上海新阳半导体材料股份有限公司专利技术

上海新阳半导体材料股份有限公司共有352项专利

  • 本发明公开了一种超薄划片刀的电镀液组合物、其制备方法和应用。本发明的超薄划片刀的电镀液组合物的原料包含下列组分:硫酸镍、氯化镍、硼酸、1,8‑萘磺酸内酯、1,4‑双(3‑氨基苯)丁二炔、表面γ‑氨丙基三乙氧基硅烷改性的纳米金刚石、十二烷...
  • 对准标记重现清洗装置及使晶圆上的对准标记重现的方法
    本发明公开了一种对准标记重现清洗装置及使晶圆上的对准标记重现的方法。对准标记重现清洗装置包括基板、清洗桶、第一液管、喷嘴和真空管道。基板用于放置晶圆。清洗桶架设于晶圆的上方,清洗桶的外壁与内壁之间形成有环形空间。第一液管位于环形空间内,...
  • 一种刻蚀液及其制备方法和应用
    本发明公开了一种刻蚀液及其制备方法和应用。所述刻蚀液由下述原料制得,所述原料包含下列组分:过氧化氢、无机酸、不饱和有机物、金属螯合剂、过氧化氢稳定剂和水;所述的不饱和有机物包括不饱和有机酸和/或不饱和醇;其中,所述不饱和有机物的质量百分...
  • 针式元件处理装置
    本发明公开了一种针式元件处理装置,包括:导轨、夹具和处理槽,其中,导轨包括水平设置的第一轨道和第二轨道,第一轨道和第二轨道之间于竖直方向上存在位置差;夹具包括:支撑机构和抵压机构,其中,支撑机构和抵压机构沿导轨滑动地设置,支撑机构和抵压...
  • 针式元件处理用输送装置
    本发明公开了一种针式元件处理用输送装置,包括:导轨和夹具,其中,导轨包括水平设置的第一轨道和第二轨道,第一轨道和第二轨道之间于竖直方向上存在位置差;夹具包括:支撑机构和抵压机构,其中,支撑机构和抵压机构沿导轨滑动地设置,支撑机构和抵压机...
  • 晶圆挂具
    本发明公开了一种晶圆挂具,包括:挂板、底座和上盖,所述底座设置在所述挂板上,所述底座的上表面用于放置待加工的晶圆;所述上盖设置有通孔;所述上盖盖在所述底座上并可自所述底座上移开地设置;所述上盖与所述底座夹持晶圆,晶圆自所述通孔处外露。本...
  • 电镀用屏蔽装置
    本发明公开了一种电镀用屏蔽装置,包括:阴极屏蔽板和阳极屏蔽板,阴极屏蔽板和阳极屏蔽板间隔设置,阳极屏蔽板上设有若干第一通孔,阴极屏蔽板上设有若干第二通孔,所述第一通孔与所述第二通孔相对设置,使得电力线可自所述第一通孔穿过并穿过所述第二通...
  • 一种低碱度环保电解去除溢料的溶液、其制备方法及其应用
    本发明公开了一种低碱度环保电解去除溢料的溶液、其制备方法及应用。低碱度环保电解去除溢料的溶液,其由下述原料制得,所述的原料包括下列质量分数的组分:1%‑10%的无机碱、1%‑5%的有机胺、5%‑12%的缓冲剂、1%‑5%的有机溶剂、0....
  • 本发明公开了一种可用于去毛刺的去胶剂、其制备方法和应用。该去胶剂,其由下述原料制得,所述的原料包括下列质量分数的组分:20%‑70%的溶剂、10%‑50%有机胺、0.01%‑50%还原剂、0.01%‑5%无机碱、0.01%‑10%表面活...
  • 本发明公开了一种可用于去毛刺的去胶剂、其制备方法和应用。本发明的应用中,所述的去胶剂由下述原料制得,所述的原料包括下列质量分数的组分:20%‑70%的溶剂、10%‑50%有机胺、0.01%‑50%还原剂、0.01%‑5%无机碱、0.01...
  • 本发明公开了一种可用于去毛刺的去胶剂、其制备方法和应用。本发明的去胶剂的制备方法,其包括下列步骤:其包括下列步骤:将下述去胶剂的原料混合,即可;所述的原料包括下列质量分数的组分:20%‑70%的溶剂、10%‑50%有机胺、0.01%‑5...
  • 本发明公开了一种含羟胺清洗液、其制备方法及应用。本发明的含羟胺清洗液由下述原料制得,所述的原料包括下列质量分数的组分:10‑60%的水、10‑50%的水溶性有机溶剂、0.1‑20%的胺化合物、1‑30%的羟胺类化合物和/或其盐、和5‑1...
  • 一种在线电镀碳处理系统
    本实用新型公开了一种在线电镀碳处理系统。该碳处理系统包括依次连接的电镀槽、碳处理系统和循环过滤系统,碳处理系统包括碳处理箱和顶部的自动加碳装置,碳处理箱顶部还设有LED光照系统,内部设有催化网;循环过滤系统包括由碳处理箱与碳粉过滤机连接...
  • 一种硫酸铜电镀液、其制备方法和应用及电解槽
    本发明公开了一种硫酸铜电镀液、其制备方法和应用及电解槽。所述制备方法包括以下步骤:在电解槽中进行电解反应;所述电解的电解液为硫酸水溶液,所述硫酸水溶液的浓度为1mol/L‑3mol/L;所述电解液的电流密度为9‑10ASD。所述电解槽设...
  • 本发明公开了一种清洗剂、其制备方法和应用。所述的清洗剂,其由下述原料制得,所述的原料包括下列质量分数的组分:0.5%‑20%的含碘氧化剂、0.5%‑20%的含硼蚀刻剂、1%‑50%的吡咯烷酮类溶剂、1%‑20%的腐蚀抑制剂、0.01%‑...
  • 本发明公开了一种整平剂、含其的金属电镀组合物、制备方法及应用。所述的金属电镀组合物的原料包括金属电镀液和整平剂,所述金属电镀液包括铜盐、酸性电解质、卤离子源和水;所述整平剂的制备方法包括以下步骤:在第二有机溶剂中,将一个或多个RX和一种...
  • 本发明公开了一种清洗剂、其制备方法和应用。本发明的清洗剂的制备方法,其包括下列步骤,将下述原料混合,即可;所述的原料包含下列质量分数的组分:0.5%‑20%的含碘氧化剂、0.5%‑20%的含硼蚀刻剂、1%‑50%的吡咯烷酮类溶剂、1%‑...
  • 本发明公开一种整平剂、含其的金属电镀组合物及制备方法、应用。本发明公开的金属电镀组合物的原料包括金属电镀液和整平剂,金属电镀液包括金属盐、酸性电解质、卤离子源和水,金属盐为铜盐,整平剂为如式I结构的化合物。该金属电镀组合物用于印刷电路板...
  • 本发明公开了一种整平剂、含其的金属电镀组合物、制备方法及应用。所述金属电镀组合物的原料包括金属电镀液和整平剂;所述金属电镀液包括铜盐、酸性电解质、卤离子源和水;所述整平剂的制备方法包括以下步骤:在第二有机溶剂中,将一个或多个RX和一种或...
  • 本发明公开了一种整平剂、含其的金属电镀组合物、制备方法及应用。所述金属电镀组合物的原料包括金属电镀液和整平剂;所述金属电镀液包括铜盐、酸性电解质、卤离子源和水;所述整平剂为式I化合物。本发明的金属电镀组合物可用于印刷电路板电镀和集成电路...