本发明公开了一种反应腔、薄膜厚度一致性监测方法、薄膜沉积设备，该反应腔包括：第一腔体、第二腔体、抽气口、第一膜厚传感器和第二膜厚传感器，所述抽气口设于所述第一腔体与所述第二腔体的中间，所述第一膜厚传感器设于所述第一腔体中且邻近所述抽气口...

本技术公开了一种高温导热组件及半导体设备，高温导热组件包括被加热件、加热件和压紧组件；加热件与被加热件连接，加热件用于产生热量并传递至被加热件；压紧组件的一端贯穿加热件并与被加热件连接，压紧组件的另一端抵压加热件背离被加热件的一侧。本技...

本发明公开了一种混气输送结构和半导体器件的工艺设备。该混气输送结构包括：基体，位于反应腔的进气口，其内部插入破气塞，其中，所述破气塞与所述基体之间保持一狭缝；以及所述破气塞，其侧壁上设有多个破气孔，注入所述破气塞内的第二工艺气体经由所述...

本技术提供了一种晶圆传输腔室的抽气装置及晶圆传输腔室，包括：分别通过阀门与传输腔室相连接的干泵和分子泵，该干泵与该分子泵之间也通过阀门相连接，该分子泵上还连接有带有气动隔离阀的氮气源，该抽气装置可以提升传输腔室的真空度。

本发明公开了一种化学源输送管路结构及PEALD设备，化学源输送管路结构，包括载气输送管路、载气进入管路以及反应源输出管路，载气输送管路与反应腔可通断地的连接，载气进入管路与载气输送管路和反应源入口可通断地的连接；反应源输出管路与反应源出...

本发明公开了一种加热盘机构及其加热腔机构、薄膜沉积设备，加热盘机构包括：加热盘以及嵌设于加热盘内的光强度检测组件，光强度检测组件用于正面接收检测光源的光信号。光强度检测组件包括：导光头，连接于导光头的抗紫外线光纤，以及连接于抗紫外线光纤...

本发明提供了一种工艺腔室及其清洁方法，以及半导体器件的加工设备。所述工艺腔室包括：腔室本体，至少设有下基板，其中，所述下基板用于加热晶圆和/或向其喷洒第一反应物，以对其进行薄膜沉积工艺；以及匀气衬套，设于所述腔室本体侧壁的内侧，以配合所...

本发明公开了一种波纹管辅助安装装置和波纹管，波纹管辅助安装装置包括第一支撑件和第二支撑件；第一支撑件其两端分别为第一端和第二端，第一端上设有波纹管上端固定部；第二支撑件其两端分别为第三端和第四端，第三端上设有波纹管下端固定部，第四端与第...

本发明提供了一种加热盘、加热盘的加工方法及一种工艺腔室。所述加热盘包括：加热盘本体，用于对其上承载的晶圆进行加热；以及氧化铝膜层，设于所述加热盘本体之上，其上表面具有至少一个凹陷的图案区，用于在薄膜沉积工艺过程中对所述晶圆背面散热，并经...

本发明公开了抽气环件、工艺腔体、薄膜沉积设备及抽气环件安装方法。抽气环件安装于工艺腔体的腔室中；抽气环件包括抽气衬套和抽气环；抽气衬套安装于腔室中，抽气衬套上开设有环形搭接槽；抽气环搭接于环形搭接槽中，抽气环与抽气衬套之间形成腔室与外部...

本发明公开了一种喷淋组件，喷淋腔，以及半导体器件的工艺设备。喷淋组件包括第一分气部，位于喷淋盘上，以使从上方进气端通入的活性气体经由所述第一分气部，向外周进行一次扩散；第二导气部，位于喷淋盘上且分布于所述第一分气部的四周，承接经过所述一...

本发明提供了分体式晶圆支撑机构、工艺腔室、加工方法及存储介质。分体式晶圆支撑机构包括多个第一环体、多个第二环体及第一升降机构。多个第一环体经由多根第一支杆设于工艺腔室内部，用于支撑晶圆边缘的多个第一位置。多根第一支杆位于晶圆下方的喷淋头...

本发明提供了一种半导体器件的加工方法、设备及存储介质。所述半导体器件的加工方法包括以下步骤：在原子层沉积循环工艺中，获取原子层沉积阀的实时状态参数，其中，所述状态参数选自所述原子层沉积阀切换状态的累计动作次数和/或实际响应时间；根据所述...

本发明提供了一种气体加热装置、气体传输系统及方法，以及半导体器件的加工设备。所述气体加热装置包括：外管，用于为待加热气体提供封闭的传输通道；内管，设于所述外管的内侧，其上设有至少一个沿气体流动方向延伸且大小可调的开口；以及加热结构，设于...

本发明公开了一种喷淋头结构、半导体器件的加工设备及加工方法。该喷淋头结构其前端连接等离子体源，后端连接反应腔，所述喷淋头结构包括：石英喷淋盘，用于将从所述等离子体源中获取到的具有还原性的原子喷淋到所述反应腔内，以还原所述反应腔内晶圆表面...

本发明公开了一种波纹管检漏装置及其使用方法、薄膜沉积设备，该波纹管检漏装置包括：上固定板、下固定板、连接组件和抽气管，所述上固定板与所述下固定板上下间隔设置，所述上固定板和所述下固定板通过所述连接组件可拆卸连接固定，所述抽气管设于所述上...

本发明公开了一种抽气机构，半导体器件的加工设备及加工方法。抽气机构包括：抽气基管，在位于反应腔侧壁的第一抽气口和位于所述反应腔底部的第二抽气口之间移动，其中，所述抽气基管的第一端连接抽气装置，其第二端设有至少一个第三抽气口，通过移动所述...

本发明公开了一种抽气机构、半导体器件的工艺设备和加工方法。抽气机构包括：侧抽环，位于反应腔内，环绕加热盘，并经由第一抽气通道连接抽气装置，其中，所述第一抽气通道中设有第一阀门；以及底抽环，位于所述反应腔内的所述加热盘的下方，并经由第二抽...

本发明公开了一种温度控制系统、方法及原子层沉积设备，该温度控制系统应用于原子层沉积设备，所述原子层沉积设备包括反应腔，所述温度控制系统包括：加热部，设置于反应腔的一侧；冷却部，设置于加热部远离所述反应腔的一侧，其中，所述加热部和冷却部中...

本发明公开了一种化学源储存装置及薄膜沉积系统。化学源储存装置用于向薄膜沉积系统的反应腔提供化学源；化学源储存装置包括储存容器、雾化基座、载气组件和输出组件。储存容器用于储存液态的化学源；雾化基座设置于储存容器内且高于化学源的液位高度；载...