高可靠性高压GPP芯片。涉及半导体技术领域。包括从下而上依次连接的下金属层、N<supgt;+</supgt;层、N层、P<supgt;+</supgt;层和上金属层；所述P<supgt;+</sup...

一种低中压TVS产品及制备方法。涉及半导体技术领域。包括以下步骤：步骤S100，扩散；在晶片表面沉积一层磷和硼，形成P+‑N‑N+结构；步骤S200，选择性光刻；在P+面进行选择性光刻，将晶片区域化成晶粒，并在晶粒表面将待蚀刻的区域暴露...

一种具有复合沟槽的高压GPP芯片及制备方法。涉及半导体技术领域。包括以下步骤：步骤S100，扩散；在硅片表面沉积一层磷和硼，形成P<supgt;+</supgt;—N—N<supgt;+</supgt;结构，并在...

一种不对称双向二极管及制备方法，涉及半导体技术领域。其工作原理为：不对称信号波流向电路时，当双向二极管的N+端接入正向信号（正向电压）时，P+N++结正向偏置，N+P‑结反向偏置承受主要电压，双向二极管整体表现出高的耐压；当双向二极管的...

一种AL选择性扩散的二极管生产工艺。涉及半导体加工技术领域。包括以下步骤：步骤S100：N衬底选取；步骤S200：N衬底上生长氧化膜；步骤S300：一次单面选择性光刻；步骤S400：氧化膜去除；步骤S500：AL溅射；步骤S600：在溅...

一种改善单向产品切割背崩的芯片制作工艺，涉及一种半导体功率器件芯片加工领域。本发明分别采用两种不同特殊配比蚀刻酸进行作业，在保证P面正常蚀刻速率的基础上，降低N面蚀刻速率，此种方法不仅避免了切割背崩问题，同时也释放了晶片在制造过程中产生...

稳定型瞬态抑制二极管。涉及半导体器件。提供了一种生产成本低，又能有效提高器件可靠性和稳定性以及降低器件应力的稳定型瞬态抑制二极管。包括从下而上依次连接的N+层、N层、P+层；所述P+层上设有向下蚀刻至N层的椭圆结构的蚀刻槽；所述刻蚀槽上...

半导体晶片自动刷除MOR设备。涉及芯片加工设备。本实用新型包括主体承片台和刷杆；主体承片台的顶面设有晶片放置位；晶片放置位上设有若干真空气孔，通过真空气孔吸气将晶片固定于主体承片台上；刷杆的顶部通过螺纹杆旋转控制刷杆在晶片放置位上水平往...

一种高压TVS产品及其PN结钝化工艺。涉及半导体器件，尤其涉及一种低应力高可靠性的高压TVS产品及其PN结钝化工艺。提供了一种生产成本低，又能有效提高器件可靠性和稳定性以及降低器件应力的一种高压TVS产品及其PN结钝化工艺。本发明在工作...

晶圆旋涂防偏真空吸头。涉及晶圆加工设备。包括主吸头部和吸头套；主吸头部通过连接件与主轴可拆卸固定连接，主轴旋转，使所述主吸头部在晶圆上转动。吸头套可拆卸固定设置在主吸头部的外侧；根据加工晶圆的规格选择适配的吸头套，拆卸安装简便，无需拆卸...

一种高电阻率阱扩散低压二极管及制备方法。涉及半导体器件。本发明通过在高电阻率CZ硅衬底上选择性扩散制造出低阻P+衬底，通过对高电阻率原片衬底和高掺杂的低阻P+衬底进行脱氧处理，降低器件衬底氧含量降低产品IR，衬底中氧含量高，容易产生较多...

一种高浪涌能力的平面二极管及其制备方法。涉及一种半导体器件。包括：衬底；P+衬底区，所述P+衬底区从衬底的顶部向下扩散，位于所述衬底内；所述衬底的顶部靠近边缘处设有环形豁口；所述环形豁口与P+衬底区的顶面之间设有弧形肩部；和氧化物钝化膜...

本实用新型属于芯片生产装置技术领域，尤其涉及芯片剥离装置。其技术方案包括：两个对称设置的横板，两个所述横板之间设置有用于传输芯片的芯片传输机构，所述芯片传输机构的一侧设置有可竖向翻转角度的翻转板，且所述翻转板的一端与芯片传输机构的一端相...

本实用新型涉及晶圆打点设备领域，尤其涉及双向晶圆自动识别打点装置。其技术方案包括：上料模组,上料模组用于存储待识别打点的晶圆；第一直线传动模组，第一直线传动模组用于与上料模组对接将需要处理的晶圆移动至下一加工位并放置在下一加工位的旋转吸...

本实用新型属于芯片加工设备技术领域，尤其涉及可兼容不同晶片的切割盘。其技术方案包括：盘体，所述盘体的上侧开设有真空槽组，所述真空槽组的底部设置有用于真空抽气的抽空孔组，所述抽空孔组的出气端安装有气体接头，所述盘体的上侧开设有以盘体中心为...

稳定型低漏流稳压管，涉及半导体器件。包括集电极区，P区，内刻蚀槽玻璃区，外刻蚀口玻璃区，发射极区和金属蒸发层。通过在普通稳压二极管的结构中引入三极管，即将二极管与三极管集成于同一结构中，此集成结构将稳压管的工作原理由原有的齐纳击穿变为雪...

一种新型集成的低漏流稳压管的制备方法。涉及半导体器件。包括以下步骤：S001：N+衬底选取；根据不同产品的耐压需求，选择不同电阻率的N+衬底硅片；S002：P区硼预沉积及扩散；在N+衬底表面沉积硼杂质，通过高温扩散，将N+衬底硅片划分成...

掩模版。涉及大直径半导体功率器件芯片加工领域，尤其涉及一种改善GPP产品湿法腐蚀均匀性的掩模版。包括石英基板，所述石英基板上设有铬层，所述铬层上设有对应晶圆尺寸的圆形区；所述圆形区包括内外设置的圆形加工区和环形加工区，所述圆形加工区内的...

一种适用于深沟槽蚀刻的芯片制作工艺。涉及一种半导体功率器件芯片加工领域，尤其涉及一种深沟槽蚀刻GPP芯片的沟槽湿法腐蚀工艺。包括以下步骤：1）扩散：在晶片表面沉积一层磷和硼，形成P+

一种平面可控硅芯片的钝化工艺。提供了一种方便加工，节省时间，提高产品可靠性的平面可控硅芯片的钝化工艺。包括以下步骤：（1）选取N型硅衬底晶片；（2）初始氧化：在晶片表面生长一层致密氧化膜；（3）P+隔离区选择性光刻和氧化膜去除：将正面及...