本发明提供了一种用于平面光学零件抛光的夹具及方法，所述夹具为具有矩形凹槽形的夹具，所述夹具包括底座和挡边，所述底座为矩形板，底座的四周固定有挡边，所述挡边与底座垂直，所述挡边与所述底座围成凹槽，所述凹槽的深度小于所述平面光学零件的厚度，...

本发明提供了一种化学气相沉积系统及供气装置和供气方法，所述供气装置包括末端总管、第一供气管线和至少一个备用供气管线；第一供气管线包括混合气供应支线、工艺气体供应支线、混气容器和第六电磁气动阀，工艺气体供应支线包括工艺气体储存容器、高纯过...

本发明公开了一种高纯度三烷基锑的制备方法，本发明对现有用格氏试剂合成三甲基锑的方法进行了改进，先采用乙醚作为溶剂，快速合成格氏试剂，然后用高沸点溶剂替换格氏试剂中的低沸点乙醚，作为合成三甲基锑反应体系的唯一溶剂，大大降低了三烷基锑的纯化...

本发明涉及晶片生产技术领域，尤其涉及一种晶片自动腐蚀喷淋设备，包括控制器、工作箱、晶片固定架以及与控制器电连接的药液泵组、冲刷装置和冲洗装置，晶片固定架设置于工作箱内用于固定放入工作箱中的晶片，药液泵组与工作箱连接用于向工作箱内泵送药液...

本发明涉及一种用于磷化铟表面孪晶识别的腐蚀液及腐蚀方法，属于半导体材料领域。本发明用于磷化铟表面孪晶识别的腐蚀液，包含如下体积百分比的组分：盐酸30％～70％、双氧水0％～35％、醋酸20％～70％。本发明用于磷化铟表面孪晶识别的腐蚀方...

本发明公开了一种有效释放砷化镓单晶结晶潜热的方法及装置。所述装置包括石英安瓿瓶、支撑底座和支撑平台；所述石英安瓿瓶置于支撑底座上端，支撑底座放置在支撑平台上，并与支撑平台固定连接；所述支撑底座内设有炉芯，炉芯设有散热棒，且散热棒插入炉芯...

本发明提供了一种砷化镓背侵的去除方法，所述方法包括以下步骤：(1)将砷化镓晶片在有机溶剂中浸洗后用去离子水冲洗；(2)将步骤(1)处理后的砷化镓晶片浸没在化学腐蚀液中腐蚀清洗，所述化学腐蚀液包括碱、过氧化氢和水，所述碱为氢氧化钾或者氢氧...

本发明涉及一种砷化镓单晶生长装置及生长方法，属于晶体生长领域。本发明通过改进石英管形状和单晶炉的结构，实现从砷和镓原料到砷化镓单晶的一体化单晶生长工艺。本发明的石英管部件包括单晶石英管和W形多晶石英管，两者焊接在一起，再进行装料，之后抽...

本发明提供了一种热电偶断线修复方法，包括：拆开断线的热电偶，取出断开的两截热偶丝；对所述断开的两截热偶丝进行点焊，将所述两截热偶丝焊接在一起；将焊接后的热偶丝重新组装成热电偶，从而不需要更换新的热电偶，也不会使热偶丝的长度变短，避免了贵...

本发明提供了一种砷化镓多晶合成装置和合成方法，包括合成炉，合成炉包括圆柱状的炉室；炉室内具有石英棉、加热器、石英管、第一石英舟和第二石英舟；炉室包括高温区和低温区，高温区和低温区均具有加热器，加热器固定在炉室的内壁上；石英管位于炉室内部...

一种制备长晶级初级氧化硼的系统，包括：自上而下依次相连的初级脱水炉、二级脱水炉和真空保温炉；初级脱水炉设有料斗、氮气进气管、减速电机、真空管、测温TC、投料开关和螺旋热风导流器；二级脱水炉顶部通过投料开关与初级脱水炉相通，设有真空管、测...

本申请公开了一种半导体衬底的处理装置及处理方法，该处理装置包括：壳体，壳体上表面具有开口；位于壳体内的吸附件，用于吸附待处理的半导体衬底；位于壳体内的第一支撑架，第一支撑架具有一容纳空间内，吸附件位于该容纳空间内；清洗件，清洗件中具有第...

本发明公开了一种多线切割装置及其切削液供液组件，包括设置在固定基板上的围板，围板为缓冲材料制作而成，且围板与固定基板构成一个顶端开口且底部密封的容纳切削液的容腔；位于容腔内部的固定基板上设置有用于固定待切割部件的辅助切割件，且当待切割部...

本发明公开了一种多功能晶片切割设备检测装置，包括固定夹具、CCD成像仪及显示器，其中，固定夹具包括相对设置且可相对移动的第一支座及第二支座，第一支座及第二支座分别设置有可旋转的第一配合部及第二配合部，第一支座及第二支座相互靠近以使待检测...

本发明公开了一种砷化镓多晶的制作方法及装置，该方法采用水平梯度凝固法使装有砷的氮化硼舟与装有镓的氮化硼舟在密封的石英管内反应形成砷化镓多晶；然后切割去除所述石英管的管口的石英帽，取出砷化镓多晶，并且采用的切割步骤为：将所述石英管固定在切...

本发明涉及一种高纯砷的除杂方法，其包括如下步骤：S1、石英管预处理；S2、表层砷挥发；S3、破碎、筛分；S4、深度除杂。本方法利用砷在真空条件下可以升华的特性，提供一种高纯砷除Si、S、Na、Mg、Fe、Zn杂质元素的方法，此方法操作简...

本发明涉及一种半导体晶体的生长装置，该装置包括一炉体，炉体包括一支撑平台、垂直固定于支撑平台上的一支撑杆、一加热室，加热室形成封闭的一圆柱形空腔，支撑杆上开设一架设孔，该装置还包括位于空腔内的一环形加热器、一石英管、一籽晶、一碳帽、一第...

本发明涉及一种氢化还原装置，其包括水平放置的一反应石英管、用于给反应石英管加热的一加热套、一蒸发釜、一进气管，所述反应石英管包括一反应段和一沉积段，所述反应段包括一装料区和一缓冲区，所述缓冲区与沉积段邻接，所述加热套包括一第一加热区、一...

本实用新型涉及一种非接触式清洗装置，其包括至少一个取放部件，所述取放部件包括一圆盘以及一扣件，所述圆盘上开设有一圈气孔、一圈水孔、一圈药剂孔，所述气孔、水孔、药剂孔所分别形成的圆形均以圆盘的圆心为圆心，所述气孔、药剂孔上下贯穿圆盘，在所...

本发明涉及一种镓液的分装装置，该装置包括一手套箱、与手套箱临接的一过渡仓，该装置还包括内置于手套箱内的一电子秤、若干包装瓶、一升降装置，该装置还包括位于手套箱外的一均制器、一计量泵，所述均制器、计量泵通过泵管连接，且泵管延伸至手套箱内的...