本发明公开了一种阀门设备、半导体器件的加工设备和加工方法。阀门设备的输出端连接反应腔，所述阀门设备包括：阀体，其内部设有气道，且在所述阀体的内壁上设有出气口，以供气体输出；阀板，可活动地设于所述阀体中，通过调整所述阀板的位姿，以调节所述...

本发明公开了晶圆的集成加工设备及集成加工方法。晶圆的集成加工设备包括：预处理腔体，用于对衬底进行离子体预处理；钴沉积腔体，用于对衬底进行钴沉积处理；氮化铝腔体，用于对晶圆进行氮化铝沉积处理；掺氧碳化硅腔体，用于对晶圆进行掺氧碳化硅沉积处...

本发明公开了一种喷淋板、气体输送系统及薄膜沉积设备，该喷淋板包括：板体，板体具有正面和背面，板体的正面设有两路喷淋孔路径，板体的背面设有两组螺旋流道，两组螺旋流道呈双螺旋交错分布，两路喷淋孔路径分别沿两组螺旋流道分布，至少一组螺旋流道包...

本发明提供了用于横流结构的扩散器以及半导体处理设备。所述扩散器包括进气通道和扩散本体。所述扩散本体包括斜面腔室以及多个流气通道；所述斜面腔室的中央顶部连通所述进气通道，所述斜面腔室具有由第一斜面和第二斜面组成的顶部轮廓以及由第三斜面和第...

本发明提供了半导体工艺数据的采集系统、半导体工艺设备、采集方法及存储介质。所述半导体工艺数据的采集系统包括CTC计算机及数据采集计算机。所述CTC计算机用于采集半导体工艺设备的至少一个工艺腔的工艺场景信息。所述数据采集计算机包括至少一个...

本发明公开了一种薄膜应力的调整装置、方法和半导体器件的工艺设备。该调整装置包括：加热盘，其上隔空放置正面镀膜的晶圆，所述加热盘的表面设有多块出气区，以对应所述晶圆背面的多个区域；以及控制器，被配置为：响应于所述晶圆中出现由于正面的第一薄...

本发明提供了一种工艺腔室及一种薄膜沉积设备。该工艺腔室包括：加热盘，用于承载待加工的晶圆，并对其进行薄膜沉积工艺；喷淋上板，用于将工艺气体喷洒到所述晶圆的表面；以及排气衬套，搭载于所述加热盘的外围，并配合所述喷淋上板构成第一抽气狭缝，其...

本技术公开了一种液态源的蒸发罐结构和沉积设备。蒸发罐结构包括：蒸发罐，其内部存储液态化学源，所述蒸发罐包括双层罐壁，第二层壁设置于第一层壁的外侧，所述第二层壁为铝制层；加热元件，设置于所述蒸发罐的底部，用以加热所述液态化学源；以及超声发...

本发明公开了一种应用在气体回流系统的冷却机构及其UV灯，冷却机构包括：冷却剂循环管道以及散热片组或散热管组；所述冷却剂回流管道内设有循环管腔，所述散热片组或散热管组设置于所述循环管腔内，且所述散热片组近于所述冷却剂循环管道的出气口一端设...

本发明公开了一种反应腔、薄膜厚度一致性监测方法、薄膜沉积设备，该反应腔包括：第一腔体、第二腔体、抽气口、第一膜厚传感器和第二膜厚传感器，所述抽气口设于所述第一腔体与所述第二腔体的中间，所述第一膜厚传感器设于所述第一腔体中且邻近所述抽气口...

本技术公开了一种高温导热组件及半导体设备，高温导热组件包括被加热件、加热件和压紧组件；加热件与被加热件连接，加热件用于产生热量并传递至被加热件；压紧组件的一端贯穿加热件并与被加热件连接，压紧组件的另一端抵压加热件背离被加热件的一侧。本技...

本发明公开了一种混气输送结构和半导体器件的工艺设备。该混气输送结构包括：基体，位于反应腔的进气口，其内部插入破气塞，其中，所述破气塞与所述基体之间保持一狭缝；以及所述破气塞，其侧壁上设有多个破气孔，注入所述破气塞内的第二工艺气体经由所述...

本技术提供了一种晶圆传输腔室的抽气装置及晶圆传输腔室，包括：分别通过阀门与传输腔室相连接的干泵和分子泵，该干泵与该分子泵之间也通过阀门相连接，该分子泵上还连接有带有气动隔离阀的氮气源，该抽气装置可以提升传输腔室的真空度。

本发明公开了一种化学源输送管路结构及PEALD设备，化学源输送管路结构，包括载气输送管路、载气进入管路以及反应源输出管路，载气输送管路与反应腔可通断地的连接，载气进入管路与载气输送管路和反应源入口可通断地的连接；反应源输出管路与反应源出...

本发明公开了一种加热盘机构及其加热腔机构、薄膜沉积设备，加热盘机构包括：加热盘以及嵌设于加热盘内的光强度检测组件，光强度检测组件用于正面接收检测光源的光信号。光强度检测组件包括：导光头，连接于导光头的抗紫外线光纤，以及连接于抗紫外线光纤...

本发明提供了一种工艺腔室及其清洁方法，以及半导体器件的加工设备。所述工艺腔室包括：腔室本体，至少设有下基板，其中，所述下基板用于加热晶圆和/或向其喷洒第一反应物，以对其进行薄膜沉积工艺；以及匀气衬套，设于所述腔室本体侧壁的内侧，以配合所...

本发明公开了一种波纹管辅助安装装置和波纹管，波纹管辅助安装装置包括第一支撑件和第二支撑件；第一支撑件其两端分别为第一端和第二端，第一端上设有波纹管上端固定部；第二支撑件其两端分别为第三端和第四端，第三端上设有波纹管下端固定部，第四端与第...

本发明提供了一种加热盘、加热盘的加工方法及一种工艺腔室。所述加热盘包括：加热盘本体，用于对其上承载的晶圆进行加热；以及氧化铝膜层，设于所述加热盘本体之上，其上表面具有至少一个凹陷的图案区，用于在薄膜沉积工艺过程中对所述晶圆背面散热，并经...

本发明公开了抽气环件、工艺腔体、薄膜沉积设备及抽气环件安装方法。抽气环件安装于工艺腔体的腔室中；抽气环件包括抽气衬套和抽气环；抽气衬套安装于腔室中，抽气衬套上开设有环形搭接槽；抽气环搭接于环形搭接槽中，抽气环与抽气衬套之间形成腔室与外部...

本发明公开了一种喷淋组件，喷淋腔，以及半导体器件的工艺设备。喷淋组件包括第一分气部，位于喷淋盘上，以使从上方进气端通入的活性气体经由所述第一分气部，向外周进行一次扩散；第二导气部，位于喷淋盘上且分布于所述第一分气部的四周，承接经过所述一...