本实用新型公开了一种燃烧枪，包括具有空腔的枪体以及与枪体连通的喷头；枪体内设置若干通道，喷头设置有分别与若干通道一一对应相连通的若干喷嘴；若干喷嘴自内而外依序套设且若干喷嘴的长度由内至外呈递增趋势。本实用新型的燃烧枪，通过使得外侧喷嘴长...

本实用新型提出一种籽晶，该籽晶包括连接于一体的柱体部和顶部，所述顶部向远离柱体部方向凸起，所述顶部凸起的曲率半径为柱体部横截面半径的倍。采用本籽晶，所制备得到的III

本实用新型提供了一种晶片清洗夹持装置，其包括：安装头、位置调节板和角度调节组件。安装头安装晶片。位置调节板连接于安装头，且位置调节板用于调节晶片相对冲水口的冲水位置。角度调节组件连接于位置调节板，且角度调节组件用于调节晶片相对冲水口的冲...

本公开提供了一种掺杂碳源和垂直舟装置。掺杂碳源为内外径均沿轴向上大下小的母空心锥台；母空心锥台包括沿轴向能够堆叠的多个子空心锥台，各子空心锥台的内外径均形成为沿轴向上大下小，母空心锥台配置成：在首次使用时，多个子空心锥台沿轴向堆叠在一起...

本公开提供了一种晶圆清洗装置，包括清洗部、传动部和隔板，清洗部包括清洗盘和清洗腔室，传动部包括固定板、移动板、齿轮机构及升降轴；隔板固定于固定板上，清洗部设置于隔板上；移动板滑动连接于固定板，用以沿固定板上下移动；齿轮机构连接于移动板，...

本发明涉及半导体材料加工技术领域，公开了一种焊接装置，其包括底座、焊枪及供气组件，底座用于固定待焊接零件；焊枪设置于所述底座上，所述焊枪包括焊接环及设置在所述焊接环的内侧的若干焊枪嘴，若干所述焊枪嘴均与所述焊接环相连通，若干所述焊枪嘴之...

本实用新型涉及晶片切割技术领域，尤其涉及一种晶片切割工具检测设备，包括检测系统，其包括判断单元和摄像单元，摄像单元与判断单元通讯连接；承载平台，其包括平台底座和用于被检测对象竖直放置的承载底座，承载底座安装于平台底座上；其中，摄像单元或...

本发明提供了一种致密超高纯材料的制备方法，与现有的红磷/砷生产提纯工艺相比，本发明中的整个转化过程在密闭的石英管内进行，避免环境对产品的影响，通过精确控制高低温区温度，使得高温区非致密的砷/磷颗粒以气态形式迁移至低温区后凝华、成核、生长...

本发明提供一种磷化铟衬底的清洗方法，包括以下步骤：(1)将抛光后的磷化铟衬底在a℃的硫酸溶液中浸泡e秒；(2)将步骤(1)处理后的磷化铟衬底在c℃的硫酸溶液中浸泡f秒后去离子水冲洗；(3)将步骤(2)处理后的磷化铟衬底在清洗液中清洗后用...

本发明提供一种砷化镓单晶生长装置及生长方法，砷化镓单晶生长装置包括石英帽、石英管和氮化硼坩埚；在xyz的三维空间直角坐标系中，所述氮化硼坩埚置于所述石英管内部并且所述石英帽与所述石英管密封连接后，所述石英帽壁的内表面的空间位置符合函数关...

本发明公开了一种镜片装夹装置及装夹方法，镜片装夹装置包括：底座、第一支撑轴、第二支撑轴、T型的第一定位条和第二定位条；镜片装夹时，根据镜片的大小移动第一定位条和第二定位条，再将第一定位条和第二定位条分别与第一支撑轴和第二支撑轴锁紧固定，...

本公开提供了一种CO2激光增透膜及其制备方法，所述CO2激光增透膜由基底层、第一氟化镱层、第一硫化锌层、第二氟化镱层以及第二硫化锌层组成，在所述基底层沿所述基底层的厚度方向的表面上依次设置有所述第一氟化镱层、第一硫化锌层、第二氟化镱层以...

本发明公开了一种石英管固定装置及其应用方法。本发明石英管固定装置包括第一石英管和与其开口端卡接密封的卡头，卡头包括冷却液空腔和设有调节阀的第一真空管道，冷却液空腔设有冷却液进口和冷却液出口，第一真空管道与所述第一石英管连通。本发明采用卡...

本发明公开了一种含掺杂元素的单晶的制备方法及其制备装置，属于晶体生长领域。本发明将籽晶、掺杂剂、多晶以及液封剂加入第一坩埚中并按常规VGF法进行长晶，在停止长晶前，将位于第一坩埚上方的第二坩埚内的多晶熔化并流入第一坩埚内进行长晶，这样调...

本发明提供了一种单晶晶片及其晶棒的制备方法，属于晶体生长技术领域。本发明对传统直拉法进行改进，增加空拉过程，并降低冷却速度，延长冷却时间，所得单晶晶棒制得的直径4寸以上的单晶晶片表面的亮点、波浪纹等缺陷得到有效减少，达到低LPD标准的合...

本发明提供了一种制备热解氮化硼的供气系统及其供气方法，所述供气系统包括炉体、多个三氯化硼供气瓶、多个氨气供气瓶以及保护气供气瓶组。炉体具有第一进气口和第二进气口。所述多个三氯化硼供气瓶以并联方式连通于第一进气口。所述多个氨气供气瓶以并联...

本公开提供了去除砷中痕量氯的方法，包含步骤：a.将进气管连接到石英管，将砷放入石英管靠近进气管的一端，同时将石英管的另一端连接出气管；b.向石英管中先通入不活泼气体置换掉石英管中空气，再通入氢气，同时给石英管中的砷加热以去除砷表面的氯；...

本实用新型揭示了一种溶液供应装置，其包括底板、安装在所述底板端面上依次通过管道连通的储液桶、供液桶以及第一泵体，所述储液桶内设置有用于搅拌溶液搅拌器，所述供液桶内设置有用于冷却溶液的冷凝管。本实用新型提供的一种溶液供应装置，通过安装在所...

本公开提供了一种确定晶片掰片位置的方法，包括以下步骤：S1，设置第一晶片和模板，并在第一晶片上设置定位边，在模板上分别设置定位边和定位孔；S2，设置标示图；S3，将第一晶片放在标示图上，并在标示图做出用于后续待掰制晶片定位的定位标记；S...

本公开提供了一种硒化锌的生长方法包含步骤：a.将锌置于化学气相沉积炉中的坩埚中，氩气置换沉积炉中的空气，抽真空，真空度为3000Pa‑10000Pa；b.将化学气相沉积炉中的沉积腔室升温至沉积温度700℃‑800℃，将坩埚升温至蒸发温度...