本发明公开了一种生坯件的动态调参抛光方法、系统、设备及介质，包括：打印及固定生坯件；生坯件根据预设模型打印，生坯件固定于机械臂的可旋转平台上；设置生坯件的目标区域为抛光区域，在预设库中设有抛光区域不同位置对应的抛光参数；将预设模型按预设...

本申请涉及一种铋基钙钛矿单晶及其制备方法、半导体材料、X射线探测器。所述铋基钙钛矿单晶的化学式为(C<subgt;9</subgt;H<subgt;14</subgt;N)<subgt;3</subg...

本发明公开了一种基于主动式悬浮背包的非时间依赖的控制方法、系统、介质及主动式悬浮背包，所述方法包括：利用以步态相位为自变量的参数化期望曲线作为系统输入：以消除控制系统对时间的依赖，并且控制所述主动式悬浮背包的电机根据所述系统输入输出相应...

本申请提供了一种基于区熔提纯的熔区长度判定方法、装置、设备及介质，本申请的方法可以包括：对盛有多晶材料的透明的石英坩埚进行加热；每隔预设时长，检测加热后的所述多晶材料是否存在熔化现象；如果所述多晶材料存在熔化现象且熔化程度大于预设程度，...

本申请公开一种激光器的制备方法及激光器，涉及半导体技术领域，能够降低激光器出光阈值。激光器的制备方法包括：在基底上设置第一限制层、第一波导层、有源量子阱层和第二波导层，以得到激光器外延片；在激光器外延片背离基底的一侧表面设置保护层；对设...

本申请涉及一种锑基钙钛矿单晶及其制备方法、半导体材料、X射线探测器，所述锑基钙钛矿单晶的化学式为(C<subgt;10</subgt;H<subgt;26</subgt;N<subgt;2</subg...

本申请涉及一种图案化钒掺杂二硫化钼纳米片阵列及其制备方法、器件，所述方法包括：得到第一衬底，所述第一衬底的表面具有图案化金属钒膜；对所述第一衬底进行氧等离子体处理，以使所述金属钒膜转变为钒氧化物膜，并使得所述第一衬底的浸润性增强，得到第...

本发明提供了一种减小钙钛矿单晶表面漏电流的方法、钙钛矿单晶、探测器，属于钙钛矿表面处理领域。所述方法包括：在打磨抛光液中添加钝化剂，得到混合液；使用所述混合液对钙钛矿单晶打磨；使用抛光垫、所述混合液以及抛光颗粒对打磨后的所述钙钛矿单晶进...

本申请涉及一种钙钛矿单晶及其制备方法、制备装置、X射线探测器，所述钙钛矿单晶的化学式为FA<subgt;1‑a</subgt;Rb<subgt;a</subgt;PbBr<subgt;3</subgt...

本发明提供了一种柔性钙钛矿闪烁体厚膜的制备方法、闪烁体厚膜及装置，属于基本电器元件领域。所述方法包括：S1、在第一设定真空度下将全无机卤素钙钛矿加热至第一设定温度，并将柔性基底加热至第二设定温度，以使一部分所述全无机卤素钙钛矿生长在所述...

本申请涉及一种钙钛矿单晶及其制备方法、装置，所述钙钛矿单晶的分子式为APbX<subgt;3</subgt;，A为阳离子基团，X为卤素阴离子，所述方法包括：基于所述APbX<subgt;3</subgt;的化学配...

本发明提供了一种钙钛矿X射线面阵探测器的制备方法、X射线面阵探测器。所述方法包括：得到含有功能层的基底；将所述含有功能层的基底固定至热蒸发设备的蒸发腔内的样品台，FABr置于所述蒸发腔内的第一蒸发舟，PbBr<subgt;2<...

本申请涉及一种溶液法晶体生长的方法及其装置、晶体，所述方法包括：将置于补料区的第一前驱体溶液流入缓冲区进行缓冲，以使所述第一前驱体溶液的温度得到缓冲；将置于生长区的第二前驱体溶液进行晶体生长，且同时所述缓冲区中的第一前驱体溶液不断流入所...

本申请涉及一种铋基钙钛矿单晶及其制备方法、半导体材料、X射线探测器，所述铋基钙钛矿单晶的化学式为(C<subgt;10</subgt;H<subgt;26</subgt;N<subgt;2</subg...

本发明提供了抑制探测器1/f噪声的方法、钙钛矿单晶、探测器，属于钙钛矿表面处理领域。所述方法包括：将氟代有机物溶解于溶剂中，得到含氟有机钝化剂；其中，所述含氟有机钝化剂中所述氟代有机物的质量浓度为0.5mg/mL～2mg/mL；将所述含...

本申请涉及一种水稳定钙钛矿发光材料，所述水稳定钙钛矿发光材料包括CsPbBr<subgt;3</subgt;量子点，以及包覆所述CsPbBr<subgt;3</subgt;量子点的PbSO<subgt;4&...

本发明提供了一种Sb基快中子闪烁体材料的制备方法、闪烁体及中子探测器，属于辐射探测领域。所述方法包括：将有机膦盐与锑盐溶解于良溶剂中，后进行搅拌及过滤，得到前驱体溶液；将籽晶加入至所述前驱体溶液中，并进行加热，用以溶解所述籽晶表面的杂晶...

本申请涉及一种金属卤化物单晶及其制备方法、半导体材料、X射线探测器，所述金属卤化物单晶的化学式为(C<subgt;10</subgt;H<subgt;26</subgt;N<subgt;2</subg...

本申请涉及一种金属卤化物单晶及其制备方法、半导体材料、快中子直接探测器，所述金属卤化物单晶的化学式为(C<subgt;10</subgt;H<subgt;26</subgt;N<subgt;2</su...

本发明提供了一种Mn基快中子闪烁体材料的制备方法、闪烁体及中子探测器，属于辐射探测领域。所述方法包括：将C<subgt;19</subgt;H<subgt;18</subgt;PCl与MnCl<subgt;...