提供能制造抑制滑移缺陷发生且晶片面内电阻率均匀性高的外延晶片的方法。外延晶片的制造方法对晶片从上部侧以上部加热器输出比加热并从下部侧以下部加热器输出比加热，在晶片上形成外延膜，设定上部加热器输出比与下部加热器输出比的多个第一组合，通过多...

本发明提供一种单晶硅的培育方法，其利用单晶硅培育装置，通过切克劳斯基法培育单晶硅，该单晶硅培育装置具备：腔室；坩埚；加热部，对容纳于坩埚中的硅熔液进行加热；及提拉部，使籽晶与硅熔液接触之后将其提拉，加热部具备对坩埚的上部进行加热的上加热...

提供能够抑制晶片的主面与倒角面的边界的棱角的晶片的镜面倒角方法。本发明是将晶片(W)的倒角面借助研磨垫(4、6)镜面研磨的晶片的镜面倒角方法，其特征在于，使研磨垫(4、6)的主面与晶片(W)的主面所成的角度(α1、α2)为倒角时的倒角角...

本发明提供一种单晶的制造方法，准确地测量晶种与熔液面的间隔，由此减少晶种的预热位置的偏差。所述单晶的制造方法具备如下步骤：测量在熔液的上方设置的晶种(5)的下端与熔液面(2a)的间隔(L

本发明提出一种方法，其在利用单片式晶圆洗涤装置重复进行晶圆(W)的洗涤时也能够抑制晶圆表面处检测到的颗粒的数量突发性地增加。本发明的特征在于，单片式的晶圆洗涤装置(100)具备台(11)、药液供给喷嘴(12)、纯水供给喷嘴(13)、药液...

提供适合于IGBT用途的硅晶片及该硅晶片的制造方法，该硅晶片是高电阻且电阻波动小、并且可抑制滑移的产生的硅晶片。硅晶片，其中，在硅晶片的厚度方向的氧浓度分布中，氧浓度比硅晶片的氧浓度(ASTMF121,1979)高1.5

提供一种双面研磨装置(1)，前述双面研磨装置(1)具备上平台(2)、下平台(3)、使上平台(2)旋转的旋转轴(4)、使上平台(2)变形的形状变形机构部(9)，形状变形机构部(9)具有与旋转轴(4)的下端连接且被在上平台(2)的上表面固定...

本发明涉及线圈、单晶的制造装置用磁铁、单晶的制造装置和单晶的制造方法。提出一种单晶的制造装置用磁铁中使用的线圈，其能够抑制晶体的提拉速度的变动，并能够抑制从所制造的单晶得到的晶片的外周部的氧浓度的降低。本发明的线圈（1）是在通过切克劳斯...

本发明的目的在于，提供能够抑制上述的各种欠陷的发生的晶圆支承舟及具有该晶圆支承舟的卧式热处理炉、使用该晶圆支承舟的晶圆的热处理方法及贴合晶圆的制造方法。本发明的晶圆支承舟是卧式热处理炉用的晶圆支承舟，容纳部由碳化硅构成，支承部由石英构成...

在本发明的工件的清洗处理方法及系统中，上侧整流板的孔的直径比下侧整流板的孔的直径小。在本发明的工件的清洗处理方法中，根据下侧整流板的多个孔的面积的总和A(mm2)及上侧整流板的多个孔的面积的总和B(mm2)，确定清洗液的供给流量Q(L/...

本发明提供晶圆面内的温度分布变得均匀的卧式热处理炉、热处理方法及硅晶圆的制造方法。本发明的卧式热处理炉(1)具备炉芯管(11)、加热器(15)、门(13)、晶圆舟(16、17)、叉(18)，前述炉芯管(11)在一端具有开口部(12)，前...

本发明提供一种能够提高产品的质量的监视方法、监视程序、监视装置、晶片的制造方法以及晶片。基于从对晶片（W）进行加工的加工装置（10）取得的实际数据监视加工装置（10）的状态的监视方法包括如下的步骤：向表示实际数据与加工装置（10）的状态...

提供了硅晶片，其中掺杂剂是磷，电阻率为0.5mΩ

本发明涉及硅晶片和外延硅晶片。提供了硅晶片，其中掺杂剂是磷，电阻率为1.2mΩ

本发明提供使用研磨装置对晶片进行研磨的晶片研磨方法。上述晶片研磨方法包括：关于研磨对象晶片或被实施了与研磨对象晶片相同的加工处理的晶片，取得面内厚度分布信息；基于上述面内厚度分布信息，确定通过向研磨头的空间部的中央区域导入气体而对研磨对...

本发明的外延硅晶片(100)的制造方法的特征在于具有：对硅晶片(10)的表面(10A)照射包含SiH

提供了一种能够高精度地评价半导体晶片的表面粗糙度的新的评价方法。在评价对象的半导体晶片的表面的一个以上测定区域中，通过进行利用粗糙度测定装置的测定来取得最大高度Sz和Sz之外的粗糙度参数；以及针对各测定区域，以最大高度Sz的值为指标，判...

本发明提供一种硅单晶制造装置（1），具备：腔室（50）；坩埚（51），配置在腔室（50）内；辐射温度计（3），具有检测来自测量对象的辐射光的检测元件（16）、将辐射光聚光于检测元件（16）的透镜（15）、用来目视确认测量对象的取景器（1...

本发明提供一种使用卧式热处理炉的硅晶圆的热处理方法，其抑制配置在为了晶圆设置区域的温度均一化设置的虚设块附近的硅晶圆的寿命值下降，能够提高成品率。使用本发明的卧式热处理炉(100)的硅晶圆的热处理方法中，在圆筒形状的炉芯管(12)内配置...

本发明提供一种利用激光表面检查装置评价半导体晶片的半导体晶片的评价方法。上述半导体晶片在半导体基板上具有覆盖层，上述激光表面检查装置具有：第一入射系统；第二入射系统，以比第一入射系统入射到被照射面的光的入射角高的角度的入射角使光入射到被...