一种封装结构及其形成方法，其中封装结构包括：流道结构，所述流道结构内具有第一液体流道和若干插塞通孔；至少1个芯片结构，所述芯片结构与所述流道结构键合连接；填充于所述插塞通孔内的导电插塞，若干所述导电插塞分别与所述芯片结构电连接。通过所述...

本公开提供了一种电平转换电路及集成电路芯片，其中，电平转换电路包括第一转换电路和第二转换电路。第一转换电路，被配置为将处于第一电压域的第一输入信号转换为处于第二电压域的第一输出信号；第二转换电路，耦接至第一转换电路，被配置为接收将处于第...

一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：形成基底；对所述基底进行去除处理；对经所述去除处理的基底表面进行清洗处理；在经所述清洗处理的基底表面形成吸附层。去除处理之后，对经所述去除处理的基底表面进行清洗处理；在经所述清洗处理的基底表...

一种相位检测器电路以及延迟锁相环电路，其中相位检测器电路包括：前置放大器单元，适于接收第一输入信号以及第二输入信号，并对第一输入信号以及第二输入信号的差值放大，得到第一放大信号；后置放大器单元，与前置放大器单元连接，适于接收第一放大信号...

一种晶圆对准装置及其对准方法包括：基座组件；上晶圆驱动系统；下晶圆驱动系统；第一视觉检测系统，包括第一U型臂，设置有第一光学对准镜头和第二光学对准镜头，分别设置在所述第一U型臂的两端；设置有第一辅助对准镜头和第一辅助标记，分别设置在所述...

本公开实施例提供了一种灵敏放大器、灵敏放大器的控制方法和存储器，该灵敏放大器包括：交叉耦合电路，包括第一耦合节点和第二耦合节点，配置为在灵敏放大器处于放大阶段时，对第一耦合节点和第二耦合节点进行信号放大处理；可控电源电路，与第一耦合节点...

一种晶圆的堆叠结构及其堆叠方法，所述堆叠结构包括：控制晶圆，所述控制晶圆具有相背的第二表面和第一表面，所述第二表面内具有至少一第一外围器件；第一阵列晶圆，所述第一阵列晶圆包括第一存储器阵列，所述第一阵列晶圆与所述控制晶圆的第一表面键合连...

一种存储装置，包括：堆叠设置的至少两个堆叠结构，所述堆叠结构包括：第一阵列晶圆，所述第一阵列晶圆包括第一存储器阵列；第二阵列晶圆，所述第二阵列晶圆包括第二存储器阵列；控制晶圆，所述控制晶圆位于所述第一阵列晶圆和所述第二阵列晶圆之间，所述...

本公开实施例提供了一种封装结构及其制备方法，其中，封装结构包括：基板，基板的材料包括玻璃，基板上设置有连接结构，及多个分立设置的通孔，部分连接结构位于通孔内；第一通道结构，第一通道结构位于至少部分连接结构的周围，且第一通道结构至少包括位...

本申请实施例提供一种半导体结构及其制备方法，该半导体结构包括：呈阵列排布的多个有源区，位于基底上；有源区沿垂直于有源区阵列的排布方向的第一方向延伸；栅极，位于一列有源区的一侧，且相邻的两个栅极位于相邻的两列有源区之间；第一隔离结构，位于...

本发明提供一种能够提高散热速度的芯片及其制造方法、以及封装体。所述芯片包括：衬底；电路区，所述电路区包括衬底内的电子元件以及衬底表面的金属互联结构，所述金属互联结构包括多层金属导线和层间连接结构；散热区，临近于所述电路区的金属互联结构设...

本发明提供一种晶圆的堆叠方法以及晶圆的堆叠结构，能够提高多层堆叠封装的精度。方法包括如下步骤：提供一第一晶圆，所述第一晶圆的第一表面包括至少一第一器件；在所述第一晶圆表面形成第一预埋孔，所述第一预埋孔的深度大于第一器件的有效深度；在所述...

本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括：形成基底，基底包括衬底、堆叠层和覆盖堆叠层侧壁的保护结构，衬底包括晶圆内部区域和晶圆边缘区域，堆叠层至少位于晶圆内部区域，保护结构位于晶圆边缘区域，堆叠层包括交替堆叠的...

一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底，包括若干相互分立的有源区，相邻有源区之间具有第一隔离层；位于衬底内的若干第一凹槽，沿第一方向贯穿若干所述有源区和第一隔离层，有源区在第二方向上的尺寸小于第一隔离层在第二方向上的尺寸；位于衬底第...

一种

本申请实施例提供一种半导体结构及存储器，所述半导体结构包括：第一晶圆，包括字线驱动器和第一键合结构；其中，所述字线驱动器与所述第一键合结构连接；第二晶圆，包括第二键合结构和多个晶体管阵列；其中，至少两个所述晶体管阵列的字线相互连接；所述...

一种动态随机存取存储器及其形成方法，其中动态随机存取存储器中：每个沟道柱区上的若干第一沟道柱和若干第二沟道柱沿第二方向交替排布，每个沟道柱区中的若干第一沟道柱具有平行于第二方向的第一中轴线，每个沟道柱区中的若干第二沟道柱具有平行于第二方...

本公开提供了一种半导体结构及其形成方法、存储器，半导体结构包括沿第一方向依次堆叠排布的写晶体管阵列、存储节点阵列和读晶体管阵列；其中，读晶体管阵列包括多个沿第二方向和第三方向呈阵列排布的读晶体管；沿第二方向排布的多个读晶体管的有源区均位...

本发明涉及一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法包括如下步骤：形成基底，所述基底包括衬底、以及位于所述衬底上的有源柱，所述有源柱包括沟道区、沿第一方向位于所述沟道区相对两侧的第一源漏区和初始第二源漏区；形成堆叠结构于所述第...

一种动态随机存取存储器及其形成方法