本发明涉及半导体长晶技术领域，提供一种碳化硅单晶的生长方法。该方法包括：将第一碳化硅原料放入碳化硅单晶生长容器内，其中，在碳化硅单晶生长容器中的碳化硅原料的上表面为水平面；将第二碳化硅原料放入预设形状的容器内，进行焙烧成型后，设置在第一...

本发明涉及单晶片制造技术领域，具体公开一种p型碳化硅单晶柔性膜及其制备方法和应用。本发明提供的p型碳化硅单晶柔性薄膜的制备方法，先在n型碳化硅衬底表面同质外延生长一层p型碳化硅层，然后浸没于腐蚀液中，并在p型膜表面照射超禁带光，富集在耗...

一种改善N型SiC衬底电阻率均匀性的热场结构，涉及N型SiC晶体PVT法生长技术领域，其能够实现长晶过程中晶体各处温度更加均匀，并有效提高晶体内电阻率的均匀性。所述改善N型SiC衬底电阻率均匀性的热场结构中，坩埚内放置有生长晶体；坩埚的...

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种衬底表面金属杂质的萃取方法。本发明提供的衬底表面金属杂质的萃取方法，通过采用向衬底表面滴加萃取液并使萃取液扫掠衬底的整个待测面的方式，实现对衬底表面痕量级别金属杂质的萃取。该方法无需使用HF‑V...

本申请提供了一种晶体正交角度偏差调整方法，包括以下步骤：固定寻峰检测工装；固定晶体；旋转晶体并进行寻峰测量，以得到特定方向所对应的位置；在晶体上标记平行线段，并在平行线段一端标记箭头；调节晶体位置，使晶体柱面朝上，令箭头指向定向仪射线方...

本发明公开一种碳化硅衬底的清洗方法。本发明首先采用双氧水超声浸泡的方法去除陶瓷盘及碳化硅衬底表面残留的抛光液、强吸附性物质和大颗粒，然后采用异丙醇浸泡陶瓷盘及碳化硅衬底，溶解表面和边缘的蜡质，去除表面蜡质的同时减小碳化硅衬底与陶瓷盘间的...

本申请提供一种低包裹物密度SiC晶体的生长装置及生长方法，属于晶体生长技术领域。该生长装置，包括：籽晶固定件、籽晶、石墨坩埚、感应线圈、保温组件和耐腐蚀过滤组件；SiC粉料置于石墨坩埚底部；耐腐蚀过滤组件置于石墨坩埚内，并置于SiC粉料...

本发明涉及半导体制造技术领域，具体公开一种用于碳化硅衬底漏液检测前的预清洗方法。本发明将预清洗方法提前至碳化硅衬底工序后，首先采用纯水超声清洗去除碳化硅衬底表面附着的大颗粒研磨液，然后于氢氟酸/硫酸混合酸溶液中进行多频段超声清洗，有效去...

本发明涉及无机非金属材料领域，具体公开了一种高品质碳化硅粉料及其制备方法和应用。本发明以碳粉、硅粉为主要原料，以特定粒径的碳化硅粉作为添加剂，高温烧结制备了一种松装密度高、结晶质量好、收率高的高品质碳化硅粉料。利用该碳化硅粉料制备的碳化...

本发明涉及碳化硅加工技术领域，具体公开一种去除碳化硅衬底表面金属离子的动态清洗方法。本发明提供的去除碳化硅衬底表面金属离子的动态清洗方法，创造性地构建了金属离子含量与清洗液中有效组分比例的计算公式，通过该计算公式可以动态监测清洗液的清洗...

一种改善碳化硅衬底平整度局部异常的方法，涉及碳化硅技术领域，尤其涉及平整度出现局部异常的碳化硅衬底，其能够避免多次返工带来的加工成本损耗，同时提高成品合格率，改善碳化硅衬底质量，为外延材料的质量

一种快速调整碳化硅切割角度的方法，涉及碳化硅技术领域，其能够快速调整碳化硅切割角度的方法是通过晶体定向后得到的上垂线方向，对切割装载后晶体X和Y轴进行有意向的精确调整，从而达到客户需要的角度要求；并且，无论晶体角度多大，均可按照此方法对...

一种去除清洗用卡塞产生边缘脏污的方法，涉及碳化硅晶圆加工清洗技术领域，对碳化硅清洗用卡塞进行清洗处理，以保证使用中的卡塞洁净，有效减少因卡塞脏污造成的边缘颗粒、金属离子残留的脏污问题，同时有效延长了卡塞的使用周期，降低了成本。所述去除清...

一种低碳包裹物密度的碳化硅单晶的生长方法，涉及碳化硅单晶制备技术领域。所述低碳包裹物密度的碳化硅单晶的生长方法中，首先，将钽、铌金属网在含碳气氛下进行碳化，以形成碳化钽或碳化铌网；其次，将碳化钽或碳化铌网置于物理气相传输方法的原料与籽晶...

一种应用于碳化硅单晶衬底的加工方法，涉及半导体加工技术领域，其能够有效提高碳化硅衬底的加工质量，以使加工表面更均匀平滑，并有效提高单个晶锭的出片率，同时保证工艺的优化与匹配，进而有效提高生产效率，最终提升产能。所述应用于碳化硅单晶衬底的...

一种碳化硅晶圆表面颗粒动态清洗方法，涉及碳化硅清洗技术领域，其能够动态管控清洗工艺，根据实时数据进行计算并及时优化在线工艺。所述碳化硅晶圆表面颗粒动态清洗方法中，包括RCA清洗；其中，通过对SC1的配比及颗粒数量进行匹配及模拟，得到一个...

一种提升时效的碳化硅晶圆清洗检测方法，涉及碳化硅晶圆加工清洗检测技术领域，其能够将晶圆等级及时分类，减少药液耗量、以及人工和动力，有效节约成本。所述提升时效的碳化硅晶圆清洗检测方法，包括以下步骤：表层去污清洗：先去除晶圆表面多种有机物和...

一种改善碳化硅衬底局部轮廓质量的方法，涉及碳化硅加工技术领域，用于解决现有技术中需重复整个圆周倒角而导致的倒角过量，以及效率低、合格率低的技术问题。所述改善碳化硅衬底局部轮廓质量的方法，包括以下步骤：采用光学显微镜对倒角边缘进行尺寸和位...

一种单体定向切割碳化硅的方法，涉及碳化硅切割技术领域，其是对切割的每一个晶体分别定向后再切割，从而使切割的晶圆角度可控，切割加工后满足客户要求，而且能够切割一锯同时满足多个客户不同角度要求。所述单体定向切割碳化硅的方法，包括如下步骤：晶...

一种高纯碳化硅晶体包裹的检测方法及装置，涉及高纯半绝缘碳化硅晶体包裹物测量技术领域，其相对于现有的切割抛光后累计检测方法，消除了损毁部分厚度段的包裹物数量且弥补了破坏性检验带来的效率低及不良影响因素。所述高纯碳化硅晶体包裹的检测方法及装...