本发明提供一种能够防止单晶硅的氧浓度的两极化来制造相同品质的单晶硅的单晶硅的氧浓度推定方法、单晶硅的制造方法及单晶硅制造装置。根据本发明的单晶硅的氧浓度推定方法，在对石英坩埚内的硅熔体施加横磁场的同时提拉单晶硅时，测量熔液面高度即间隙(...

本发明的晶圆的研磨方法包括：使用碱浓度不同的多种研磨液，求出碱浓度与化学研磨率的相关性即第1相关性，且使用磨粒浓度不同的多种研磨液，求出磨粒浓度与机械研磨率的相关性即第2相关性的工序；根据所述第1相关性及所述第2相关性，计算所述多种研磨...

本发明提供一种即使在地上区域的压力与地下区域的压力之间的压差小的情况下，也能够精确地测量上述压差的压差测量装置及压差测量方法。压差测量装置(1)的特征在于，具备：压差测量部(11)，具有获取地上区域(100c)的压力的第1端口(11a)...

本发明提供一种具备掺杂剂供给装置的单晶制造装置，所述掺杂剂供给装置没有部件的折损、脱落，也可以应对热屏蔽构件的上下方向移动。单晶制造装置(1)，具备：腔室(10)；坩埚(12)，设置在腔室(10)内；热屏蔽构件(16)，配置在坩埚(12...

本发明提供一种可以使单晶中氧浓度的面内分布均匀的单晶的制造方法、磁场产生装置及单晶制造装置。一边对坩埚(11)内的熔液(2)施加横向磁场，一边提拉单晶(3)的单晶的制造方法，在晶体提拉工序中，配合熔液(2)的减少上升坩埚(11)的同时，...

晶体提拉中途防止由于投下粒状副掺杂剂引起单晶的有位错化。根据本发明的单晶硅的制造方法，包括：熔融工序，产生包含主掺杂剂的硅熔液(3)；以及晶体提拉工序，从硅熔液(3)提拉单晶硅(2)。晶体提拉工序包含至少1次追加掺杂工序，用于投下包含副...

本发明提供一种绝缘膜形成装置用托盘，前述绝缘膜形成装置用托盘能够抑制绝缘膜向半导体晶圆外周部的形成，且在半导体晶圆背面上形成绝缘膜。本发明是在半导体晶圆的背面形成绝缘膜的绝缘膜形成装置处载置半导体晶圆的托盘(1)，其特征在于，具备载置半...

本发明的载体测量装置(1)具备：旋转桌台(23)、桌台驱动马达(24)、上部厚度传感器(41)和下部厚度传感器(42)、滑动部(13)。旋转桌台(23)具有载体容纳部(23A)，用于水平容纳保持半导体晶片的孔(21A)偏心而形成的载体(...

本发明的载体测量装置(1)具备：旋转桌台(23)、桌台驱动马达(24)、上部厚度传感器(41)和下部厚度传感器(42)、滑动部(13)。旋转桌台(23)具有载体容纳部(23A)，用于水平容纳保持半导体晶片的孔(21A)偏心而形成的载体(...

提供能制造抑制滑移缺陷发生且晶片面内电阻率均匀性高的外延晶片的方法。外延晶片的制造方法对晶片从上部侧以上部加热器输出比加热并从下部侧以下部加热器输出比加热，在晶片上形成外延膜，设定上部加热器输出比与下部加热器输出比的多个第一组合，通过多...

提供能制造抑制滑移缺陷发生且晶片面内电阻率均匀性高的外延晶片的方法。外延晶片的制造方法对晶片从上部侧以上部加热器输出比加热并从下部侧以下部加热器输出比加热，在晶片上形成外延膜，设定上部加热器输出比与下部加热器输出比的多个第一组合，通过多...

本发明提供一种单晶硅的培育方法，其利用单晶硅培育装置，通过切克劳斯基法培育单晶硅，该单晶硅培育装置具备：腔室；坩埚；加热部，对容纳于坩埚中的硅熔液进行加热；及提拉部，使籽晶与硅熔液接触之后将其提拉，加热部具备对坩埚的上部进行加热的上加热...

提供能够抑制晶片的主面与倒角面的边界的棱角的晶片的镜面倒角方法。本发明是将晶片(W)的倒角面借助研磨垫(4、6)镜面研磨的晶片的镜面倒角方法，其特征在于，使研磨垫(4、6)的主面与晶片(W)的主面所成的角度(α1、α2)为倒角时的倒角角...

本发明提供一种单晶的制造方法，准确地测量晶种与熔液面的间隔，由此减少晶种的预热位置的偏差。所述单晶的制造方法具备如下步骤：测量在熔液的上方设置的晶种(5)的下端与熔液面(2a)的间隔(L

本发明提出一种方法，其在利用单片式晶圆洗涤装置重复进行晶圆(W)的洗涤时也能够抑制晶圆表面处检测到的颗粒的数量突发性地增加。本发明的特征在于，单片式的晶圆洗涤装置(100)具备台(11)、药液供给喷嘴(12)、纯水供给喷嘴(13)、药液...

提供适合于IGBT用途的硅晶片及该硅晶片的制造方法，该硅晶片是高电阻且电阻波动小、并且可抑制滑移的产生的硅晶片。硅晶片，其中，在硅晶片的厚度方向的氧浓度分布中，氧浓度比硅晶片的氧浓度(ASTMF121,1979)高1.5

提供一种双面研磨装置(1)，前述双面研磨装置(1)具备上平台(2)、下平台(3)、使上平台(2)旋转的旋转轴(4)、使上平台(2)变形的形状变形机构部(9)，形状变形机构部(9)具有与旋转轴(4)的下端连接且被在上平台(2)的上表面固定...

本发明涉及线圈、单晶的制造装置用磁铁、单晶的制造装置和单晶的制造方法。提出一种单晶的制造装置用磁铁中使用的线圈，其能够抑制晶体的提拉速度的变动，并能够抑制从所制造的单晶得到的晶片的外周部的氧浓度的降低。本发明的线圈（1）是在通过切克劳斯...

本发明的目的在于，提供能够抑制上述的各种欠陷的发生的晶圆支承舟及具有该晶圆支承舟的卧式热处理炉、使用该晶圆支承舟的晶圆的热处理方法及贴合晶圆的制造方法。本发明的晶圆支承舟是卧式热处理炉用的晶圆支承舟，容纳部由碳化硅构成，支承部由石英构成...

在本发明的工件的清洗处理方法及系统中，上侧整流板的孔的直径比下侧整流板的孔的直径小。在本发明的工件的清洗处理方法中，根据下侧整流板的多个孔的面积的总和A(mm2)及上侧整流板的多个孔的面积的总和B(mm2)，确定清洗液的供给流量Q(L/...