本技术公开了采样套管，包括晶振探头主体、保护机构；晶振探头主体上安装有一对晶振片，晶振探头主体侧壁设有滑槽；保护机构安装于晶振探头主体上，保护机构包括外壳，外壳上连接有凸出部，凸出部滑动设于滑槽内，外壳上安装有可调式采样套管，可调式采样...

本发明提出一种溅射镀膜机的加热腔的冷却装置，溅射镀膜机包括控制腔室壳体和加热腔壳体，控制腔室壳体内设有多个加热灯、反射罩、隔板，反射罩置于控制腔室壳体内且反射罩外圆通过连接板与加腔壳体的上部连接，加热灯均匀分布于反射罩内部并位于加热腔壳...

本发明提出一种扬尘颗粒缓冲系统，所述缓冲系统设于缓冲区，所述缓冲区与蒸镀工艺区连通，所述缓冲系统设置于缓冲区远离蒸镀工艺区的一侧的侧壁上，所述缓冲系统包括导流座，所述缓冲区的外侧壁连接有闷板，所述闷板的外侧连接电磁阀，闷板的内侧连接导流...

本技术提出一种局部蒸镀的夹具，包括基板和伞状支架，所述伞状支架设于基板的上方，所述基板的下方设有多个遮罩板，所述基板与遮罩板之间平铺夹持有待蒸镀的基材，所述遮罩板的两端与所述基板可拆卸连接，所述遮罩板上设有若干蒸镀槽，用于通过蒸镀槽进行...

本发明提出一种溅射镀膜机的真空腔室内的承托机构，包括加热腔体，当需要加工晶圆时，通过第二升降机构上升，托盘支柱穿过对应的第三通孔用于承接晶圆输送口进入的晶圆，随后，通过第二升降机构下降，将晶圆下落至晶圆加工托盘的上表面，通过第一升降机构...

本发明提出一种溅射镀膜机的真空装置，包括工艺腔体，晶圆升降机构通过第一通孔与工艺腔体连接，晶圆顶升组件通过第二通孔与工艺腔体连接，工艺腔体的一侧边设有晶圆输送口，另一侧设有真空泵水冷机构，真空泵水冷机构与工艺腔体之间设有真空闸阀机构，工...

本发明涉及真空镀膜技术领域，具体为一种可提高镀膜纯度的真空镀膜机，包括承载架，以及安装在承载架内的镀膜腔体，镀膜腔体呈倒圆锥形状结构设置；所述镀膜腔体的上方中部位置贯穿安装有旋转驱动杆，主安装杆的上方安装有无接触式传动组件，避免接触而产...

本发明提出一种应用于真空溅射镀膜的清洁辅助装置，包括工艺镀膜腔体，工艺镀膜腔体的一侧设有过渡腔体，工艺镀膜腔体的相邻过渡腔体一侧还设有晶圆或者遮板进出口，工艺镀膜腔体的底部设有工作气体输入通道，过渡腔体与工艺镀膜腔体连通，工艺镀膜腔体内...

本发明公开了一种近距离双电子束蒸发源结构，包括：机壳、蒸发坩埚、磁场导流组件、承托导磁组件。机壳内固定装配有一对蒸发坩埚。磁场导流组件包括多组第一导磁板和第二导磁板，多组第一导磁板与第二导磁板交错分布，多组第一导磁板与第二导磁板之间均布...

本发明公开了一种多规格适配的蒸镀机坩埚气密性检漏机构，包括检漏装置；还包括：所述检漏装置内部检漏腔体的后方与左右两侧均等距离贯通连接于检漏连接管的外端；其中，检漏装置内部的检漏腔体中设置有定位机构，且定位机构包含有定位平台；其中，检漏装...

本发明公开了一种双腔室蒸镀镀锅同步传动结构，包括：齿轮防着板、一对镀锅组件、单轴双齿轮驱动组件。镀锅组件包括镀锅，镀锅的外侧卡合装配有多组均匀分布的盖板，镀锅的外侧铰接有多组均匀分布的压条。单轴双齿轮驱动组件包括支架固定板，支架固定板固...

本发明公开了一种多工件同步检测式球形检漏治具，包括承载底座；所述承载底座的顶面中心位置处固定连接于支撑立柱的底端；还包括：所述承载底座的上方设置有检漏机构，且检漏机构包含有检漏球体，并且检漏球体的内部开设有检漏腔体；其中，支撑立柱的顶端...

本发明涉及PVD镀膜技术领域，具体为一种上腔体自冷却的PVD镀膜设备，包括镀膜主腔体，以及开设在镀膜主腔体右侧面内的进料口；镀膜主腔体的上方设置有上腔体组件，上腔体组件的上方安装有连接板；所述镀膜主腔体的的左侧安装有支撑架，所述储水腔的...

本发明公开了一种具有加热脱气功能的晶圆加工用工艺腔，包括真空箱体，以及开设于真空箱体内部的加热腔体；还包括：所述真空箱体内部加热腔体的左侧设置有驱动机构；所述真空箱体内部加热腔体的右侧设置有托举机构；其中，真空箱体的顶面固定设置有加热机...

本发明涉及镀锅更换辅助技术领域，具体为一种蒸镀机用镀锅更换辅助机构，包括工艺腔，所述工艺腔的上表面内部安装有安装盘；所述工艺腔左右两侧均安装有将空间隔断的闸板阀；镀锅本体的上方安装有连接法兰本体；所述放置托板的后侧上方安装有齿条本体，齿...

本发明涉及坩埚旋转和移动技术领域，具体为一种防偏差的坩埚旋转和移动机构，包括下沉腔腔体，以及安装在下沉腔腔体前侧面的开合门，所述下沉腔腔体的后侧面通过连接法兰组件与支撑架相连接，下沉腔腔体的底面内部安装有滑轨机构，滑轨机构的上方滑动连接...

本发明属于蒸镀机技术领域，具体涉及整机，包括机架、真空室、转运机构和真空泵；机架上铰链连接有一对取料门；真空室安装于机架内，真空室包括第一外壳，第一外壳上铰链连接有密封门，密封门与其中一个取料门相对应，第一外壳上安装有主泵、检测机构和水...

本发明公开了一种IBE离子束刻蚀装置，包括：真空室，所述真空室上方安装真空泵组件，真空室后壁安装离子束发生装置，真空室左侧安装旋转驱动结构，真空室内部转动设置刻蚀载台，旋转驱动结构驱动连接刻蚀载台，真空室右侧壁开设晶圆进料口，刻蚀载台包...

本发明涉及蒸镀用坩埚技术领域，具体为一种蒸镀用自定位式坩埚，包括旋转坩埚本体，以及安装在旋转坩埚本体上方的下冷却板；所述旋转坩埚本体的下方安装有副旋转控制杆，所述上冷却板的左右两侧均安装有侧支撑板，侧支撑板的内部贯穿安装有定位组件；所述...

本发明涉及坩埚穴位旋转和整体位移技术领域，具体为一种下沉腔坩埚穴位旋转和整体位移机构，包括下沉腔本体，以及安装在下沉腔本体下方的底座板；所述下沉腔本体的左侧贯穿安装有气动伸缩位移机构，气动伸缩位移机构的右端与滑动板的左侧面相连接。该下沉...