课题是提供硅片，其可极力降低表层部的氧析出，同时使不受客户的热处理左右的热稳定的氧析出核在主体部高密度地产生。解决方案为硅片50通过在780℃下3小时的热处理后进行在950～1000℃下16小时的可视化热处理的第一评价热处理而在从表面5...

管理装置(20)具备对多个晶片加工装置(1)进行管理的控制部(22)。控制部(22)基于由各晶片加工装置(1)加工后的晶片的加工后特性与规定品种的晶片的规格的中心值的距离，从多个晶片加工装置(1)之中决定分配给规定品种的晶片的加工的晶片...

本发明的目的在于提供外延层的结晶性优越的半导体外延晶片。本发明的半导体外延晶片是在半导体晶片10的表面10A上形成有外延层20的半导体外延晶片100，其特征在于，在半导体晶片10的形成有外延层20的一侧的表层部存在利用SIMS分析检测出...

本发明提供一种通过研磨装置研磨晶片单面的研磨条件的确定方法。上述研磨装置至少包括平台、配置在该平台上的研磨垫、以及配置在该研磨垫的上方的研磨卡盘。上述研磨条件确定方法包括：设定晶片研磨量面内差的目标范围；基于晶片研磨量面内差与晶片研磨压...

本发明提供了一种单晶提拉装置，其具备：腔室；坩埚，配置于腔室内且储存硅熔体；提拉部，具有一端安装有籽晶的提拉轴和使提拉轴升降及旋转的提拉驱动部，且提拉单晶硅；热屏蔽体，在坩埚的上方以包围单晶硅的方式设置；及磁场施加部，对坩埚内的硅熔体施...

本发明提供一种单晶硅的培育方法，其使用单晶提拉装置，一边对硅熔融液施加水平磁场，一边提拉单晶硅，所述单晶提拉装置具备：腔室；坩埚，储存硅熔融液；加热部，对硅熔融液进行加热；热屏蔽体，以包围从硅熔融液提拉的单晶硅的方式配置于坩埚的上方；及...

本发明提供一种捆包单元，其为用于将收纳对象物(80A)以在宽度方向隔开间隔分为2列并且在上下方向分为2层的方式捆包在箱型集装箱(200)的捆包单元(10)，所述捆包单元具备：下部缓冲件(1)，支承下层的2列收纳对象物(80A)；中部缓冲...

[课题]提供硅片和该硅片的制造方法，所述硅片适于IGBT用途，其电阻高、电阻变动小，并且能够抑制滑移的产生。[解决方案]一种硅片，其中，在硅片的厚度方向上的氮浓度分布中，氮浓度的最大值为2×10<supgt;15</supg...

本发明的工件厚度测定装置具备壳体、测定部、整流装置，前述测定部配置于前述壳体内，测定工件的厚度，前述整流装置配置于前述壳体内，将前述壳体内的气流整流，前述测定部具备分光干涉式传感器。本发明的工件的研磨系统将上述的工件厚度测定装置分别设置...

晶片30的判定方法包括：取得拍摄了晶片30的至少一部分的拍摄图像40来作为用于判定晶片30的合格与否的判定图像的步骤；在拍摄图像40符合误判定候补图像的情况下从判定图像中排除拍摄图像40的步骤；以及基于判定图像来判定晶片30的合格与否的...

隔热体定位夹具对在腔内包围提拉中的单晶硅的隔热体进行定位，具备夹具主体和外周方向定位部，前述夹具主体构成为相对于前述腔的设定位置装卸自如，前述外周方向定位部进行前述隔热体相对于前述夹具主体的外周方向的定位。

[课题]提供能够定量评价石英坩埚的变形、偏心的有无或变形、偏心的大小的硅单晶的制造方法和装置。[解决方案]本发明是从石英坩埚11内的硅熔液2提拉硅单晶的硅单晶的制造方法，其中以规定的时间间隔取得包含反映在硅熔液2的熔液面2a上的石英坩埚...

本发明的目的在于在晶体提拉中途投入固体的副掺杂剂的追加掺杂工序中防止单晶产生位错。根据本发明的单晶硅的制造方法包括在提拉炉内生成包含主掺杂剂的硅熔液的熔融工序及一边向提拉炉内供给Ar气，一边从硅熔液中提拉单晶硅的晶体提拉工序。晶体提拉工...

一种在进行多站式处理的情况下能够使外延晶片的品质稳定的外延晶片的制造方法和装置。具有：具有石英制的上侧拱顶(12)的单片式的外延生长炉(1)、载置晶片(W)的承载器(16)、向外延生长炉的腔(11)内供给反应气体或清洗气体的气体供给系统...

本发明提供一种外延晶圆的制造方法，其是在执行多次将晶圆(W)搬入至外延晶圆制造装置(1)的腔室(11)内、使外延膜在晶圆(W)上生长而形成外延晶圆、将外延晶圆搬出至腔室(11)外的外延晶圆制造工序之后对腔室(11)内进行清洁的外延晶圆的...

一种硅锭的切割方法，其特征在于，一边供给水分率超过99％的冷却剂，一边使固定磨粒线以最高速度为1200m/分钟以上的速度行进来切割硅锭。

本发明提供一种能够比以往更均匀地清洗半导体晶圆的表面的半导体晶圆的清洗方法。在使半导体晶圆(W)旋转的同时，向半导体晶圆(W)的表面供给药液来清洗上述表面的半导体晶圆(W)的清洗方法中，其特征在于，在药液的供给(图1的(b)及(c))之...

本发明提供一种缓冲件(100)，为在将多个收纳容器(80)捆包在具有底板(202)、侧板(203)及盖体(204)的箱型的捆包壳体(200)中时配置于收纳容器(80)与捆包壳体(200)之间的缓冲件(100)，其中，收纳容器(80)配置...

本发明提供一种能够抑制原料棒的熔解面的高度偏差而稳定地培育单晶的感应加热线圈及使用该感应加热线圈的单晶制造装置。感应加热线圈(20)具备环状的线圈主体(21)，该线圈主体(21)在中央具有开口部(22)，并且具有通过从开口部(22)沿大...

提供一种能够防止内表面粗糙且提高单晶成品率的单晶硅提拉用石英玻璃坩埚。石英玻璃坩埚(1)具有圆筒状的侧壁部(1a)、底部(1b)、设置于侧壁部(1a)和底部(1b)之间且具有比底部(1b)大的曲率的角部(1c)。至少遍及角部(1c)的整...