根据本公开的实施例的电子装置包括：传感器，包括第一传感器和第二传感器，第一传感器用于检测电子装置和投影平面之间的距离，第二传感器用于检测电子装置的倾斜度；存储器；投影部；以及至少一个处理器，被配置为：通过第一传感器和第二传感器获得第一环...

一种集成电路半导体器件，包括：基底层，包括第一表面和第二表面；栅极结构，在基底层的第一表面上；第一源漏区，在栅极结构的一侧上；第二源漏区，在栅极结构的另一侧上；第一占位部，在第一源漏区的下部中的基底层中，并且电连接到第一源漏区；第二占位...

公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：对布局的设计图案执行光学邻近校正(OPC)；以及使用基于校正后的布局制造的光掩模在衬底上形成光刻胶图案。执行OPC包括：分析单元层级以选择布局中的代表性单元；将代表性单元中的设计图案划分为包括...

半导体封装可以包括：基底半导体芯片；连接半导体芯片，在基底半导体芯片上；上半导体芯片，在连接半导体芯片上；填充层，在上半导体芯片中的沟槽中；以及模制层，围绕上半导体芯片延伸。

公开了一种由无线网络中的第一电子设备(300)将超宽带(UWB)配置卸载到窄带(NB)通告的方法。生成包括UWB配置的多个UWB参数中的第一组UWB参数的NB通告消息；在NB信道上向至少一个第二电子设备发送包括第一组UWB参数的NB通告...

本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。公开了一种操作用户设备UE的方法。该方法包括识别与请求灾难漫游DR相关联的定时器正在运行、尝试进行紧急呼叫、以及注册紧急服务。

本公开涉及一种5G通信系统或6G通信系统，其用于支持超出4G通信系统(诸如长期演进(LTE))的更高数据速率。用于在无线通信系统中UE发起的报告的方法和装置。一种操作UE的方法包括：发射支持FTN的UE能力信息；生成包括一组零符号的数据...

用于协助多链路设备(MLD)发现与MLD的非同时发送/接收(NSTR)约束链路重叠的点对点(P2P)直接链路而不违反NSTR约束的方法和装置。一种非接入点(AP)MLD包括被配置为与AP MLD的AP形成链路的站(STA)，以及至少一个...

本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。用于无线网络中的多传输接收点(TRP)操作中的信道状态信息(CSI)报告的装置和方法。一种由用户设备(UE)执行的方法包括接收关于CSI报告的信息。该信息指示N<subgt;...

本公开涉及一种用于支持更高数据发射速率的5G、6G或个人IoT网络通信系统。PEMC的方法包括：发射第一消息，第一消息包括与个人物联网网络(PIN)相关的信息；从第一个人物联网网络元素(PINE)接收第一加入请求消息，第一加入请求消息包...

提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：第一基底，具有彼此相对的第一面和第二面，并且包括具有设置在第一面处的多个有源区域的像素阵列区域；浅沟槽隔离结构，设置在第一基底的第一面处，并且隔离所述多个有源区域中的每个；多个浮置扩散区域，设置...

提供了电子电路和操作电子电路的方法。该电子电路包括降压‑升压转换器和控制器。该转换器在其中包括电感元件、多个开关和多个驱动器，并且配置为响应于输入电压而生成输出电压。控制器配置为：(i)生成斜坡信号，该斜坡信号具有随着输入电压减小而延迟...

可穿戴设备包括通信电路、至少一个传感器和处理器，其中，该处理器被配置为：在识别出穿戴可穿戴设备的用户在睡眠时，识别可穿戴设备与外部电子设备之间的距离；至少部分地基于识别出该距离小于参考距离，将通过该至少一个传感器获得的数据与用于识别在用...

一种片上系统，包括：多个处理器；由多个处理器共享的系统级高速缓存；以及高速缓存控制器，当系统级高速缓存从多个处理器中的至少一个接收到第一数据时，如果已经对第一数据执行了原子操作，则高速缓存控制器向另一芯片发送第一数据。

提供了一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：第一字线；第二字线，所述第二字线与所述第一字线间隔开；背栅电极，所述背栅电极位于所述第一字线与所述第二字线之间；第一沟道图案，所述第一沟道图案位于所述第一字线与所述背栅电极之间；第二沟道...

提供了一种半导体器件和电子系统。该半导体器件可以包括：衬底，包括单元阵列区域和连接区域；堆叠结构，包括堆叠在衬底上的导电图案；内部支撑件，在连接区域中延伸到堆叠结构中；接触插塞，延伸到堆叠结构的一部分中并且电连接到导电图案之一，并且在平...

一种半导体器件，包括：衬底，该衬底包括标准单元区域和至少部分地围绕标准单元区域的端接单元区域；第一有源图案，在标准单元区域中；第一布线，在第一方向上延伸并且在第一有源图案上；第一栅电极，在第二方向上延伸并且在第一有源图案上；第一栅极接触...

一种半导体器件包括：在第一方向上延伸的位线；字线，在与第一方向交叉的第二方向上延伸，字线在比位线的水平更高的水平处；在位线上的沟道层，沟道层包括垂直部分和延伸部分，垂直部分至少部分地在与字线相同的水平处，延伸部分从垂直部分的上部区域延伸...

提供了一种具有行译码器电路架构的存储器件。所述存储器件包括外围电路结构和设置在所述外围电路结构上并与所述外围电路结构竖直交叠的单元阵列结构。所述单元阵列结构可以包括多个存储块，所述多个存储块包括多个竖直沟道晶体管结构和分别连接到所述竖直...

公开存储器系统和控制存储器装置的方法。所述方法包括：从存储器装置读取第一读取数据；纠正第一读取数据中已经发生错误的第一存储器区域的位，并且将没有发生错误的第二存储器区域的位反相；识别第一存储器区域中的第一错误类型和第二存储器区域中的第二...