本发明属于半导体设备技术领域，具体涉及一种碳化硅晶体沉积装置，包括：筒体和底盘；底盘与筒体密封配合形成沉积空间；通过在筒体内设置具有曲面结构的罩体，使得该曲面结构与进料喷嘴中心相对，起到快速发散分流气流的作用；且曲面结构底部与侧壁渐小的...

本发明属于碳化硅晶体技术领域，具体涉及多晶碳化硅棒及其制备装置和方法以及多晶碳化硅粉体。制备装置包括反应器，反应器包括底板、罩体和罩体内的沉积载体，底板的中央设置抽气孔，抽气孔的外部穿设和沉积载体连接的电极，电极的外侧设置进气孔；通过进...

本发明属于半导体设备技术领域，具体涉及一种碳化硅晶体沉积装置及抑制微粉形成的控制方法，通过设置多圈棒体以及对应的物料进口管路和冷态进口管路，并根据棒体的直径情况及时调整不同进口管路的开闭和流量大小，由于高温气氛通常位于门字型棒体内部的区...

本发明属于半导体设备技术领域，具体涉及一种碳化硅晶体沉积装置及方法，包括：罩体和底盘；底盘与罩体的底端密封配合以形成一密封的沉积空间，通过设置多孔隔板将罩体内的沉积空间分为靠下的反应空间和靠上的补料空间，这样可单独向补料空间补充新鲜物料...

本发明属于半导体设备技术领域，具体涉及一种碳化硅晶体沉积装置及碳化硅晶体制备方法，通过先在预热混合模块的进料混合腔室中进行原料气体的混合以及利用沉积室尾气对换热腔室中的混合气体进行换热预热，从而将原料气体预热至接近还原炉内沉积温度，降低...

本技术提供了一种超高纯四氯化钛的制备系统。该超高纯四氯化钛的制备系统包括：两级液相吸附装置、精馏单元和精密过滤单元，两级液相吸附装置包括串联设置的第一吸附柱和第二吸附柱，第一吸附柱设置有第一进气口，第二吸附柱设置有吸附产物出口，且第一吸...

本技术提供一种电子级四氯化硅的生产装置，包括管道混合器，用于将氯气与四氯化硅原料在管道混合器内进行预混合，精馏塔，包括塔顶出口、塔釜出口以及设置在塔顶出口和塔釜出口之间的进料口、回流口和产品出口，精馏塔进料口与管道混合器的出口连通，精馏...

本技术公开一种管道式光氯化连续反应装置,包括静态混合器，所述静态混合器的进口端分别连接四氯化硅料源和氯气气源，用于将四氯化硅料源和氯气硅源进入静态混合器内进行预混合；反应器，所述反应器具有底部进口端和顶部出口端，所述底部进口端与静态混合...

本技术公开一种硅基电子特气用精密过滤器的检修系统，包括过滤器本体，所述过滤器本体包括壳体和设置在壳体内的滤芯，进料阀通过进料管道与壳体相连，滤芯出料侧通过出料管道与出料阀相连；进料管道，用于向过滤器本体供应物料，在进料管道上设置有第一废...

本技术公开一种硅基电子特气用钢制无缝气瓶钝化系统，包括钝化管道，所述钝化管道设置有气瓶接口、合格产品接口、真空接口、保护气接口和废液排口，气瓶，所述气瓶瓶阀向下倒置竖立设置，且所述气瓶瓶阀与所述气瓶接口连通，用于向气瓶中通入合格产品、压...

本技术提供了一种异戊烷提纯装置。在异戊烷提纯装置中，第一吸附塔的第一出口和第二吸附塔的第二进口相连通，使得第一吸附塔和第二吸附塔串联，从而使得异戊烷混合气体依次流经第一吸附塔和第二吸附塔。在第一吸附塔中第一分子筛吸附动力学直径小于第一分...

本技术涉及半导体技术领域，具体涉及一种用于制备棒状硅基材料的化学气相沉积装置，包括炉筒、底盘、设置于底盘上的进气口和出气口、设置于底盘上的电极，炉筒内设置有载体，所述载体通过石墨连接件与电极连接，还包括设置于底盘上的隔热导流部件。本技术...

本技术提供了一种水解搅拌反应釜，应用于反应釜技术领域。所述装置包括釜体，所述釜体顶端固定安装有第一固定块，所述第一固定块与搅拌电机固定连接，所述搅拌电机的输出端与搅拌轴的顶端固定连接，所述釜体底部固定安装有第二固定块，所述第二固定块与所...

本技术提供了一种用于电子级多晶硅还原炉的石墨组件，应用于电子级多晶硅制造技术领域。所述组件包括基座，所述基座设置有电极安装孔；所述基座设置有横向置换孔；所述基座设置有第一纵向置换孔；所述基座和硅棒支撑帽螺纹连接；所述基座和硅芯夹持体螺纹...

本发明涉及氮化硅陶瓷材料制备技术领域，具体涉及一种微氯高α相氮化硅粉体的制备方法，步骤为：(1)将摩尔比为1:10‑100的液氨与气态四氯化硅在‑60‑10℃进行反应0.5‑6h，得悬浮液；(2)将所述悬浮液进行一级过滤，滤饼采用脱氯液...

本技术提供了一种高纯四(二甲胺基)钛的制备系统。高纯四(二甲胺基)钛中四(二甲胺基)钛的纯度≥99.99％，高纯四(二甲胺基)钛的制备系统包括：金属离子吸附装置、蒸馏装置和精密过滤装置。金属离子吸附装置设置有进料口和吸附产物出口；蒸馏装...

本技术公开了一种棒状碳化硅沉积装置，该装置包括炉筒和底盘，炉筒和底盘封围成炉腔，所述底盘上贯通设有进气管、出气管以及沉积组件；炉筒为双层侧壁结构，炉筒的外壁下部设有进口I、上部设有出口I，炉筒内壁的外表面上螺旋形隔板；由进口I进入炉筒侧...

本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种三(二甲胺基)环戊二烯基锆的制备方法：(1)制备溶液A：在惰性气体环境下，向容器中加入正丁基锂的正己烷溶液，在搅拌条件下冷却至‑20℃～10℃，通入二甲胺气体，室温条件下持续搅拌8～12h，得到乳...

本发明公开一种六氯乙硅烷的纯化装置及其纯化方法，包括电极组，设置有若干组，用于通过在其正极和负极上发生氧化还原反应，对金属杂质进行去除；电解除杂槽，所述电解除杂槽为封闭式结构，其内部用于安装所述电极组，且若干电极组沿原料的流向依次排布设...

本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种化学气相沉积制备高纯碳化硅的方法，包括以下步骤：(1)将原料一甲基三氯硅烷进行精馏提纯，使其纯度大于99.99％，杂质含量低于5ppm；(2)将提纯后的一甲基三氯硅烷和氢气混合、汽化后，进行反应；(...