[课题]提供硅片和该硅片的制造方法，所述硅片适于IGBT用途，其电阻高、电阻变动小，并且能够抑制滑移的产生。[解决方案]一种硅片，其中，在硅片的厚度方向上的氮浓度分布中，氮浓度的最大值为2×10<supgt;15</supg...

本发明的工件厚度测定装置具备壳体、测定部、整流装置，前述测定部配置于前述壳体内，测定工件的厚度，前述整流装置配置于前述壳体内，将前述壳体内的气流整流，前述测定部具备分光干涉式传感器。本发明的工件的研磨系统将上述的工件厚度测定装置分别设置...

晶片30的判定方法包括：取得拍摄了晶片30的至少一部分的拍摄图像40来作为用于判定晶片30的合格与否的判定图像的步骤；在拍摄图像40符合误判定候补图像的情况下从判定图像中排除拍摄图像40的步骤；以及基于判定图像来判定晶片30的合格与否的...

隔热体定位夹具对在腔内包围提拉中的单晶硅的隔热体进行定位，具备夹具主体和外周方向定位部，前述夹具主体构成为相对于前述腔的设定位置装卸自如，前述外周方向定位部进行前述隔热体相对于前述夹具主体的外周方向的定位。

[课题]提供能够定量评价石英坩埚的变形、偏心的有无或变形、偏心的大小的硅单晶的制造方法和装置。[解决方案]本发明是从石英坩埚11内的硅熔液2提拉硅单晶的硅单晶的制造方法，其中以规定的时间间隔取得包含反映在硅熔液2的熔液面2a上的石英坩埚...

本发明的目的在于在晶体提拉中途投入固体的副掺杂剂的追加掺杂工序中防止单晶产生位错。根据本发明的单晶硅的制造方法包括在提拉炉内生成包含主掺杂剂的硅熔液的熔融工序及一边向提拉炉内供给Ar气，一边从硅熔液中提拉单晶硅的晶体提拉工序。晶体提拉工...

一种在进行多站式处理的情况下能够使外延晶片的品质稳定的外延晶片的制造方法和装置。具有：具有石英制的上侧拱顶(12)的单片式的外延生长炉(1)、载置晶片(W)的承载器(16)、向外延生长炉的腔(11)内供给反应气体或清洗气体的气体供给系统...

本发明提供一种外延晶圆的制造方法，其是在执行多次将晶圆(W)搬入至外延晶圆制造装置(1)的腔室(11)内、使外延膜在晶圆(W)上生长而形成外延晶圆、将外延晶圆搬出至腔室(11)外的外延晶圆制造工序之后对腔室(11)内进行清洁的外延晶圆的...

一种硅锭的切割方法，其特征在于，一边供给水分率超过99％的冷却剂，一边使固定磨粒线以最高速度为1200m/分钟以上的速度行进来切割硅锭。

本发明提供一种能够比以往更均匀地清洗半导体晶圆的表面的半导体晶圆的清洗方法。在使半导体晶圆(W)旋转的同时，向半导体晶圆(W)的表面供给药液来清洗上述表面的半导体晶圆(W)的清洗方法中，其特征在于，在药液的供给(图1的(b)及(c))之...

本发明提供一种缓冲件(100)，为在将多个收纳容器(80)捆包在具有底板(202)、侧板(203)及盖体(204)的箱型的捆包壳体(200)中时配置于收纳容器(80)与捆包壳体(200)之间的缓冲件(100)，其中，收纳容器(80)配置...

本发明提供一种能够抑制原料棒的熔解面的高度偏差而稳定地培育单晶的感应加热线圈及使用该感应加热线圈的单晶制造装置。感应加热线圈(20)具备环状的线圈主体(21)，该线圈主体(21)在中央具有开口部(22)，并且具有通过从开口部(22)沿大...

提供一种能够防止内表面粗糙且提高单晶成品率的单晶硅提拉用石英玻璃坩埚。石英玻璃坩埚(1)具有圆筒状的侧壁部(1a)、底部(1b)、设置于侧壁部(1a)和底部(1b)之间且具有比底部(1b)大的曲率的角部(1c)。至少遍及角部(1c)的整...

本发明提供一种单晶制造装置用磁铁，其即使在构成单晶制造装置的磁铁的线圈的配置被限制的情况下也能够提高磁场分布的设计自由度。单晶制造装置用磁铁(1)用于在对容纳于坩埚中的单晶原料的熔液施加水平磁场的同时提拉单晶的单晶制造装置中施加上述水平...

本技术提出一种纵型热处理用热处理舟及纵型热处理炉，其在相对于半导体晶圆实施热处理时，与以往相比能够抑制在半导体晶圆处发生滑移位错。前述纵型热处理炉用热处理舟具备多根支柱、与该多根支柱分别连接来支承前述半导体晶圆的背面的一个以上的支承部，...

提供至少提高内表面的强度的石英玻璃坩埚及其制造方法。本发明的石英玻璃坩埚(1)具有圆筒状的侧壁部(10a)、在侧壁部(10a)的下方设置的底部(10b)、设置于侧壁部(10a)和底部(10b)之间且具有比底部(10b)大的曲率的角部(1...

提供容易抑制晶圆的分离不良的晶圆分离装置及方法以及硅晶圆的制造方法。晶圆分离装置(1)具有喷射口(2)、滚动体(3)、保持体(4)，前述喷射口(2)喷射流体，前述保持体(4)将滚动体(3)以能够滚动且能够一体移动的方式保持，能够往复动作...

提供一种半导体样品的评价方法，包括：通过对评价对象的半导体样品进行利用光电导衰减法的测定来取得衰减曲线；对上述衰减曲线实施利用模型式的信号数据处理，所述模型式包括指数衰减项和常数项；以及根据通过上述信号数据处理而得到的指数衰减的式子，求...

本发明涉及单晶的制造方法和装置。在FZ法的直筒部培育工序中，将熔融带的区域长度控制为一定，防止单晶的有位错化。根据本发明的单晶的制造方法包括以晶体直径D<subgt;S</subgt;成为一定的方式使单晶3生长的直筒部培育工...

提供一种集尘冷却装置，其能够在单晶提拉装置中的坩埚或加热器的冷却时有效地回收粉尘，且有效地促进冷却。本发明的集尘冷却装置(100)具有罩(10)、导管(20)、集尘抽吸机(30)。罩(10)从上方覆盖坩埚(116)或加热器(124)，下...