本发明涉及一种钳位电压可选的多台阶肖特基接触SiC

本发明公开了一种新型的汽车大功率光源的使用方法，涉及照明设备配套设施技术领域，大功率光源包括灯体和面罩，所述面罩安装于灯体的端部，灯体内部安装有LED光源板，灯体内部还通过透镜支架安装有LED光源透镜，所述透镜支架的另一端安装有光源反射...

本发明涉及一种钳位电压可选的横向穿通型SiC

本发明涉及一种浮动结掺杂浓度呈阶梯渐变的碳化硅功率器件，包括背面电极、N+衬底区、N

本发明涉及一种浮动结厚度渐变的碳化硅功率器件，包括：N+碳化硅衬底层；N

本发明涉及一种源极和台面结构集成肖特基二极管的VDMOSFET器件，包括漏极、衬底、N

本发明公开了一种熔断式自灭火电池箱，涉及电池安全技术领域，包括箱体和箱盖，所述箱盖安装于箱体的上端，所述箱体内对称设有两组隔离件并将箱体分成位于两侧的灭火腔以及位于中间并与灭火腔相连通的电池腔，所述灭火腔内放置有灭火单元，所述电池腔内放...

本发明公开了一种汽车加压装置的传动方法，涉及汽车领域，加压装置包括主轴、飞轮组件以及缸体，所述主轴上固定连接有飞轮组件，所述主轴通过汽车传动系统带动旋转，所述飞轮组件与活塞杆的底部滑动卡接，利用飞轮与飞轮环转动连接的组合代替常规凸轮，减...

本发明涉及一种带有埋层沟道的碳化硅MOSFET气体传感器，包括：碳化硅衬底、碳化硅外延层、n型沟道层、p型掺杂层、源极N+层、源极、漏极N+层、漏极、栅极氧化层和栅极，碳化硅外延层位于碳化硅衬底上；n型沟道层位于碳化硅外延层的内部；p型...

本发明涉及一种减少背面刻蚀深度的粱膜结构碳化硅MEMS压力传感器，通过将碳化硅MEMS压力传感器的压力感应膜由常规的平模结构改为粱膜结构，可以限制压力感应膜在压力作用下的变形，从而提高碳化硅MEMS压力传感器的线性度。在制备过程中，将碳...

本发明公开了一种氮化镓基材料的表面处理方法及器件的制备方法，氮化镓基材料的表面处理方法，包括如下步骤：在氮化镓基材料的结构层表面生长氧化物保护膜，得到第一中间结构层；对第一中间结构层的表面进行氢离子气体处理，得到第二中间结构层；刻蚀去除...

本发明公开了一种基于氮掺杂石墨化的碳化硅上氮化物异质结及其制备方法，涉及半导体技术领域，该异质结包括从下至上依次设置的单晶碳化硅衬底、石墨烯缓冲层、氮化铝成核层、氮化镓氮化铝超晶格沟道层、氮化铝插入层、掺磷氮化铝势垒层以及氮化镓帽层，本...

本发明提供了一种硅基液晶显示驱动电路的部分版图结构包括多个最小像素矩阵单元，每个最小像素矩阵单元由4个完全相同的像素单元构成，4个像素单元呈2*2排列，并在垂直轴以及水平轴呈轴对称，在最小像素矩阵单元内部采用相邻像素单元共用地，4个像素...

本发明公开了一种环形TSV阵列温度场和应力场参数自动优化方法，包括：建立环形TSV阵列温度场和应力场对应的有限元模型；设置所述有限元模型对应的初始TSV阵列参数；基于所述有限元模型对所述初始TSV阵列参数进行仿真验证，以获得模拟参数数据...

发明公开了一种汽车空调进风箱的补风方法，涉及汽车空调技术领域，空调进风箱包括进风箱壳体和风门，所述风门借助于电磁吸附装置实现内循环风进风口和外循环风进风口的密封，所述风门上远离转轴的一端还分别安装有内循环进风管和外循环进风管，内循环进风...

本发明公开了一种同轴穿透硅通孔热应力耦合优化设计方法，涉及三维集成电路设计技术领域，包括：构建同轴穿透硅通孔的温度场和应力场耦合的有限元模型；进行有限元模拟仿真实验，获取同轴穿透硅通孔的设计参数与峰值温度数据库和设计参数与峰值应力数据库...

本发明公开了线性调频信号的预失真补偿方法、电子设备及存储介质，其中的方法包括：获取待补偿线性调频信号，以及待补偿线性调频信号的第一发射反馈信号和第二发射反馈信号；分别获取待补偿线性调频信号、第一发射反馈信号和第二发射反馈信号的脉冲位置信...

一种缺陷可控的单层非晶氧化镓的单双极共存阻变存储器及制备方法，装置包括从下到上依次设置的下电极、阻变材料层和上电极；下电极、阻变材料层、上电极均为单层结构，下电极采用Pt衬底，阻变材料层采用非晶氧化镓薄膜，上电极采用活性电极Ag；其中阻...

本发明公开了一种逐次逼近型模数转换器及其校准方法，其中的器件包括：比较器；数模转换器包括分别接入比较器的两个输入端的第一电容阵列和第二电容阵列；逻辑控制器与比较器的输出端以及数模转换器相连接，器根据比较器的输出控制数模转换器中各电容第一...

一种表面P型氧化镓的制备方法，在衬底上生长氧化镓层，然后通过表面功能化生长制备单层极性氢氟化石墨烯，最后采用转印聚合物对极性氢氟化石墨烯进行二次转移调整方向之后，转移到氧化镓层上，构建形成氧化镓/极性氢氟化石墨烯异质结界面，利用异质结界...