本发明提供了一种锑颗粒的制备方法及其使用的装置，属于锑的制备领域。本发明提供了一种锑颗粒的制备方法，包括以下步骤：将含气态三氯化锑与氢气的混合气体、载气持续地通入装有锑微粉的立式流化床反应器中进行还原反应，通过调整所述混合气体与载气的流...

一种用于区熔硅棒热应力消除的微波加热装置及工艺，其在区熔硅棒的生产制备过程中，采用在特定阶段微波精细调控式加热的方式，在停炉后对区熔硅棒进行了有效地热应力消除，具有加热速度快、加热均匀、控制精确、安全环保等优势，可有效缩短生产周期、降低...

一种四（二甲氨基）钛的气相色谱含量测定方法，采用气相色谱法进行检测，方法本身步骤简单，操作方便，采用气相色谱法可快速、准确地测定出待检测样品中四（二甲氨基）钛的含量，具体方法通过选择特定的色谱柱种类，以及色谱仪条件参数的限定，实现了四（...

本发明提供一种电子级六甲基二硅氮烷的制备装置及其制备工艺，包括合成反应器；除盐装置，与所述合成反应器的出料口相连接，用于对合成反应器排出的合成反应液所含有NH<subgt;4</subgt;Cl进行结晶并除盐；粗馏塔，用于对...

本发明属于集成电路用钛基材料四氯化钛制备领域，涉及一种电子级化学品痕量杂质的去除方法，特别是涉及一种膜过滤吸附制备超纯四氯化钛的方法，包括以下步骤：S1、将微滤膜在超纯水中超声处理后得到超纯净微滤膜；S2、将超纯净微滤膜平整放置在烘箱中...

本技术涉及集成电路制造技术领域，具体涉及一种多晶硅还原炉用石英镜片组件，包括设置于还原炉上视镜口内的上、下两个石英镜片，所述上、下石英镜片分别通过上法兰和下法兰固定于还原炉上的视镜口内壁上，所述石英镜片侧面设有金属涂层，所述石英镜片上下...

本发明属于半导体设备技术领域，具体涉及一种碳化硅晶体沉积装置，包括：筒体和底盘；底盘与筒体密封配合形成沉积空间；通过在筒体内设置具有曲面结构的罩体，使得该曲面结构与进料喷嘴中心相对，起到快速发散分流气流的作用；且曲面结构底部与侧壁渐小的...

本发明属于碳化硅晶体技术领域，具体涉及多晶碳化硅棒及其制备装置和方法以及多晶碳化硅粉体。制备装置包括反应器，反应器包括底板、罩体和罩体内的沉积载体，底板的中央设置抽气孔，抽气孔的外部穿设和沉积载体连接的电极，电极的外侧设置进气孔；通过进...

本发明属于半导体设备技术领域，具体涉及一种碳化硅晶体沉积装置及抑制微粉形成的控制方法，通过设置多圈棒体以及对应的物料进口管路和冷态进口管路，并根据棒体的直径情况及时调整不同进口管路的开闭和流量大小，由于高温气氛通常位于门字型棒体内部的区...

本发明属于半导体设备技术领域，具体涉及一种碳化硅晶体沉积装置及方法，包括：罩体和底盘；底盘与罩体的底端密封配合以形成一密封的沉积空间，通过设置多孔隔板将罩体内的沉积空间分为靠下的反应空间和靠上的补料空间，这样可单独向补料空间补充新鲜物料...

本发明属于半导体设备技术领域，具体涉及一种碳化硅晶体沉积装置及碳化硅晶体制备方法，通过先在预热混合模块的进料混合腔室中进行原料气体的混合以及利用沉积室尾气对换热腔室中的混合气体进行换热预热，从而将原料气体预热至接近还原炉内沉积温度，降低...

本技术提供了一种超高纯四氯化钛的制备系统。该超高纯四氯化钛的制备系统包括：两级液相吸附装置、精馏单元和精密过滤单元，两级液相吸附装置包括串联设置的第一吸附柱和第二吸附柱，第一吸附柱设置有第一进气口，第二吸附柱设置有吸附产物出口，且第一吸...

本技术提供一种电子级四氯化硅的生产装置，包括管道混合器，用于将氯气与四氯化硅原料在管道混合器内进行预混合，精馏塔，包括塔顶出口、塔釜出口以及设置在塔顶出口和塔釜出口之间的进料口、回流口和产品出口，精馏塔进料口与管道混合器的出口连通，精馏...

本技术公开一种管道式光氯化连续反应装置,包括静态混合器，所述静态混合器的进口端分别连接四氯化硅料源和氯气气源，用于将四氯化硅料源和氯气硅源进入静态混合器内进行预混合；反应器，所述反应器具有底部进口端和顶部出口端，所述底部进口端与静态混合...

本技术公开一种硅基电子特气用精密过滤器的检修系统，包括过滤器本体，所述过滤器本体包括壳体和设置在壳体内的滤芯，进料阀通过进料管道与壳体相连，滤芯出料侧通过出料管道与出料阀相连；进料管道，用于向过滤器本体供应物料，在进料管道上设置有第一废...

本技术公开一种硅基电子特气用钢制无缝气瓶钝化系统，包括钝化管道，所述钝化管道设置有气瓶接口、合格产品接口、真空接口、保护气接口和废液排口，气瓶，所述气瓶瓶阀向下倒置竖立设置，且所述气瓶瓶阀与所述气瓶接口连通，用于向气瓶中通入合格产品、压...

本技术提供了一种异戊烷提纯装置。在异戊烷提纯装置中，第一吸附塔的第一出口和第二吸附塔的第二进口相连通，使得第一吸附塔和第二吸附塔串联，从而使得异戊烷混合气体依次流经第一吸附塔和第二吸附塔。在第一吸附塔中第一分子筛吸附动力学直径小于第一分...

本技术涉及半导体技术领域，具体涉及一种用于制备棒状硅基材料的化学气相沉积装置，包括炉筒、底盘、设置于底盘上的进气口和出气口、设置于底盘上的电极，炉筒内设置有载体，所述载体通过石墨连接件与电极连接，还包括设置于底盘上的隔热导流部件。本技术...

本技术提供了一种水解搅拌反应釜，应用于反应釜技术领域。所述装置包括釜体，所述釜体顶端固定安装有第一固定块，所述第一固定块与搅拌电机固定连接，所述搅拌电机的输出端与搅拌轴的顶端固定连接，所述釜体底部固定安装有第二固定块，所述第二固定块与所...

本技术提供了一种用于电子级多晶硅还原炉的石墨组件，应用于电子级多晶硅制造技术领域。所述组件包括基座，所述基座设置有电极安装孔；所述基座设置有横向置换孔；所述基座设置有第一纵向置换孔；所述基座和硅棒支撑帽螺纹连接；所述基座和硅芯夹持体螺纹...