本发明公开了一种UVC半导体发光器件，包括：衬底；外延层，其设置于衬底上，外延层包括依次设置的N型AlGaN层、MQW发光层、P型AlGaN层和P‑GAN层；N电极层，其设置于N型AlGaN层上；P电极层，其设置于P‑GAN层上；以及反...

本发明公开了一种基于Al‑N共掺的SiC外延结构及其制备方法，所述基于Al‑N共掺的SiC外延结构由下至上依次包括：衬底、Al‑N共掺层一、Al‑N共掺层二、Al‑N共掺层三、N型掺杂层一、Al‑N共掺层四、Al‑N共掺层五、N型掺杂层...

本发明公开了一种C面SiC外延结构及外延沟槽的填充方法，包括以下步骤：对正轴C面4H‑SiC衬底进行刻蚀、在正轴C面4H‑SiC衬底上生长N型4H‑SiC缓冲层、在4H‑SiC缓冲层上生长N型4H‑SiC外延层、由N型4H‑SiC外延层...

本发明公开了一种键合Si衬底及其制备方法及制备Si/3C‑SiC异质结构和3C‑SiC薄膜的方法，通过对两个Si衬底分别进行表面刻蚀、表面下25‑35μm深度处注入H

本发明公开了一种{03‑38}面碳化硅外延及其生长方法，通过使用双(三甲基硅基)甲烷作为Si源和C源，降低生长温度从而降低Z1/2中心；该生长方法制备的{03‑38}面碳化硅外延的结构为由上至下依次包括：正轴{03‑38}面SiC衬底、...

本实用新型揭示了一种集成肖特基二极管结构SiCMOSFET器件，自下而上包括漏极、SiC衬底、N

本实用新型公开了一种SiC异质结晶体管外延结构及器件，所述SiC异质结晶体管外延结构由下至上依次包括C面4H‑SiC衬底、4H‑SiC外延层、N型3C‑SiC外延层；该结构中3C‑SiC与4H‑SiC形成的异质结具有可忽略的热匹配和晶格...

本实用新型公开了一种3C‑SiC外延结构，所述3C‑SiC外延结构由下至上依次包括衬底、GaN缓冲层、3C‑SiC外延层；通过在衬底和3C‑SiC外延层之间插入了禁带宽度和临界击穿场强更高的GaN缓冲层，提升了3C‑SiC器件的耐压性能...

一种晶圆腐蚀用具，属于晶体材料缺陷表征技术领域，该晶圆腐蚀用具，放置在盛放有腐蚀剂的容器内，容器放置在加热炉体内，腐蚀用具包括镍坩埚和定位部件，镍坩埚的上部设置有容纳晶圆的开口槽，开口槽上端的外周方向连接定位部件，定位部件压紧定位在晶圆...

本实用新型公开了一种含超级结的3C‑SiC外延结构，所述含超级结的3C‑SiC外延结构由下之上依次包括衬底、含超级结结构的N型外延层、3C‑SiC外延层；本实用新型通过在3C‑SiC外延层之下插入了含超级结结构的N型外延层，补偿了3C‑...

本实用新型揭示了一种抗撕裂功率模块，包括基板和引脚，引脚的一端固定在基板上并与基板上的电路电连接，基板和引脚塑封在塑封体内，引脚的另一端位于塑封体外，引脚包括固定端、延伸段和吸能段，吸能段的一端为固定端，固定端通过焊锡层固定在基板上，吸...

本发明揭示了一种集成肖特基二极管结构SiC MOSFET器件，自下而上包括漏极、SiC衬底、N

本发明提供了碳化硅晶圆腐蚀的保护方法，包括以下步骤：1)在碳化硅晶圆表面镀耐腐蚀层；2)去除碳化硅晶圆待腐蚀面的耐腐蚀层；3)腐蚀步骤2)处理后的碳化硅晶圆；4)观察碳化硅晶圆的缺陷情况；5)去除碳化硅晶圆其他面的耐腐蚀层；6)去除碳化...

本发明提供了一种碳化硅晶圆腐蚀后循环使用的方法，包括以下步骤：1)碳化硅晶圆的待腐蚀面覆盖保护层；2)步骤1)处理后的碳化硅晶圆其余表面镀耐腐蚀层；3)去除保护层；4)腐蚀步骤3)处理后的碳化硅晶圆；5)观察碳化硅晶圆的缺陷情况；6)去...

本发明公开了一种SiC异质结晶体管外延结构及器件，所述SiC异质结晶体管外延结构由下至上依次包括C面4H‑SiC衬底、4H‑SiC外延层、N型3C‑SiC外延层；该结构中3C‑SiC与4H‑SiC形成的异质结具有可忽略的热匹配和晶格匹配...

本发明公开了一种3C‑SiC外延结构，所述3C‑SiC外延结构由下至上依次包括衬底、GaN缓冲层、3C‑SiC外延层；通过在衬底和3C‑SiC外延层之间插入了禁带宽度和临界击穿场强更高的GaN缓冲层，提升了3C‑SiC器件的耐压性能；且...

本发明提供了一种SiC外延沟槽的填充方法，包括以下步骤：对衬底上生长的N型4H‑SiC外延层进行沟槽刻蚀，对刻蚀后的沟槽进行部分填充，在沟槽内形成表面为V型坑的SiC外延层并生长V型坑，向沟槽内填充表面平整的SiC外延层，直至将沟槽填满...

本发明公开了一种SiC外延沟槽的填充方法及该方法制备得到的沟槽填充结构，在外延腔中生长完4H‑SiC后，改变生长条件，继续生长100～200nm厚的3C‑SiC外延层，沟槽刻蚀完全后，在沟槽内4H‑SiC填充过程中，由于台面顶部存在10...

本发明提供了一种SiC外延深沟槽的填充方法，包括以下步骤：对衬底上生长的N型4H‑SiC外延层进行沟槽刻蚀，刻蚀深度大于10μm；对刻蚀后的沟槽进行部分填充，在沟槽内形成表面为V型坑的SiC外延层；将V型坑填平；多次重复上述步骤直至生长...

本发明公开了一种含超级结的3C‑SiC外延结构及其制备方法，所述制备方法包括以下步骤：在衬底上生长N型外延层；由N型外延层的表面向下刻蚀沟槽；向沟槽内填充P型外延层；CMP抛光，抛去在填充的过程中台面顶部过生长的外延层，直至得到表面光滑...