一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底，包括若干沿第一方向排布的有源区和第一隔离层；位于衬底内的若干组凹槽结构，若干凹槽结构沿第三方向排布且沿第一方向贯穿若干有源区，第三方向与第二方向相互垂直，凹槽结构包括：平行排列的第一凹槽、第二...

一种半导体结构及其形成方法，结构包括：衬底，包括沿第一方向排布的若干列有源区和第一隔离层；位于衬底内的若干字线栅极结构，所述字线栅极结构沿第一方向贯穿所述有源区，且任一有源层由相邻两个所述字线栅极结构沿第一方向贯穿，第三方向与所述第一方...

本发明提供一种全局快门图像传感器及其制备方法。所述全局快门图像传感器，包括：器件层，所述器件层包括像素单元，所述器件层位于全局快门图像传感器的底部；互联层，所述互联层位于所述器件层的上方；顶层互联层，所述顶层互联层位于所述互联层的上方；...

本申请实施例公开了一种时钟信号量测电路、时钟信号处理装置及芯片，时钟信号量测电路包括：第一计数单元、计数控制单元和第二计数单元；第一计数单元，用于根据更新信号，开始对预设时钟信号进行计数，得到并输出第一周期数；计数控制单元，用于在第一计...

一种相变存储器的形成方法，包括：提供第一衬底和第二衬底，所述第一衬底包括第一面，所述第二衬底包括相对的第二面和第三面；在所述第一面上形成第一键合层，所述第一键合层内包括逻辑器件；在所述第二面上形成第二键合层，所述第二键合层内包括第一金属...

本公开实施例公开了一种封装体结构，所述封装体结构包括：基板，具有相对的第一表面和第二表面；所述基板内部包括第一容置区域；第一半导体芯片，位于所述第一容置区域内；第一台阶结构，位于所述基板的第一表面，且覆盖所述第一半导体芯片的至少部分区域...

一种半导体结构，包括：衬底，衬底包括若干相互分立的有源区，若干有源区沿第一方向排列且平行于第二方向，第一方向与第二方向垂直；位于衬底内的若干第一凹槽，若干第一凹槽沿第二方向排列且沿第一方向贯穿若干有源区；位于第一凹槽内的字线栅极结构，字...

本公开实施例提供了一种处理器及其制造方法，其中，所述处理器包括：第一半导体结构，所述第一半导体结构包括内核、第一级缓存器、第二级缓存器；第二半导体结构，所述第二半导体结构包括第三级至第N级缓存器；所述第三级至第N级缓存器中不同级的缓存器...

一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在所述第一区内形成若干第一凹槽，所述第一凹槽自第一面向第二面延伸，若干所述第一凹槽沿第二方向排列，且所述第一凹槽沿第一方向贯穿若干所述有源区，所述第一凹槽底部到第一面的距离小于隔离层的厚度；在所...

一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：在所述第一衬底内形成若干第一凹槽，所述第一凹槽自第一面向第二面延伸，若干所述第一凹槽沿第二方向排列，且所述第一凹槽沿第一方向贯穿若干所述有源区，且所述第一凹槽底部到第一面的距离小于隔离层的厚度；...

一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括若干相互分立的有源区，若干有源区沿第一方向排列且平行于第二方向，第一方向与第二方向垂直；在衬底内形成若干第一凹槽，若干第一凹槽沿第二方向排列，且沿第一方向贯穿若干有源区；在第一凹槽内形成...

本发明提供了一种键合用结构及其制备方法、以及半导体装置。本发明提供的种键合用结构的制备方法，包括：提供一晶圆，所述晶圆为待键合晶圆；在氧气环境下，通入气化的正硅酸乙酯和气化的含磷化合物或含硼化合物，在一定温度下进行反应，以在所述晶圆表面...

本申请实施例提供一种半导体结构及其制造方法，所述半导体结构，包括晶体管阵列；所述晶体管阵列包括多个晶体管；所述多个晶体管的导电沟道垂直于所述晶体管阵列的排布方向；位于所述晶体管之间的隔离结构；其中，在相邻的任意两排所述晶体管之间的所述隔...

一种通过时钟树节点开关控制逻辑翻转率的控制电路，包括：时钟树，所述时钟树包括根节点和与所述根节点耦接的N个叶节点，所述N≥2；每一个所述叶节点包括输入端和输出端，所述每一个叶节点的输入端与所述跟节点耦接，每一个所述叶节点的输出端连接待测...

一种用于立体封装的可配置转接板和立体封装结构，其中所述可配置转接板，包括：基底；位于所述基底第一表面上的若干第一凸块；位于基底第二表面上的若干第二凸块；位于基底中的片上控制网络，包括若干线路和若干路由节点，若干线路包括若干第一线路、若干...

本申请提供一种半导体结构及其制造方法、存储器，所述制造方法包括：提供衬底，所述衬底具有沿第一方向延伸的若干相互平行的栅结构；所述第一方向平行于所述衬底的表面；在相邻的所述栅结构之间形成沿第一方向延伸的若干相互平行的第一沟槽；在所述第一沟...

一种半导体结构及其形成方法，结构包括：第一芯片；第二芯片；位于第一芯片和第二芯片之间的转接板，所述转接板电连接所述第一芯片和第二芯片，所述转接板内具有有源器件，所述有源器件用于实现所述第一芯片和第二芯片连接后的功能。所述半导体结构的堆叠...

本实用新型公开了一种晶圆搬送装置及其监控系统。本实用新型通过设置于晶圆承载机构中的三轴加速度传感器检测晶圆传送过程中晶圆承载机构的实时加速度信号，控制平台可以根据实时加速度信号与预先建立的基准加速度信号之间的变化获取晶圆搬送装置的实时运...

本发明实施例提供一种半导体结构及其制造方法，其中，所述半导体结构的制造方法包括：提供第一晶圆；所述第一晶圆具有相对设置的第一面和第二面，所述第一面上设置有若干沿第一方向和第二方向呈阵列排布的晶体管单元，所述晶体管单元包括沿第三方向呈对称...

本申请实施例公开了一种存储器的形成方法及存储器，存储器的形成方法包括提供基底，基底表面形成有晶体管柱阵列；形成覆盖晶体管柱阵列的堆叠结构，堆叠结构包括沿远离基底方向依次层叠的第一牺牲层和第一支撑层；形成贯穿堆叠结构的电容孔阵列，电容孔阵...