专利查询
首页
专利评估
登录
注册
西安华晶电子技术股份有限公司专利技术
西安华晶电子技术股份有限公司共有50项专利
一种颗粒状多晶硅的铸锭方法技术
本发明公开了一种颗粒状多晶硅的铸锭方法,包括步骤:一、装料:将颗粒状多晶硅装入坩埚内作为铸锭硅料;二、预热;三、熔化,过程如下:第1步、保温;第2步至第5步、升温及加压;第6步、第一次升温及保压:温度提升至T3,T3=1450℃;第7步...
一种多晶硅铸锭工艺制造技术
本发明公开了一种多晶硅铸锭工艺,包括步骤:一、预热;二、熔化;三、长晶:温度控制在T6并保温1h,T6=1420℃;隔热笼提升高度为90mm;温度控制在T6并保温2h,隔热笼提升高度不变;温度控制在T6并保温3h,隔热笼提升高度为110...
一种多晶硅铸锭用熔料工艺制造技术
本发明公开了一种多晶硅铸锭用熔料工艺,包括步骤:一、预热:采用铸锭炉对装于坩埚内的硅料进行预热,并将铸锭炉的加热温度逐步提升至T1;预热时间为6~10h,T1=1165~1185℃;二、熔化:对装于坩埚内的硅料进行熔化,熔化温度为T1~...
一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺制造技术
本发明公开了一种多晶硅铸锭熔料及排杂工艺,包括步骤:一、预热:采用铸锭炉对装于坩埚内的硅料预热,并将铸锭炉加热温度逐步提升至T1;预热时间为6~10h,T1=1165~1185℃;二、熔化,熔化温度为T1~T5;T5=1540~1560...
一种硅粉提纯用铸锭方法技术
本发明公开了一种硅粉提纯用铸锭方法,包括步骤:一、装料:将用硅粉压制成型的硅饼装入坩埚内作为铸锭硅料;二、预热;三、熔化,过程如下:第1步、保温;第2步至第5步、升温及加压;第6步、第一次升温及保压:温度提升至T3且升温时间为3~8h,...
真空输送灌装系统技术方案
本实用新型公开了一种真空输送灌装系统,包括真空产生单元、真空输送单元和自动控制单元,真空产生单元包括水循环真空泵以及通过泵进水管路和泵排气排水管路与水循环真空泵连接的水箱,泵进水管路上设置有第一气动球阀和第二气动球阀,真空输送单元包括通...
平面磨床用生产用水回收系统技术方案
本实用新型公开了一种平面磨床用生产用水回收系统,包括通过回水管路与被回收生产设备的下水管道相接且对被回收生产设备的生产用水进行回收的回收水箱,回收水箱通过抽水管路与对所回收生产用水进行存储的循环水罐进行连接,且抽水管路上安装有抽水泵和抽...
切方机与平面磨床用循环水罐制造技术
本实用新型公开了一种切方机与平面磨床用循环水罐,包括罐体、对罐体内部水位进行实时检测的水位检测单元和对罐体进行水平支撑的水平支架,罐体侧壁上部安装有与自来水供水设备相接的补水管,且罐体的侧壁上部设置有溢流管;罐体侧壁上设置有供对生产用水...
切方机与平面磨床用水循环系统技术方案
本实用新型公开了一种切方机与平面磨床用水循环系统,包括循环水罐、自来水供水设备、生产用水回收系统、循环水去污装置和电气控制系统,循环水罐通过装有补水阀的补水管路与自来水供水设备相接;生产用水回收系统包括通过回水管路与被回收生产设备的下水...
一种半导体级单晶硅生产工艺制造技术
本发明公开了一种半导体级单晶硅生产工艺,包括以下步骤:一、横向磁场布设:所布设横向磁场的磁场强度为1300高斯±100高斯;二、硅原料及掺杂剂准备;三、装料;四、熔料;五、引肩及放肩;六、转肩:放肩结束后进行转肩时,以3±0.3mm/m...
一种硅晶圆多线切割用粘棒托板超声清洗槽制造技术
本实用新型公开了一种硅晶圆多线切割用粘棒托板超声清洗槽,包括内部装有清洗液的清洗槽、安装在清洗槽内且供被清洗的多个托板紧固安装的安装支架和对多个所述托板进行清洗的超声波清洗装置,所述超声波清洗装置布设于清洗槽内,且安装在安装支架上的多个...
