一种封装焊线夹具，涉及芯片封装技术领域，包括热板，热板上具有容纳槽，容纳槽呈矩形结构，沿容纳槽的至少一个侧边朝向远离容纳槽的方向延伸有容置槽，容纳槽与容置槽配合形成承载区域，承载区域用于容置电路板。该封装焊线夹具能够兼顾至少两款大小不一...

本申请提供一种功率放大器，涉及通信技术领域，包括：衬底；设置于衬底上的电极；依次设置于电极上的第一金属层和第二金属层，第一金属层包括基极互连金属层和发射极互连金属层，第二金属层包括集电极互连金属层和辅助互连金属层；第一发射极和第二发射极...

本申请提供一种具有散热通道的冷却结构和激光二极管封装结构，涉及半导体封装器件技术领域，包括多个层叠设置的金属散热片，相邻两层金属散热片之间设有绝缘片，绝缘片在第一方向的一侧内收以在相邻两层金属散热片之间形成有夹持空间，夹持空间用于夹设芯...

本申请实施例提供了一种振荡电路与振荡芯片，涉及射频技术领域。该振荡电路包括第一RTD振荡模块与第二RTD振荡模块，第一RTD振荡模块包括第一稳定电阻，第二RTD振荡模块包括第二稳定电阻；其中，第一RTD振荡模块与第二RTD振荡模块并联，...

本申请提供了一种电极结构及其制作方法，涉及半导体技术领域。该电极结构包括基板，位于基板一侧的第一介质层与接触金属层，其中，第一介质层环绕接触金属层，位于接触金属层一侧的第一阻挡金属层，位于第一阻挡金属层一侧的互连金属层。本申请提供的电极...

本申请提供了一种空气场板结构及其制作方法，涉及半导体制造技术领域。该空气场板结构包括本体层，本体层设置有凹槽结构；隔离层，位于凹槽结构内与凹槽结构外，隔离层包括位于凹槽结构内的第一隔离层与位于凹槽结构外的第二隔离层，第一隔离层与第二隔离...

本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，本发明的半导体器件，包括衬底，以及设置于衬底上的半导体层，半导体层包括有源区和位于有源区外围的无源区；有源区包括:源极、栅极、漏极，无源区设置有栅极焊盘、漏极焊盘和温度监控...

本申请提供一种半导体器件及制备方法，涉及半导体技术领域，方法包括：在衬底上形成半导体叠层，半导体叠层包括源极区域、漏极区域和栅极区域；在半导体叠层的栅极区域形成P型层；在半导体叠层的源极区域和漏极区域分别形成源极欧姆金属和漏极欧姆金属；...

本发明的实施例提供了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件包括晶圆本体、导电金属层、背金导电层和金属遮挡层，通过设置金属遮挡层，并在通孔的孔口处形成遮挡结构，能够在芯片焊接或者使用时有效地防止焊料进入到通孔内部，也...

本申请提供一种半导体器件，涉及半导体技术领域，包括：衬底；设置于衬底上的半导体叠层；依次设置于半导体叠层上的钝化层和第一介质层；源极金属、漏极金属和栅极金属依次贯穿第一介质层和钝化层以分别与半导体叠层接触；设置于钝化层和第一介质层之间的...

本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，本发明的半导体器件包括基底结构，基底结构具有相对的第一表面和第二表面，第一表面上设有功能结构，第二表面上设有条形凹槽，条形凹槽的延伸方向具有第一端部和第二端部，第一端部在第二表...

一种具有温度补偿功能的氮化镓器件，涉及半导体技术领域。该器件包括器件本体、滤波器、第一元器件和第二元器件；滤波器和第一元器件并联形成第一支路，第一支路连接于器件本体的栅极输入端，第二元器件的一端连接于栅极输入端与第一支路之间，第二元器件...

本实用新型提供了一种芯片封装结构及封装芯片，该芯片封装结构包括第一芯片、第二芯片、导线、过渡载体及引线框架；第一芯片、第二芯片及过渡载体固定于引线框架；第一芯片的接脚与第二芯片的接脚通过导线连接；导线包括多段子导线；子导线通过过渡载体相...

一种半导体器件及其制备方法，涉及半导体技术领域。该制备方法包括：在衬底上形成半导体叠层；在半导体叠层上形成源极欧姆金属和漏极欧姆金属；在半导体叠层上形成覆盖源极欧姆金属和漏极欧姆金属的种子金属层；在种子金属层上形成光刻胶层，在光刻胶层上...

一种芯片测试治具，涉及芯片测试技术领域，包括底座、测试电路板、温度传感器和散热器，底座设置于测试电路板上，底座用于承载待测芯片，底座上设置有用于与待测芯片上的测点接触的顶针，测试电路板通过顶针与待测芯片的测点电连接，测试电路板用于连接测...

本实用新型提供了一种Doherty功率放大电路及其装置，包括：两路并联连接的功率放大电路，分别为主功率放大电路和辅助功率放大电路；主功率放大电路包括载波功率放大器；辅助功率放大电路包括多个峰值功率放大器；其中，多个峰值功率放大器并联连接...

本实用新型涉及芯片封装技术领域，公开了一种引线框架单元及引线框架，所述引线框架单元包括底膜、连接框、引脚和芯片座，所述连接框的下端设置有底膜，所述引脚和芯片座设置在连接框内部且位于底膜上侧；所述引脚包含头部和尾部，所述头部与第一侧边垂直...

本申请提供了一种器件性能检测装置与系统，涉及器件性能检测技术领域，该器件性能检测装置包括脉宽调制电路、驱动电路、开关电路以及温度传感器，脉宽调制电路、驱动电路、开关电路依次电连接，开关电路用于连接待测开关器件，温度传感器与待测开关器件连...

本实用新型提供了一种芯片和半导体封装器件，其中，芯片包括芯片本体、焊垫和定位模块；焊垫和定位模块均设置在芯片本体上，且定位模块与焊垫的指定位置之间的距离为预设距离；定位模块用于指示在焊垫上焊线时的焊点位置；定位模块包括高于芯片本体表面的...

本发明涉及无线通信技术领域，公开了一种功率放大器，包括放大电路和用于调整放大电路增益的负反馈电路；所述放大电路包括三极管，所述负反馈电路的一端与三级管的基极连接另一端与三极管的集电极连接；所述负反馈电路包括负反馈深度调节模块和隔直模块，...