本发明涉及一种多晶锗的制备装置，该装置包括一石英管、放置于石英管内的一石墨坩埚以及围绕于石英管侧壁的至少一个加热器。本发明同时提出了一种多晶锗的制备方法。本发明多晶锗的制备装置及制备方法，还原过程和区熔过程在同一个设备石英管中完成，直接...

本发明涉及一种清洗系统，其包括至少一清洗装置、至少一机械臂、至少一晶片存取装置。本发明还涉及一种清洗方法。清洗系统由清洗装置、机械臂、晶片存取装置组合而成，实现晶片的自动化传送和清洗，来代替现有的人工清洗，以避免表面清洗后的晶片出现水痕...

本实用新型涉及一种石英管加热器，其包括一长筒形石英管以及置于石英管内的至少一电热丝，所述石英管管口内塞有一隔热棉，所述石英管管口外还设有用于密封的一金属件，所述金属件盖设于石英管管口外，所述电热丝的一端固定在金属件上，所述电热丝的另一端...

本实用新型涉及一种坩埚处理系统，其包括一立式烘烤氧化系统以及用于安装或拆分立式烘烤氧化系统的一机械抓取系统，立式烘烤氧化系统包括一炉体、包覆于炉体外的一保温层、固定于炉体内的一坩埚架总成、用于加热的一石英管加热器、用于封闭炉体并夹持固定...

本实用新型涉及一种立式烘烤氧化系统，其包括一炉体、包覆于炉体外的一保温层、固定于炉体内的一坩埚架总成、放置于坩埚架总成上固定的若干坩埚、置于坩埚内用于加热的一石英管加热器、用于封闭炉体并夹持固定石英管加热器的一冷却密封接头以及设于保温层...

本发明涉及一种类金刚石膜表面处理工艺，包括如下步骤：S1、将待处理的产品擦拭干净，放置在沉积装置的下靶位置；S2、关闭腔室并对腔室进行抽真空；当真空度达到4.0E‑3Pa或以下时，向腔室内充入5N或以上纯度的氧气，氧气的流量为10‑20...

本发明涉及一种光学零件的抛光方法，本发明光学零件的抛光方法采用PET胶带代替现有技术中的保护漆，PET胶带简单易得，不仅保护了保护面，使得光学零件与胶模固定连接，抛光结束后，PET胶带又易撕离而不留残胶，可以避免涂抹保护漆带来的诸多技术...

本实用新型提出一种坩埚冷却轴，其包括一热电偶、一套管以及一冷却水循环管道，所述热电偶包括一固持端以及自固持端凸伸出的一轴身，所述冷却水循环管道紧贴轴身设置，所述套管包覆于冷却水循环管道和轴身侧周，所述轴身远离固持端上的一端凸伸出套管，所...

本实用新型涉及一种固定冷却装置，所述固定冷却装置包括一石英管、与石英管卡接密封的一卡头，所述卡头包括一石墨挡板、一不锈钢支撑架、连接石墨挡板和不锈钢支撑架的一侧板、垂直贯穿石墨挡板和不锈钢支撑架的一标准接头，所述石墨挡板挡设于石英管的开...

本发明涉及一种半导体晶片的处理方法，利用一处理装置进行处理，该处理方法包括如下步骤：S1：将晶片背面朝上放入真空旋转盘上吸附，然后真空旋转盘先以第一速率开始旋转，喷管将光刻胶喷涂在晶片背面上，然后真空旋转盘以第二速率开始旋转，在旋转力的...

本发明涉及一种半导体晶体脱模装置，用于分离晶体和PBN坩埚，脱模装置包括一加热炉体、一对固定滑轨，所述加热炉体一面开设一开口，加热炉体内设置有若干加热器，所述固定滑轨包括两条导轨、连接于两条导轨之间的一固定支架、连接于两条导轨之间的一支...

本发明涉及一种砷化镓单晶的生长装置，该生长装置包括用于放置原料的一内坩埚、用于支撑内坩埚的一坩埚托、一外坩埚、一支撑管、一支撑台、一石英罩以及用于给内坩埚加热的一加热器，加热器通过一支架安装在一导轨上，加热器和支架能够沿着导轨移动，内坩...

本发明涉及一种高温覆盖剂级氧化硼的生产方法，该方法包括如下步骤：S1、硼酸加热；S2、加无水氧化硼；S3、煅烧脱水；S4、浇铸成型。本发明高温覆盖剂级氧化硼的生产方法，综合考虑生产成本、生产周期、产品质量稳定性等方面，未采用最低的真空度...

本发明涉及一种坩埚处理系统，其包括一立式烘烤氧化系统以及用于安装或拆分立式烘烤氧化系统的一机械抓取系统，立式烘烤氧化系统包括一炉体、包覆于炉体外的一保温层、固定于炉体内的一坩埚架总成、用于加热的一石英管加热器、用于封闭炉体并夹持固定石英...

本发明涉及一种砷化镓的多晶合成装置，其包括一石英管、与石英管配合的一卡具、置于石英管内的两个PBN舟、一合成炉以及一控制操作箱，卡具包括一气道以及设置于气道内的一阀门，气道分别与一输气管、一抽真空管连通，阀门位于气道和输气管之间，所述输...

本发明涉及一种立式烘烤氧化系统，其包括一炉体、包覆于炉体外的一保温层、固定于炉体内的一坩埚架总成、放置于坩埚架总成上固定的若干坩埚、置于坩埚内用于加热的一石英管加热器、用于封闭炉体并夹持固定石英管加热器的一冷却密封接头以及设于保温层外的...

本发明涉及一种清洗回收晶圆盒或卡塞的方法，包括以下步骤：使用光源检查晶圆盒或卡塞，撕去晶圆盒或卡塞上的标签，将晶圆盒或卡塞拆卸备用；将拆卸备用的晶圆盒或卡塞放入第一超声槽中进行超声清洗3~5min，第一超声槽里放有氨水和去离子水形成的混...

本发明涉及一种锗单晶的生长方法，该生长方法将原料熔化为熔体，然后抽真空，在真空氛围下利用籽晶在一定的温场梯度下经过引晶过程、放肩过程、等径生长过程、收尾过程、降温过程形成锗单晶；引晶过程中，控制晶体拉速为5‑10mm/h；控制晶体生长速...

本发明提供了一种用于合成InP多晶的装料装置及合成InP多晶的方法。用于合成InP多晶的装料装置包括：装料瓶，具有用于盛放红磷料和铟料的且具有封闭端和开口端的收容腔；盖体，能够盖合在装料瓶的开口端上，且设有与收容腔和装料瓶外部连通的排气...

本实用新型提出一种砷化镓多晶合成装置，包括一石英管，所述冷却装置还包括内置于石英管内的一石英帽、一进气管，进气管的一端伸入石英管内且与石英帽的半球形封闭面相对设置。本合成装置通过增加进气管由现有技术的自然降温变为局部冷却，降温更有针对性...