一种提高单晶硅纵向电阻率一致性的装置制造方法及图纸
本实用新型公开了一种提高单晶硅纵向电阻率一致性的装置,包括单晶炉,单晶炉炉体包括主炉室和副炉室,主炉室内设置有石英坩埚、布设在石英坩埚正上方的导流筒、套装在石英坩埚外侧的石墨坩埚和布设在石墨坩埚正下方的石墨热场系统,还包括水平放置在石英...
直拉硅单晶检测用测量道的制作装置制造方法及图纸
本实用新型公开了一种直拉硅单晶检测用测量道的制作装置,包括水平固定在工作平台上且用于固定被检测硅单晶的U形槽和与U形槽相配合使用且在被检测硅单晶的晶体表面打磨测量道的打磨工具,被检测硅单晶为采用直拉法生产的单晶硅棒材;打磨工具包括传动轴...
一种利用生产余热的新型水源热泵中央空调系统技术方案
本实用新型公开了一种利用生产余热的新型水源热泵中央空调系统,包括对自被利用设备的冷却循环水出口排出的循环冷却水进行收集的冷水存储箱和通过供水管道与冷水存储箱相接的水源热泵机组,冷水存储箱与冷却循环水出口之间通过冷却水出水管道进行连接;水...
一种上排气热场式直拉硅单晶炉石墨热场系统技术方案
本实用新型公开了一种上排气热场式直拉硅单晶炉石墨热场系统,包括布设在单晶炉主炉室内的主保温筒、位于主保温筒内侧中部的石英坩埚、套装在石英坩埚外侧的石墨坩埚、安装在石墨坩埚底部的锅托、安装在锅托正下方的托杆、布设在石英坩埚下方且对石英坩埚...
直拉硅单晶炉用节能装置制造方法及图纸
本实用新型公开了一种直拉硅单晶炉用节能装置,包括连接在单晶炉功率柜与单晶炉炉体之间的铜排结构,铜排结构包括两个结构相同的组合式铜排;单晶炉炉体安装在水泥基础上,单晶炉功率柜位于水泥基础一侧的地面上;组合式铜排包括与单晶炉功率柜上的接线端...
一种直拉法生产单晶硅用石墨坩埚夹取装置制造方法及图纸
本实用新型公开了一种直拉法生产单晶硅用石墨坩埚夹取装置,包括支撑立柱、安装在支撑立柱上部的把手、安装在所述支撑立柱底部的底座、通过连接组件一安装在所述支撑立柱中部外侧的多边形可伸缩性托架和布设在所述多边形可伸缩性托架下方的多个夹爪,多个...
一种直拉法生产单晶硅用掺杂装置制造方法及图纸
本实用新型公开了一种直拉法生产单晶硅用掺杂装置,包括盛装需添加掺杂剂的装料器、将装料器固定在籽晶夹头上的固定件和通过撞击重锤带动装料器晃动并使需添加掺杂剂自动加入石英坩埚内的撞击装置,籽晶夹头固定在重锤正下方,重锤通过拉绳悬吊在位于单晶...
一种硅料提纯生产用晶体破碎装置及其破碎方法制造方法及图纸
本发明公开了一种硅料提纯生产用晶体破碎装置及其破碎方法,其破碎装置包括水爆池、将处于高温状态的硅棒移至水爆池周侧并倒进水爆池内的水爆车和接至水爆池内的冲洗管道,水爆池由不锈钢材料制成且其底部设置有漏水口;硅棒为采用单晶炉拉制的圆柱形硅棒...
一种硅料提纯生产用晶体破碎装置制造方法及图纸
本实用新型公开了一种硅料提纯生产用晶体破碎装置,包括水爆池、将处于高温状态的硅棒移至水爆池周侧并倒进水爆池内的水爆车和接至水爆池内的冲洗管道,水爆池为由不锈钢材料制成且上部开口的水池,且所述水池底部设置有漏水口;硅棒为采用单晶炉且按常规...
首页
<<
1
2
3
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
115619
珠海格力电器股份有限公司
88136
中国石油化工股份有限公司
74264
浙江大学
70365
中兴通讯股份有限公司
63305
三星电子株式会社
62715
国家电网公司
59735
清华大学
49603
腾讯科技深圳有限公司
47410
华南理工大学
46295
最新更新发明人
四川西物激光技术有限公司
34
丹诺医药苏州有限公司
30
苏州元脑智能科技有限公司
3185
青岛乾程科技股份有限公司
211
西南医科大学附属医院
1448
武汉大学
23715
上海大学
16481
巩义市京华仪器有限责任公司
28
上海交通大学
37527
和泰颐康南京健康科技有限公司
2