本发明公开了一种清洗液的制备方法。本发明的清洗液的制备方法包括如下步骤：将所述的清洗液中的各个组分混合，得到所述的清洗液；所述的清洗液的原料包括下列质量分数的组分：0.1‑30％的氧化剂、胺类有机物、氟化物、缓蚀剂、螯合剂、表面活性剂以...

本发明公开了一种清洗液的应用。本发明的清洗液用于清洗刻蚀灰化后的半导体芯片；所述的清洗液的原料包括下列质量分数的组分：0.1‑30％的氧化剂、胺类有机物、氟化物、缓蚀剂、螯合剂、表面活性剂以及水，水补足余量，各组分质量分数之和为100％...

本发明公开了一种清洗液的应用。本发明的清洗液用于清洗刻蚀灰化后的半导体芯片；所述的清洗液的原料包括下列质量分数的组分：0.1‑40％氧化剂、胺类有机物、缓蚀剂、螯合剂、表面活性剂以及水，水补足余量，各组分质量分数之和为100％；所述的胺...

本发明公开了一种清洗液。本发明的清洗液的原料包括下列质量分数的组分：0.1‑40％氧化剂、胺类有机物、缓蚀剂、螯合剂、表面活性剂以及水，水补足余量，各组分质量分数之和为100％；所述的胺类有机物为氮烷基氢氧化铵和/或醇胺；所述的螯合剂为...

本发明公开了一种清洗液的制备方法。本发明的制备方法包括如下步骤：将所述的清洗液中的各个组分混合，得到所述的清洗液；所述的清洗液的原料包括下列质量分数的组分：0.1‑40％氧化剂、胺类有机物、缓蚀剂、螯合剂、表面活性剂以及水，水补足余量，...

本发明公开了一种清洗液。本发明的清洗液的原料包括下列质量分数的组分：0.1‑30％的氧化剂、胺类有机物、氟化物、缓蚀剂、螯合剂、表面活性剂以及水，水补足余量，各组分质量分数之和为100％；所述的胺类有机物为氮烷基氢氧化铵和/或醇胺；所述...

本发明公开了一种晶圆清洗装置及晶圆封装设备，晶圆清洗装置包括清洗槽、盖板组件和喷淋组件，清洗槽中放置有装载晶圆的料篮，盖板组件安装并可开合地覆盖在清洗槽的上方开口，喷淋组件安装在盖板组件上且喷口朝向清洗槽内，通过盖板组件改变喷淋组件的喷...

本发明公开了一种提篮分拣装置及晶圆封装设备，提篮分拣装置包括活动支架、固定支架和载物支架；固定支架上设有多个固定机构，固定机构用于固定提篮承载机构；活动支架具有移动机构和搬运机构，搬运机构设置在移动机构上，移动机构用于在至少两个自由度上...

本发明公开了一种晶圆提篮及晶圆封装设备，包括支柱和托架，托架上远离支柱的远端设置第一限位机构，用于将具有第一规格的料篮限位固定；第一限位机构具有第一转动臂、第一转轴和第一限位臂，第一转动臂通过第一转轴可转动地连接在托架上，第一转动臂具有...

本发明公开了一种行车搬运装置及晶圆封装设备，包括行车固定区、晶圆上货区和晶圆封装区，行车固定区中设置行车搬运装置，包括水平组件、竖直组件、夹持组件、第一防尘板和第二防尘板，竖直组件的顶部活动连接在水平组件上，夹持组件活动连接在竖直组件的...

本发明公开了一种温度控制装置及晶圆清洗设备，晶圆清洗设备包括清洗槽、连接管路和的温度控制装置，温度控制装置与清洗槽之间通过连接管路连通，连接管路用于在温度控制装置和清洗槽之间建立供清洗媒介流通的循环通路，通过循环通路实现清洗媒介的实时加...

本发明公开了一种晶圆清洗装置及晶圆封装设备，晶圆封装设备包括循环装置和晶圆清洗装置，晶圆清洗装置包括清洗槽和溢流槽，溢流槽设置于清洗槽的一侧，清洗槽的顶部具有第一开口，清洗槽设置入水口，溢流槽的顶部具有第二开口，溢流槽设置出水口，第一开...

本发明公开了一种晶圆清洗媒介的循环装置、循环方法及晶圆封装设备，第一管路连接接水口和泵体的泵入口，设置第一控制阀；第二管路连接温度控制器的第一出口与送水口，设置流量控制器和第二控制阀；第三管路连接温度控制器的第一出口和泵入口，设置第三控...

本发明公开了一种盖板机构、晶圆清洗装置及晶圆封装设备，晶圆封装设备包括运送装置和晶圆清洗装置，运送装置将装载晶圆的提篮运送至晶圆清洗装置中对晶圆进行清洗，晶圆清洗装置包括清洗槽和盖板机构，盖板机构包括支架、驱动组件、多个传动组件和多个盖...

本发明公开了一种晶圆表面处理液，具体的，本发明提供的晶圆表面处理液的原料包括下列质量分数的组分：0.005‑1％含氟化合物、0.1‑20％硅烷偶联剂和有机溶剂；各组分质量分数之和为100％；所述的有机溶剂补足余量；本发明的晶圆表面处理液...

本发明公开了一种含氟化物晶圆表面处理液。本发明的晶圆表面处理液的原料包括下列质量分数的组分：0.005％‑1％含氟化物、0.1％‑20％硅烷偶联剂和有机溶剂；各组分质量分数和为100％；所述的有机溶剂补足余量。本发明的晶圆表面处理液处理...

本发明公开了一种晶圆表面处理液的应用，具体提供了一种晶圆表面处理液在清洗晶圆中的应用，所述晶圆表面处理液的原料包括下列质量分数的组分：0.005‑1％含氟化合物、0.1‑20％硅烷偶联剂和有机溶剂；各组分质量分数之和为100％；所述的有...

本发明公开了一种含氟硅烷晶圆表面处理液的应用。本发明的晶圆表面处理液可用于清洗刻蚀后的晶圆；该晶圆表面处理液的原料包括下列质量分数的组分：0.005％‑1％含氟硅烷、0.1％‑20％硅烷偶联剂和有机溶剂；各组分质量分数之和为100％；所...

本发明公开了一种晶圆表面处理液制备方法。本发明的晶圆表面处理液制备方法，其包含如下步骤：将表面处理液的各组分混合均匀即可；所述表面处理液以质量分数计的组分包括：0.1‑20％含硅烷偶联剂和有机溶剂；各组分质量分数之和为100％；所述的有...

本发明公开了一种含氟化物晶圆表面处理液的制备方法。本发明的制备方法包括如下步骤，将所述的晶圆表面处理液的原料混合，即得到所述的晶圆表面处理液；所述的晶圆表面处理液的原料包括下列质量分数的组分：0.005％‑1％含氟化物、0.1％‑20％...