本发明公开了一种具有P型埋层的HEMT器件结构及其制备方法，涉及半导体技术领域，该器件包括从下至上依次设置的衬底、底部GaN缓冲层、顶部UID

本发明公开了一种爆胎防侧翻车轮的传动方法，涉及汽车领域，防侧翻车轮包括轮毂、支撑装置、环形支撑片以及触发开关，所述环形支撑片通过若干个支撑装置与轮毂连接，所述触发开关设于轮毂与轮胎之间且固定连接在轮毂上，所述环形支撑片带有磁性，所述轮毂...

本发明公开了一种用于自动驾驶汽车的安全装置，包括信息采集模块、安全处理模块和执行模块，信息采集模块至少包括车距检测雷达和车速采集装置，分别用于采集前后方的车距信息和自身车速，安全处理模块用于根据车距信息和自身车速判断是否进行预碰撞保护，...

本发明公开了一种增强型场效应晶体管的制备方法及器件，其中的方法包括如下步骤：获取制备基底；制备基底包括衬底层以及依次生长于衬底层上的沟道层和势垒层；在镁源气氛下在制备基底上依次生长AlGaN基体层和GaN量子点，并在完成GaN量子点的生...

本发明公开了一种紫外光探测器，包括：衬底以及依次设置于衬底上的高阻层和光敏层；第一阳极、第二阳极和阴极基底，均设置于光敏层上且均与光敏层形成电学接触，阴极基底设置于第一阳极和第二阳极之间；阴极，设置于阴极基底上并与阴极基底形成电学接触；...

本发明公开了一种光探测器，包括：衬底；第一导电层，设置于衬底上，且第一导电层为量子点结构的高铝组分p型掺杂层；光敏层和第二导电层，依次设置于第一导电层上；第一电极和第二电极，分别设置于衬底和第二导电层上，第一电极与第一导电层电接触，第二...

本发明公开了一种改进SMOKE的单目视觉3D车辆目标实时检测方法，包括下列步骤：步骤一、3D车辆数据采集与标定；步骤二、数据集制作；步骤三、构建3D车辆目标检测模型；该步骤中，3D车辆目标检测模型为改进SMOKE的目标检测模型，包括在DLA

本发明公开了一种基于方向包围盒的自动驾驶碰撞检测方法，涉及自动驾驶技术领域，首先，从车辆感知系统中实时获取相对可靠的障碍物包围盒(OBB)数据；其次，从车辆轨迹规划模块，获取已经规划好的候选轨迹并离散，对每个离散点，创建车辆OBB包围盒...

本发明公开了一种历史像素索引的硬件实现方法及系统，所述方法包括以下步骤：将原始数据和关键参数输入历史像素索引模块；根据历史编码预测模式，更新所述历史像素索引模块；基于所述原始数据和所述历史像素索引模块中存储的所有像素，计算权重值；基于所...

本发明公开了一种时间数字转换电路，包括：计数器单元，用于对定时信号进行脉冲计数，并输出定时信号之间的残差信息和第一计数器值；第一时间测量单元，包括第一延迟锁相环电路、同步电路和异步电路，同步电路用于基于第一延迟锁相环电路输出的相位信号对...

本实用新型公开了一种金刚石场效应晶体管，包括：金刚石衬底以及设置于金刚石衬底上的第一半导体层，第一半导体具有为氢终端表面的第一表面；第一表面具有相对于金刚石衬底的表面倾斜的第一部分，第一半导体层在第一部分处的厚度在靠近器件端部时逐渐减小...

本实用新型公开了一种金刚石场效应晶体管，包括：金刚石衬底，金刚石衬底的第一表面为氢终端表面；第一器件功能层，设置于第一表面上，第一器件功能层包括：源极和漏极，均设置于第一表面上，且分别位于第一表面的两端；介质层，设置于源极和漏极之间的第...

本发明公开了一种低噪声超宽带有源巴伦，采用电流复用结构的放大器和差分对有源巴伦串联构成。本发明的低噪声超宽带有源巴伦通过电流复用结构提高电压增益，减小功耗和噪声系数，通过宽带匹配结构来实现超宽频带内50Ω的输入阻抗匹配；差分对有源巴伦引...

本发明公开了一种基于正态分布散热方式的动力电池装置，涉及电池领域，包括电池盒、电池以及散热风扇，所述电池有多个且以矩形阵列的方式布置于电池盒内，相邻两个电池的间距相同，所述散热风扇分别设置于电池盒的前后两侧且相间设置，每个散热风扇均位于...

本发明公开了一种基于C面蓝宝石衬底的半极性锥形LED结构，涉及半导体技术领域，包括C面蓝宝石衬底、GaN成核层、非故意掺杂GaN层、n

本发明公开了一种基于EKF多模型融合的车道线方程拟合及曲率计算方法，包括下列步骤：A：图像信息采集；B：图像预处理；C：逆透视变换车道线检测；D：基于Ultra

本发明公开了一种带有刻蚀保护层的金刚石基氮化镓器件的制备方法，涉及半导体技术领域，通过上述方法获得了器件，该器件包括金刚石衬底、第一衬底、低温氮化镓成核层、氮化镓缓冲层、氮化镓沟道层、铝镓氮势垒层、漏电极、源电极、栅电极、介质层和保护层...

本发明公开了一种电动汽车充电桩，涉及电动汽车技术领域，包括充电桩本体、箱体、第一导向组件、第二导向组件、热风管、导流板以及振动机构，本发明不仅实现了电缆的自动收放，而且还能够在不占用现有充电桩过多空间的前提下，通过设置的热风管以及振动机...

本发明公开了一种基于硅衬底的新型非平面沟道氮化镓HEMT的制备方法，涉及半导体技术领域，通过上述方法获得了器件，该器件包括衬底、AlN成核层、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层、源电极、漏电极、栅极以及钝化层。本发明提供的非平...

本发明涉及一种单晶金刚石及制备方法，其制备方法包括步骤：S1、在衬底上制备金刚石成核层；S2、在金刚石成核层上外延生长晶面取向均一、且表面凹凸不平的多晶金刚石层；S3、在多晶金刚石层的凹凸不平的表面上外延生长金属铱；S4、对金属铱进行表...