料模组,用于上下料切割料盒;取放料模组,用于取放切割料盒内的Wafer尾料;储物货架模组,用于存储Wafer尾料。本发明提供的全自动尾料存储机及其工作方法,采用智...
  • 本发明公开一种高密度的POP封装结构的封装方法及其产品,该封装方法包括以下步骤:将第一芯片组贴装在载板Ⅰ上;对第一芯片组进行包封;去除载板Ⅰ,形成第一封装体;将第一封装体贴装在载板Ⅱ上;在载板Ⅱ上面压合干膜,形成铜柱;将第二芯片组贴装在...
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