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三星电子株式会社专利技术
三星电子株式会社共有60714项专利
时间-数字转换器和包括其的数字锁相环电路制造技术
提供了一种时间‑数字转换器,包括:相位频率检测器,被配置为接收锁相环输入时钟和反馈时钟;环形振荡器,被配置为用第一时段的多相位时钟来执行振荡;计数器阵列,被配置为在第一脉冲宽度期间以正整数的数量对环形振荡器以第一时段进行振荡的振荡的数量...
半导体器件制造技术
一种半导体器件包括单元区域和外围电路区域,所述单元区域包括:堆叠在衬底上的多条字线;至少一条接地选择线,其位于所述多条字线与所述衬底之间;和多个通道结构,其穿过所述多条字线和所述至少一条接地选择线,所述外围电路区域包括控制所述单元区域的...
模数转换器及用于在模数转换器中进行模数转换的方法技术
提供了一种模数转换器及用于在模数转换器中进行模数转换的方法。模数转换器包括:比较器,包括接收多个第一单元电容器的输出的第一输入节点和接收多个第二单元电容器的输出的第二输入节点;控制逻辑,被配置为基于比较器的输出信号输出第一控制信号和第二...
纠错码电路、包括纠错码电路的存储设备以及纠错码电路的操作方法技术
公开了一种存储设备,其包括:存储单元阵列,存储第一数据和第一奇偶校验数据;纠错码ECC电路,基于第一数据和第一奇偶校验数据执行ECC解码并输出经纠错的数据和解码状态标志;以及输入/输出电路,将经纠错的数据和解码状态标志提供给存储控制器。...
低密度奇偶校验解码器和储存装置制造方法及图纸
一种低密度奇偶校验(LDPC)解码器,其用码字的值将可变节点初始化并且输出参考不规则的奇偶校验矩阵更新的可变节点作为解码的消息。该LDPC解码器包括:多个单位逻辑电路,其在单模式或多模式下操作,在单模式中,所有单位逻辑电路更新包括至少一...
光酸产生剂、包括其的光致抗蚀剂组合物及使用光酸产生剂形成图案的方法技术
提供光酸产生剂、包括其的光致抗蚀剂组合物以及通过使用光酸产生剂形成图案的方法。所述光酸产生剂包括在曝光时产生酸的单体和酸不稳定单体的共聚物,所述酸不稳定单体对于显影溶剂的溶解性通过经由酸的分解而改变,其中所述共聚物由式1表示,其中,在式...
装置控制器、存储装置及其方法制造方法及图纸
提供了一种装置控制器、存储装置及其方法。一种包括非易失性存储器的存储装置的装置控制器从提交队列中查看命令,并且基于装置资源的状态来确定所查看的命令是否是可执行的。响应于确定了所述命令是可执行的,所述装置控制器取出所述命令,将所述装置资源...
存储设备、存储设备的操作方法以及控制器的操作方法技术
提供存储设备、存储设备的操作方法以及控制器的操作方法。所述存储设备的操作方法包括:从主机设备接收主机读取命令;识别与所述主机读取命令对应的读取路径是否对应于第一直接存储器访问(DMA)读取路径;以及基于所述读取路径对应于所述第一DMA读...
用于基于基向量的窗口的CSI报告的方法和装置制造方法及图纸
本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。一种方法包括接收关于CSI报告的配置,所述配置包括关于以下项的信息:M<subgt;TRP</subgt;个非零功率(NZP)CSI‑参考信号(RS)资源,其中,N&l...
半导体器件制造技术
一种半导体器件,包括:有源图案,从衬底突出并包括多个堆叠的半导体图案;栅极图案,设置在有源图案上并与有源图案交叉;栅极绝缘图案,在有源图案和栅极图案之间;栅极间隔物,在栅极图案的侧部处并且在有源图案上;以及盖图案,设置在有源图案和栅极间...
辅助发送和接收点间校准的方法和用户设备技术
公开了一种由用户设备(UE)执行的用于在相干联合传输(CJT)系统中辅助发送和接收点(TRP)间校准的系统和方法。所述方法包括:由UE向在多个TRP中包括的至少一个TRP发送校准辅助信息;以及由UE从所述至少一个TRP接收已经基于校准辅...
集成电路器件及其制造方法技术
在根据实施例的集成电路器件及其制造方法中,在包括用于具有基于缩小尺寸而减小的面积的器件区域的背面配电网络在内的结构中,接触融合桥形成在源极/漏极接触件上,并且因此,可以降低制造工艺的难度并且可以增强电特性。
非易失性存储器件和包括其的存储系统技术方案
一种非易失性存储器件包括:外围电路结构,包括外围电路和外围电路上的下绝缘结构;单元阵列结构,具有单元区域和外围连接区域并包括:与下绝缘结构接触的上绝缘结构;单元堆叠,在上绝缘结构上在单元区域中;公共源极线层,在单元堆叠上并具有公共源极开...
生成邻近校正模型的方法、邻近校正方法及邻近校正系统技术方案
本公开提供了由计算系统执行的用于生成邻近校正模型的方法、邻近校正方法及邻近校正系统。所述用于生成邻近校正模型的方法包括:在使用第一布局来执行第一工艺之后获取晶片上的多个拍摄图像;生成通过重叠所述多个拍摄图像而获得的重叠图像;以及使用所述...
存储装置、存储系统以及操作存储系统的方法制造方法及图纸
提供了存储装置、包括存储系统以及操作存储系统的方法。所述存储系统可以包括主机装置和存储装置。所述存储装置可以被配置为在被通电时针对从所述主机装置接收的信号执行眼图张开度监视器(EOM)操作以生成EOM结果值、被配置为将所述EOM结果值存...
包括包围多个集成电路的热管的电子装置制造方法及图纸
提供了一种电子装置。电子装置可以包括印刷电路板(PCB),印刷电路板(PCB)包括第一表面以及与第一表面相反的第二表面。电子装置可以包括处于第二表面上的处理器。电子装置可以包括处于第二表面上的与处理器部分地接触的散热器。电子装置可以包括...
清洁装置及由其执行的方法制造方法及图纸
提供了清洁装置及由清洁装置执行的方法。清洁装置包括真空清洁器和对接站,真空清洁器包括集尘容器,集尘容器联接至对接站。对接站包括:抽吸装置、收集器、抽吸流动路径、流动调节装置以及至少一个处理器,其中,抽吸装置配置为将空气从集尘容器移动到对...
量子点组合物、其制造方法、其固化膜、和包括其的发光元件和显示器件技术
提供量子点组合物、其制造方法、其固化膜、和包括其的发光元件和显示器件,特别地用于电流体动力学喷墨印刷的量子点组合物、其制造方法、其固化产物、和包括其的显示器件。量子点组合物包括:量子点;可光聚合单体;和低聚物,其中所述可光聚合单体包括包...
储存设备和储存设备的操作方法技术
提供一种储存设备,包括:存储设备,包括多个存储块,每个存储块包括多个存储单元;控制器,被配置为响应于从主机接收的写入请求控制存储设备的编程操作;以及温度传感器,被配置为测量内部温度,其中,控制器还被配置为基于由温度传感器测量的第一温度,...
包括贯穿通路和布线层的半导体器件制造技术
本公开提供了包括贯穿通路和布线层的半导体器件。所述半导体器件包括:半导体衬底;第一绝缘层,所述第一绝缘层设置在所述半导体衬底的第一表面上;贯穿通路,所述贯穿通路穿过所述半导体衬底和所述第一绝缘层两者;保护阻挡壁图案,所述保护阻挡壁图案设...
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