本发明提供了一种无金欧姆接触电极及其制备方法。包括：从下至上依次设置的：衬底层、缓冲层、插入层、势垒层、GaN帽层以及钝化层；钝化层包括：第一钝化层和第二钝化层；第一钝化层和第二钝化层左右对称地设置于GaN帽层上表面的两侧；栅极设置于钝...

本发明公开了一种紫外光电探测器及其制备方法，涉及半导体光电子器件领域。该紫外光电探测器，包括外延层、沟道层、势垒层、介质层、阴电极和阳电极；其中，外延层、沟道层和势垒层自下而上层叠设置；沟道层和势垒层形成透明电极；阳电极设置在外延层上，...

本发明涉及一种适用于半导体工艺的斜面光刻胶掩膜的制备方法，包括以下步骤：S1：形成第一层光刻胶；S2：对第一层光刻胶依次进行第一次前烘、第一斜面图形化处理和第一次后烘，得到斜面图形化的第一层光刻胶；S3：在斜面图形化的第一层光刻胶上涂布...

本发明公开了一种基于多沟槽和浮动结的二极管雪崩整型器及其制备方法，该器件包括SiC衬底、SiC外延层、沟槽区、P+区、浮动结区、负电极和正电极；其中，沟槽区设置在SiC外延层的表层，包括均匀分布的多个沟槽；P+区自沟槽区两侧的SiC外延...

本发明公开了一种基于特定时钟注入的小数倍频延迟锁相环，包括Σ‑Δ调制器、特定时钟产生模块和倍频延迟锁相环。其中，Σ‑Δ调制器用于根据设定的小数值输出分频系数；特定时钟产生模块用于基于外部参考时钟产生多个等相位间隔的时钟，根据设定的小数值...

本技术公开了一种低成本激光脉冲信号峰值检测电路，涉及检测电路领域，包括数字逻辑控制部分，包括模拟部分与数字部分，所述模拟部分包括多个子单元，每一个所述子单元包括一个峰值检测电路部分和一个低速ADC部分，每一个所述子单元均通过一个主开关W...

本技术公开了一种高速回波信号双沿精准测时电路，涉及高速回波信号处理领域，包括两块TDC芯片、FPGA、HCMP，两块所述TDC芯片的输入端与HCMP的输出端相连接，两块所述TDC芯片的输出端与FPGA连接，所述HCMP的输入前端连接有T...

本技术公开了一种全固态激光雷达焦平面阵列结构，涉及激光雷达技术领域，包括硅基转接板、雪崩光电二极管以及ROIC阵列，所述硅基转接板上端面设有若干个焊盘，所述焊盘上焊接有雪崩光电二极管，所述ROIC阵列通过焊球焊接在硅基转接板的下端面，所...

本技术公开了一种支持单端与差分切换的多通道选通的跨阻放大器输入连接电路，涉及激光雷达芯片技术领域，包括TIA模块、多通道输入模块和光电接收模块，所述多通道输入模块分别与TIA模块的差分正向输入和差分负向输入连接，所述光电接收模块的输出端...

本发明公开了一种p‑GaN栅增强型MIS‑HEMT器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括：多层功能层；p型氮化镓层，位于多层功能层的一侧；源极和漏极，位于多层功能层的一侧，且源极和漏极分别位于p型氮化镓层的两侧，源极和漏极至少部分延...

本发明涉及一种沟槽型SiC‑TVS器件及其制备方法，该器件包括：SiC衬底层；SiC外延层，SiC外延层包括第一基区和若干发射区，第一基区设置于SiC衬底层上，若干发射区间隔设置在所述第一基区上；第一电极，第一电极包括若干发射极和若干基...

本发明公开了一种p‑GaN栅增强型HEMT器件及其制备方法，涉及半导体晶体管技术领域。该器件包括由下而上依次层叠设置的衬底层、成核层、缓冲层、沟道层和势垒层，以及在势垒层的上表面依次间隔设置的源电极、p‑GaN栅和漏电极，p‑GaN栅包...

本发明涉及一种具有支撑结构的浮空T型栅HEMT器件及其制备方法，该制备方法包括：在衬底层上制备异质结结构；在源电极欧姆区域和漏电极欧姆区域的势垒层上分别制备源电极和漏电极；在源电极和漏电极之间有源区的势垒层上制备钝化层；去除栅电极区域的...

本发明涉及一种氮极性GaAsN/AlPN异质结的HEMT器件及其生长方法，HEMT器件包括：衬底层、成核层、缓冲层、AlPN背势垒层、插入层、GaAsN沟道层、帽层、绝缘栅介质层、源电极、漏电极和栅电极，衬底层1、成核层2、缓冲层3、A...

本发明公开了一种基于Ga空位工程调控的GaN HEMT外延结构及制备方法，该外延结构包括：包括衬底层；以及依次层叠在衬底层上的AlN成核层、AlGaN缓冲层、Ga空位工程缓冲层、GaN高阻层、GaN沟道层、AlN插入层、AlGaN势垒层...

本发明涉及一种氧化镓薄膜光电探测器及其制备方法，制备方法包括步骤：S1、提供衬底；S2、采用射频磁控溅射方法在所述衬底上生长氧化镓薄膜层，并在溅射氧化镓薄膜层的过程中对所述衬底施加偏压；S3、对所述氧化镓薄膜层进行退火处理；S4、在所述...

本发明涉及一种基于自终止刻蚀工艺的增强型器件及其制备方法，包括以下步骤：S1：在衬底层的表面自下而上依次形成成核层、缓冲层、沟道层、势垒层和GaN层，势垒层含有Al离子；S2：对栅极区域外的GaN层进行F离子注入，形成F离子注入层；S3...

本发明涉及一种氧化镓薄膜及其制备方法，制备方法，包括以下步骤：S1：获取衬底；S2：对所述衬底的表面进行溅射清洗，得到预溅射后的衬底；S3：对所述预溅射后的衬底施加偏置电压，同时在所述预溅射后的衬底表面生长氧化镓薄膜；S4：对所述氧化镓...

本发明公开了一种肖特基/欧姆混合漏极结构的低阻高击穿GaN基HEMT器件及其制备方法，通过引入第一嵌套矩形沟槽和第二嵌套矩形沟槽将接触形式扩展到了三维立体层面，能显著增大欧姆金属与异质结沟道处的接触面积，将进一步减小GaN基HEMT器件...

本发明公开了一种车载超声波车载雷达的定位算法及其硬件加速的方法及系统，涉及数据处理技术领域，解决了现有技术中面对多个障碍物的情况无法处理，计算结果不正确的问题；该方法包括：分别确定多个车载雷达对应的多个障碍物，计算每个车载雷达与对应多个...