本技术公开了一种半导体器件及半导体设备，应用于半导体器件技术领域，包括：衬底；位于衬底表面，沿厚度方向堆叠设置的至少两层外延结构；任一外延结构形成有独立的沟道；相邻外延结构沿从朝向衬底一侧至背向衬底一侧的尺寸依次减少，以在外延结构背向衬...

本申请公开了一种陶瓷封装装置，涉及半导体封装技术领域，包括底座、陶瓷管壳、限位块、盖板和压块。其中，陶瓷管壳设于底座上，陶瓷管壳用于连接芯片，陶瓷管壳设有容纳腔，限位块设于陶瓷管壳上并与底座连接，限位块设有用于限位芯片的限位结构，限位结...

本技术公开了一种芯片外壳焊接封装结构及芯片外壳焊接封装组件，应用于芯片封装领域，其中焊接面为管壳的围坝和盖板的围坝之间相互焊接封装的对应表面，管壳的围坝中至少部分区域设置有凹陷和/或凸起结构，盖板的围坝中对应管壳的围坝设置有凹陷和/或凸...

本技术提供的一种半导体器件，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括衬底、外延层和电极层，外延层通过外延生长设置在衬底上，电极层设置在外延层上，其中，电极层包括覆盖在外延层上的源极、栅极和漏极，栅极设置在源极和漏极之间，源极的源极欧姆电阻R...

本申请提出一种功率放大器测试系统，包括：上位机、稳压源、继电器开关矩阵、示波器以及射频测试单元；上位机分别与稳压源、继电器开关矩阵、示波器以及射频测试单元连接；继电器开关矩阵与稳压源连接，继电器开关矩阵设置有第一通路、第二通路、第三通路...

本发明提供了一种半导体器件及其制备方法，涉及微电子技术领域，该半导体器件包括衬底、半导体外延层、电容下极板、加热电阻、绝缘介质层、金属电极层和电容上极板，在半导体外延层上设置电容下极板和加热电阻，同时在电容下极板上设置绝缘介质层，在绝缘...

本申请提出一种功率谐波处理电路及终端设备，包括功率放大模块和第一负反馈电路，功率放大模块包括至少一个功率放大器，功率放大模块中的至少一个功率放大器依次级联；第一负反馈电路的输入端连接于末级功率放大器的输出端，第一负反馈电路的输出端连接于...

本申请涉及半导体领域，公开了一种半导体器件的组合结构，包括工艺检测区域和器件设置区域；器件设置区域包括半导体器件，半导体器件包括电极焊盘；工艺检测区域包括由下至上层叠的虚设焊盘和第一介质层，虚设焊盘的排布位置与电极焊盘的排布位置相同，第...

本申请提供一种半导体器件，涉及半导体技术领域，包括衬底以及设置于衬底上的外延层，外延层具有无源区和有源区阵列，相邻两个有源区通过无源区分隔，有源区阵列中相邻两列有源区错位排布，在不增大器件尺寸的基础上，通过充分利用源极金属的宽度，有效提...

本申请提供一种管壳封装结构和电子设备，涉及半导体技术领域，包括具有内腔的管壳，在管壳上开设有与内腔连通的开口，以便于通过开口在管壳的内腔中布设第一电路结构和第二电路结构，还可以在开口处盖设有盖板，以便于通过盖板对内腔进行封闭，有助于对内...

本申请提供一种管壳夹持治具和打线装置，涉及半导体技术领域，包括基座和夹持组件，在基座上设置有用于承载管壳的工位，夹持组件包括夹持件和连接件，夹持件经连接件活动设置于基座，夹持件受驱以调整夹持件相对工位的位置，使夹持件将管壳夹持固定至工位...

本申请提供一种高温寿命测试装置，涉及半导体技术领域，包括具有加热腔的箱体以及设置于箱体的供电模块，在加热腔内设置有老化板，在老化板上设置有多个测试工位，测试工位用于容置待测器件，供电模块经老化板与多个测试工位内的待测器件的输入端电连接，...

本申请提出一种低噪声放大器、收发组件及通信设备，低噪声放大器包括：控制单元、低噪声放大芯片、移相单元以及检波单元；检波单元用于检测输入微带线上的功率信号，并将检测到的功率信号传输给控制单元；控制单元用于依据功率信号对移相单元进行控制，生...

本申请提出一种开关器件驱动电路及电源模块，当控制器输出的PWM控制信号为低电平信号时，第二开关管的第二端的电压大于第二开关管的第一端的电压，第二开关管切换为导通状态，第一开关管的寄生电容Cgs通过第二开关管快速放电，第一开关管切换为断开...

本申请提供一种芯片测试治具和结温测量装置，涉及半导体技术领域，包括底板和压抵机构；底板具有容置待测器件的测试工位，在测试工位内设置有用于容置测温探头的探测孔；压抵机构配合底板夹持待测器件，由此，完成对待测器件的固定，使得待测器件在整个测...

本发明提供了一种半导体器件，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括衬底、半导体叠层、金属电极、阻挡层、第一钝化层以及第二钝化层，半导体叠层设置在衬底上，金属电极设置在半导体叠层上；阻挡层设置在金属电极边缘区域；第一钝化层设置在半导体叠层上...

本申请提供了一种射频功率器件与电子设备，涉及射频技术领域。该射频功率器件包括第一晶体管、第二晶体管、交叠面改善模块以及巴伦结构，第一晶体管与第二晶体管并联，交叠面改善模块分别与第一晶体管、第二晶体管以及巴伦结构电连接，巴伦结构还用于与负...

本申请提供了一种射频功率器件与电子设备，涉及射频器件技术领域。该射频功率器件包括基板，位于基板上的输入巴伦、第一晶体管、补充电容以及输出电感，位于基板外的第二晶体管，输入巴伦分别与第一晶体管、第二晶体管的控制端电连接，且输入巴伦用于接收...

本申请提供一种微波功率源及功率源设备，属于电力电子技术领域。微波功率源，包括：控制模块、振荡与放大模块、反馈模块以及调整模块；其中，控制模块分别与振荡与放大模块以及调整模块连接，控制模块用以向调整模块发送控制电压；振荡与放大模块与调整模...

一种封盖夹具，涉及芯片封装技术领域，包括底板以及层叠设置于所述底板上的盖板，所述底板上设置有用于容置管壳本体的第一容纳槽，所述盖板上对应设置有用于容置管壳盖的第二容纳槽，所述封盖夹具还包括层叠设置于所述盖板上的压板，所述压板用于驱使所述...