本实用新型涉及射频技术领域，公开了一种射频功率放大器，包括功率放大电路和偏置电路；所述功率放大电路包括顺序连接的输入匹配单元、第一放大器、中间匹配单元、第二放大器和输出匹配单元，所述中间匹配单元和输出匹配单元均设置有可调电容；所述偏置电...

一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括衬底和半导体层，半导体层上划分有两个相间隔的有源区，以及位于有源区外围的无源区，在有源区设置有第一源极、漏极和栅极，在无源区设置有源极焊盘、漏极焊盘和栅极焊盘，漏极焊盘与漏...

一种光纤光开关，涉及光纤通信技术领域。该光纤光开关包括分光光纤盒、多个分光光纤、多个散射镜以及多个芯片，多个分光光纤和多个散射镜一一对应，多个散射镜和多个芯片一一对应；光束入射至分光光纤盒，分光光纤盒将入射的光束分束后分别通过多个分光光...

本发明的实施例提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件具有相对的第一表面和第二表面，通过在半导体圆片的第一表面设置正面金属层，在半导体圆片的第二表面设置贯通至正面金属层的通孔，在通孔的侧壁和第二表面设...

本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，本发明的半导体器件，包括衬底以及设置在衬底上的半导体层，半导体层划分有有源区和位于有源区外围的无源区；有源区内的半导体层上设有源极、漏极、栅极、源场板和接地背孔，无源区内的半导...

本发明的实施例提供了一种半导体器件和半导体器件的制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括半导体晶圆、正面金属层和第一背金层，在通孔中填充设置有导电导热层，导电导热层至少延伸至通孔的孔口处，用于封堵住通孔的孔口，以阻挡焊料进入到通孔...

本发明公开了一种半导体器件结构及其制造方法，包括：器件有源区，无源区焊盘，第一金属环路及第二金属环路；所述第一金属环路位于无源区焊盘和所述半导体器件边缘之间靠近所述半导体器件边缘一侧，并与源极焊盘电学连接；所述第二金属环路位于无源区焊盘...

本实用新型提供了一种可调功率分配器、集成电路及电子设备，涉及通信技术领域。可调功率分配器包括功分第一端、功分第二端与功分第三端、电感及可调电容；电感的第一端与可调电容的第一端连接，电感与可调电容的连接点与功分第一端连接，电感的第二端与功...

一种封装焊线夹具，涉及芯片封装技术领域，包括热板，热板上具有容纳槽，容纳槽呈矩形结构，沿容纳槽的至少一个侧边朝向远离容纳槽的方向延伸有容置槽，容纳槽与容置槽配合形成承载区域，承载区域用于容置电路板。该封装焊线夹具能够兼顾至少两款大小不一...

本申请提供一种功率放大器，涉及通信技术领域，包括：衬底；设置于衬底上的电极；依次设置于电极上的第一金属层和第二金属层，第一金属层包括基极互连金属层和发射极互连金属层，第二金属层包括集电极互连金属层和辅助互连金属层；第一发射极和第二发射极...

本申请提供一种具有散热通道的冷却结构和激光二极管封装结构，涉及半导体封装器件技术领域，包括多个层叠设置的金属散热片，相邻两层金属散热片之间设有绝缘片，绝缘片在第一方向的一侧内收以在相邻两层金属散热片之间形成有夹持空间，夹持空间用于夹设芯...

本申请实施例提供了一种振荡电路与振荡芯片，涉及射频技术领域。该振荡电路包括第一RTD振荡模块与第二RTD振荡模块，第一RTD振荡模块包括第一稳定电阻，第二RTD振荡模块包括第二稳定电阻；其中，第一RTD振荡模块与第二RTD振荡模块并联，...

本申请提供了一种电极结构及其制作方法，涉及半导体技术领域。该电极结构包括基板，位于基板一侧的第一介质层与接触金属层，其中，第一介质层环绕接触金属层，位于接触金属层一侧的第一阻挡金属层，位于第一阻挡金属层一侧的互连金属层。本申请提供的电极...

本申请提供了一种空气场板结构及其制作方法，涉及半导体制造技术领域。该空气场板结构包括本体层，本体层设置有凹槽结构；隔离层，位于凹槽结构内与凹槽结构外，隔离层包括位于凹槽结构内的第一隔离层与位于凹槽结构外的第二隔离层，第一隔离层与第二隔离...

本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，本发明的半导体器件，包括衬底，以及设置于衬底上的半导体层，半导体层包括有源区和位于有源区外围的无源区；有源区包括:源极、栅极、漏极，无源区设置有栅极焊盘、漏极焊盘和温度监控...

本申请提供一种半导体器件及制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：在衬底上形成半导体叠层，半导体叠层包括源极区域、漏极区域和栅极区域；在半导体叠层的栅极区域形成P型层；在半导体叠层的源极区域和漏极区域分别形成源极欧姆金属和漏极欧姆金属；...

本发明的实施例提供了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括晶圆本体、导电金属层、背金导电层和金属遮挡层，通过设置金属遮挡层，并在通孔的孔口处形成遮挡结构，能够在芯片焊接或者使用时有效地防止焊料进入到通孔内部，也...

本申请提供一种半导体器件，涉及半导体技术领域，包括：衬底；设置于衬底上的半导体叠层；依次设置于半导体叠层上的钝化层和第一介质层；源极金属、漏极金属和栅极金属依次贯穿第一介质层和钝化层以分别与半导体叠层接触；设置于钝化层和第一介质层之间的...

本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，本发明的半导体器件包括基底结构，基底结构具有相对的第一表面和第二表面，第一表面上设有功能结构，第二表面上设有条形凹槽，条形凹槽的延伸方向具有第一端部和第二端部，第一端部在第二表...

一种具有温度补偿功能的氮化镓器件，涉及半导体技术领域。该器件包括器件本体、滤波器、第一元器件和第二元器件；滤波器和第一元器件并联形成第一支路，第一支路连接于器件本体的栅极输入端，第二元器件的一端连接于栅极输入端与第一支路之间，第二元器件...