本技术提供了一种顶针保护机构、一种晶圆升降机构，以及一种加热盘。所述顶针保护机构包括固定部及保护钩。所述固定部位于所述顶针保护机构的下部，以固定连接升降台。所述保护钩位于所述固定部之上，用于在所述升降台回落时，向下牵引未正常回落的顶针重...

本发明公开了一种盖板翻合结构及应用其的真空腔体，盖板翻合结构包括第一连接件、第二连接件以及转动件，第一连接件的一端与盖板连接，第一连接件的另一端通过转动件与第二连接件的一端连接，第二连接件的另一端与腔体连接；盖板翻合结构还包括竖直移动组...

本发明公开了一种喷淋盘的匀气结构和半导体工艺设备。匀气结构包括：盖板，覆盖于反应腔上，所述盖板中包括主磁感线圈，通过接入电流产生第一旋转磁场；以及喷淋盘，可活动地设置于所述盖板的下方，所述喷淋盘上包括S极磁极和/或N极磁极，所述S极磁极...

本技术公开了一种加热棒结构和半导体加工设备。加热棒结构包括：加热棒本体，其一端插入被加热物体的安装槽中，其中，所述加热棒本体的轴向上设有通气槽，用以连通所述加热棒本体插入后的所述安装槽末端的封闭区域与外部大气。通过上述加热棒结构，能够减...

本发明公开了一种衬套组件、对中调节方法及薄膜沉积设备，该薄膜沉积设备包括反应腔，反应腔包括腔体、加热盘和衬套组件，该衬套组件包括衬套和调节结构，衬套上设有至少三个安装部，三个安装部沿衬套的圆周方向分布，每个安装部配置一组调节结构，每组调...

本发明公开了一种气帘结构，其包括:气帘主体，所述气帘主体内设有进气通道和分气通道，所述进气通道连通于所述分气通道；所述气帘主体具有一出气端，所述分气通道朝向所述出气端倾斜延伸，且至少在所述分气通道的出气口处形成环形连通，以致从所述出气口...

本技术提供了一种隔热装置、一种真空度检测装置，以及一种半导体加工设备。所述隔热装置包括至少一片隔热件。所述至少一片隔热件包围真空度传感器的外围，并在朝向热源的方向形成倾斜的热量引导结构，以抑制热量在所述隔热件表面的存留。通过在真空度传感...

本技术涉及半导体技术领域，更具体的说，涉及一种半导体钢瓶加热设备。本技术提供的半导体钢瓶加热设备，包括上部加热器、下部加热器以及底部加热器：所述上部加热器，设置在钢瓶侧部的上半部分，加热钢瓶上部；所述下部加热器，设置在钢瓶侧部的下半部分...

本发明公开了一种密封圈装配装置和喷淋板的安装方法，密封圈装配装置用于将密封圈安装至安装主体的孔洞内，密封圈装配装置包括筒体和伸缩杆，筒体其一端沿轴向延伸设置有用于插入孔洞的插入部；伸缩杆沿筒体的轴向可伸缩地穿设于筒体与插入部内，伸缩杆具...

本发明提供了一种加热盘、一种薄膜沉积设备及一种薄膜沉积设备的组装方法。所述加热盘包括：基板，用于承载并加热待加工的晶圆，以在其背面沉积薄膜；以及基座，设于所述基板的下方以支撑所述基板，其中，所述基座上设有牵拉件，所述牵拉件的上端固定连接...

本申请涉及升降设备技术领域，具体公开了一种UV灯箱升降装置，包括支撑架、驱动组件以及升降架；所述支撑架与所述升降架通过设置的滑动组件连接，所述滑动组件的滑动方向竖直设置；所述升降架上设有水平的框架结构，所述框架结构沿UV灯箱周向侧壁环绕...

本技术提供了一种加热器以及喷淋头。所述加热器包括：加热层，用于在至少一个发热表面产生热量；储热层，其第一表面覆盖所述加热层的所述发热表面，用于储存其发出的热量，并在第二表面产生分布均匀的热量；以及导热层，其第一表面覆盖所述储热层的第二表...

本技术涉及半导体制造技术领域，更具体的说，涉及一种半导体反应腔室。本技术提供了一种半导体反应腔室，至少包括喷淋板上盖、抽气环、上盖板：所述喷淋板上盖，设置在腔体的上盖板上；所述抽气环，位于喷淋板上盖与上盖板之间；其中，所述喷淋板上盖的四...

本技术提供了一种对中调节机构包括：第一治具，包括第一限位部及第一定位孔，所述第一治具经由所述第一限位部被安装于与反应腔体对中的加热盘的上侧，所述第一定位孔被设置于所述第一治具的预设位置；第二治具包括第二限位部及第二定位孔，所述第二治具经...

本发明公开了一种对中检测装置、检测方法和半导体加工设备。对中检测装置包括：第一检测工装，设置于反应腔内的托盘上，第一检测工装包括多个第一测距探头，用于采集托盘和腔体内壁之间的多个第一距离；以及第二检测工装，设置于托盘上，第二检测工装包括...

本发明公开了一种喷嘴结构、半导体镀膜设备和半导体镀膜的工艺方法。喷嘴结构包括：喷嘴本体，其出气端用于向反应腔内通入保护气体；以及金属连接环，设置于所述喷嘴本体内，所述保护气体从所述金属连接环内通过，所述金属连接环随其所处环境温度的变化进...

本发明公开了一种匀气装置、半导体的沉积设备及其沉积方法。匀气装置包括：第一盘结构，包括第一气盘，其进气端连接顶板，第一气盘的外侧与顶板之间的间隙构成第一通道，用于传输保护气体，第一气盘的内部包括第二通道，用于传输工艺气体，工艺气体经由第...

本申请公开了一种混气结构、工艺腔室和镀膜设备，涉及半导体工艺技术领域，通过将混气结构的气孔设置为沿着第一端至第二端的方向内径尺寸逐渐增大，这样第一端的内径尺寸小于第二端的内径尺寸，气孔的内表面过渡平滑，流阻小，这样在前体从第一端进入气孔...

本技术提供了一种用于加工集成进气块的设备以及一种集成进气块。该用于加工集成进气块的设备包括：石墨电极，用于伸入集成进气块中多条孔洞的至少一个交叉点，对其内壁进行电火花放电，以去除交叉点处的相贯线；流体槽，用于向孔洞中灌注混合磨料的流体，...

本发明公开了一种托盘结构、半导体工艺设备，以及半导体工艺设备的清洗方法。托盘结构包括：托盘本体，其中包括加热件，用于加热晶圆；以及盖板，覆盖在所述托盘本体的上方，用于承托所述晶圆，并将所述托盘本体中产生的热量传递给所述晶圆，其中，所述盖...