本实用新型公开了一种气液相混合生长氮化镓单晶的装置，包括密闭腔体、用于盛放镓的容器、加热机构和等离子发生器，容器放置在密闭腔体中，镓放置在容器中，加热机构位于容器的底部和顶部使镓处于熔融状态，等离子发生器位于密闭腔体的外部，等离子发生器...

一种氮化镓高电子迁移率晶体管结构，属于HEMT器件结构技术领域，该晶体管结构，包括衬底，衬底表面依次生长GaN缓冲层、AlGaN层和电极层，GaN缓冲层包括在衬底表面依次生长碳掺杂GaN层Ⅰ和非故意掺杂GaN层Ⅰ而形成的反偏PN结，反偏...

本实用新型揭示了一种MOCVD设备反应室喷淋口的清洁装置，清洁装置设有风罩，所述风罩的底板上固定有电机，所述电机的输出轴连接风罩内的刀座，所述刀座上固定有刀片，所述风罩上设有抽尘孔，所述抽尘孔与软管一端连接，所述软管的另一端连接吸尘设备...

本实用新型公开了一种镀锅，包括镀锅本体、用于装载晶圆片的载片盘和设置于所述镀锅本体上且用于调节载片盘的角度的调节机构。本实用新型的镀锅，载片盘角度可调节，保证了蒸发入射角度也是可以调节的，从使得金属线条的角度有较大的选择性，增加工艺窗口...

一种增强型氮化镓高电子迁移率晶体管结构，属于HEMT器件结构技术领域，该晶体管结构，包括氮化镓基功率器件，氮化镓基功率器件通过钝化层与后端工艺晶体管相连，钝化层内设置有导电柱，导电柱将氮化镓基功率器件的电极层与后端工艺晶体管的电极层相连...

本实用新型公开了一种插针产品用组装定位装置，包括托板、设置于托板上的定位板和设置于定位板上的盖板，定位板具有让圆柱型PIN针插入的PIN针孔和让DBC板嵌入的容置槽，PIN针孔设置多个。本实用新型的插针产品用组装定位装置，方便进行圆柱型...

本实用新型涉及半导体领域，具体来说是一种小沟道电阻的HEMT器件，包括衬底，所述衬底上设有缓冲层；所述缓冲层上设有沟道层；所述沟道层上设有势垒层；所述势垒层上具有源极、栅极以及漏极；所述栅极与势垒层之间设有P

本实用新型公开了一种适用于晶圆退火的载盘，包括载盘本体和设置于载盘本体上且用于对晶圆进行定位的定位机构，载盘本体具有用于放置晶圆的作业区和位于作业区外侧的缓冲区。本实用新型适用于晶圆退火的载盘，设置一部分区域作为作业区，并增加温场和气流...

一种半导体晶圆批量处理用退火炉，属于半导体退火设备技术领域，该退火炉，包括内炉体，所述内炉体的反应室内设置有旋转载台，所述旋转载台沿其周向间隔设置有用于承载晶圆的定位槽，所述内炉体的外部设置有向内炉体传递热量的辐照加热组件，本实用新型的...

一种半导体晶圆连续退火处理设备，属于半导体退火设备技术领域，该连续退火处理设备，包括退火炉体以及穿过退火炉体并向其中运输晶圆的运输载台，退火炉体沿着运输载台的运输方向依次设置的升温腔室、持温腔室和降温腔室，本实用新型的有益效果是，该退火...

本实用新型公开了一种氮化镓高迁移率晶体管器件，包括衬层、晶体管层、帽层和插层，所述插层为六方氮化硼插层，六方氮化硼插层设置在衬层上，晶体管层设置在六方氮化硼插层上，帽层设置在晶体管层上。衬层为金刚石衬底，在金刚石衬底上通过液相转移二维六...

本发明提供一种应用于MOCVD技术领域的MOCVD反应腔室清扫装置，本发明还涉及一种MOCVD反应腔室清扫方法，所述的MOCVD反应腔室清扫装置的所述的MOCVD反应腔室清扫装置的承载盘(1)上部设置擦拭部件Ⅰ(2)，承载盘(1)下部通...

一种具有双电子阻挡层的深紫外发光器件及其制备方法，属于发光二极管的制备技术领域，该深紫外发光器件，包括由下而上设置的电子注入层、多量子阱层和空穴注入层，电子注入层和多量子阱层之间设置有铝组分呈梯度渐变的第一电子阻挡层，空穴注入层和多量子...

本实用新型公开一种N极图形化粗糙处理的SiC SBD器件该SiC SBD器件包括：位于SiC衬底背面的N电极区，位于N电极区上的金属层Ⅱ；在N电极区与金属层Ⅱ之间设有粗糙区，金属层Ⅱ与SiC衬底形成欧姆接触。金属层Ⅱ通过与N电极区的Si...

本发明涉及半导体及半导体制造技术领域，具体来说是一种抑制电流崩塌的HEMT器件及其生产方法，包括衬底，所述衬底上设有成核层；所述成核层上设有缓冲层；所述缓冲层上设有沟道层；所述沟道层上设有势垒层；所述势垒层上具有源极、栅极以及漏极；所述...

本发明公开了一种SiCMOSFET结构，包括SiC衬底层、SiC外延层、P

本发明公开了一种增强型SiC异质结晶体管外延结构及其制备方法，所述增强型SiC异质结晶体管外延结构由下至上依次包括：SiC衬底层、N型高掺杂4H

本发明公开了一种含超级结的增强型SiC异质结晶体管外延结构及其制备方法，所述含超级结的增强型SiC异质结晶体管外延结构由下至上依次包括：SiC衬底层、N型高掺杂4H

本发明公开了一种耗尽型SiC异质结晶体管外延结构及其制备方法，所述耗尽型SiC异质结晶体管外延结构由下至上依次包括：SiC衬底层、N型高掺杂4H

本发明公开了一种耗尽型SiC异质结晶体管外延结构及其制备方法，所述耗尽型SiC异质结晶体管外延结构由下至上依次包括：SiC衬底层、N型高掺杂4H