本发明公开一种电子部件内置式基板，包括：无芯基板（１１），在其中配线图案（３１）形成于层叠绝缘层（２６）和（２７）中；半导体芯片（１４），其与配线图案（３１）电连接；树脂层（１３），其构造成覆盖无芯基板（１１）的第一主面并且具有容纳半导...

在半导体封装的外部镀敷结构中，采用Ｐｄ或Ｐｄ合金膜作为材料代替作为焊接金属的常规焊料镀敷。提供了高度可靠的半导体元件外部镀敷结构，而不引起例如由须等导致的端子之间的短路的问题。在该外部镀敷结构中，在使用铜或铜合金材料的所述半导体元件的所...

本发明提供了一种半导体器件，其中半导体元件１０被安装在衬底１２的一个焊盘形成表面上，在半导体元件１０中多个电极接线端１６沿外边沿形成在除中心及其附近之外的沿外边沿预定宽度的区域内，在衬底１２的焊盘形成表面上形成了与电极接线端１６的每一个...

本发明提供一种静电吸盘，其能够吸附保持厚度存在波动的玻璃基板等，表面平面度较差的被吸附物，并与被吸附物的个体差异无关都能够获得一定的吸附力。其特征在于，本发明的静电吸盘具备：介电层（１２），其具有吸附被吸附物的吸附面；弹性层（１６），其...

本发明公开一种图案形成方法及其计算机可读介质，在利用分配给沿对象物的相对移动方向限定的各个曝光区域的多个空间光调制元件使该对象物的表面曝光以在该对象物的表面上形成所希望的图案的图案形成装置中，在该对象物沿与相对移动方向垂直的方向移动，使...

本发明公开一种半导体模块，在该半导体模块中，混合存在多种工作时具有不同发热量的半导体器件，导热片置于安装在基板上的模块主体与所述半导体器件的外表面之间，并且散热板通过在两块或更多所述半导体器件上覆盖所述半导体器件的外表面而安装在所述导热...

本发明公开一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括由封装树脂封装的半导体芯片，本发明的目的是提供一种可以减小尺寸的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体芯片（１５）；外部连接端子焊盘（１８），其与所述半导体芯片（１５）电...

一种半导体器件的制造方法，所述半导体器件包括：　　　　半导体基板，多个半导体芯片形成于其上；　　　　所述多个半导体芯片，其具有电极片；　　　　内部连接端子，其设置在所述电极片上；以及　　　　配线图案，其与所述内部连接端子连接，　　　　所...

本发明涉及一种半导体器件，其包括：第一半导体芯片；多层配线，其在所述第一半导体芯片上形成并且与所述第一半导体芯片连接；第二半导体芯片，其经由多层配线与所述第一半导体芯片连接；封装材料，其封装所述第二半导体芯片；以及突出插塞，其与所述多层...

本发明公开一种通过多个封装件彼此堆叠而构成的叠层式半导体封装件，在该叠层式半导体封装件中，所述多个封装件包括半导体封装件，所述半导体封装件包括：半导体芯片；基板，其中形成有凹部，所述半导体芯片安装在所述凹部中；以及配线结构，其以这种方式...

本发明公开一种半导体器件，其特征在于包括以下部件的结构：半导体芯片，其上形成有电极片；凸点，其形成于所述各个电极片上并具有凸出部分；绝缘层，其形成于所述半导体芯片上；以及导电图案，其与所述凸点连接，其中，所述凸出部分的末端插入所述导电图...

本发明公开一种半导体器件制造方法，其特征在于包括：第一步骤，其利用接合线在电极片上形成凸点，所述电极片形成在基板的与半导体芯片相对应的区域中；第二步骤，其在堆叠于所述基板上的叠层用基板中形成导通孔，并且用导电膏填入所述导通孔，在所述叠层...

本发明公开一种半导体器件，该半导体器件包括：半导体芯片，其上形成有电极片；电连接部件，其形成于所述电极片上；绝缘层，其形成于所述半导体芯片上；以及导电图案，其与所述电连接部件连接。在所述导电图案中形成有与所述电连接部件对应的开口部分。所...

本发明涉及一种半导体装置，其包含：多个焊球，其提供在上层封装上；以及多个焊盘，其提供在下层封装上并且直接连接到所述多个焊球，其中所述多个焊盘中至少有一个用作基准标记。此外，多个焊盘中至少有一个的形状与其它焊盘的形状不同并且焊盘中至少有一...

在制造半导体器件的一种方法中，此方法包括：ａ）制备一种类型的ＡＳＩＣ芯片；ｂ）制备不同的存储芯片；ｃ）制备共用的电路基板；ｄ）制备包括布线图的底座端子芯片，所述布线图具有存储芯片端子和外部连接端子；ｅ）通过倒装片结合的方式把一个ＡＳＩＣ...

本发明涉及一种包含电子元件的基板，其中包含电子元件的基板中，电子元件以多级堆叠方式安装在一对布线基板之间，一个布线基板和另一个布线基板通过焊球电气互连，第一电子元件安装在一个布线基板上，第二电子元件安装在第一电子元件上，其中用于包含第二...

制造一种电极焊盘和凸点的连接的可靠性好的半导体装置。该半导体装置的制造方法的特征为，具有：第１工序，其将半导体基板升温到第１温度，将多个凸点依次与在该半导体基板上形成的多个电极焊盘虚接合；第２工序，其将前述半导体基板升温到高于前述第１温...

本发明涉及一种制造电子器件、基板和半导体器件的方法，其包含：在半导体芯片（１０１）提供的电极焊盘（１０３）上形成具有突出物（１０４Ｂ）的凸块（１０４）的步骤；从半导体芯片（１０１）上形成的绝缘层（１０５）的上表面露出突出物（１０４Ｂ）的...

本发明公开一种制造配线基板的方法、一种制造半导体器件的方法以及一种配线基板。半导体器件（１００）具有这样的结构，即：半导体芯片（１１０）以倒装芯片的形式安装在配线基板（１２０）上。配线基板（１２０）具有多层结构，其中，多个配线层和多个绝...

本发明涉及带引脚的基板、布线基板和半导体器件，带引脚的基板包括引脚和其中形成有连接了引脚的通孔的支撑基板。引脚的头部安置在通孔中。通过把头部按压在通孔中来连接该引脚。