本发明提供了一种用于确定碳化硅晶圆双面研磨去除速率的方法，属于晶圆加工技术领域，在晶圆的碳面和硅面上分别加工标记，标记为多个沟槽，多个沟槽的槽深呈梯度变化；在标记加工完成后，分别对晶圆的碳面和硅面进行拍照；并对晶圆进行双面研磨；双面研磨...

本发明提供了一种改善激光剥离表面粗糙度的方法，属于激光切割技术领域，所述改善激光剥离表面粗糙度的方法包括：S10：测量待加工晶圆表面的偏角θ，并确定待加工晶圆表面的法线；S20：取一晶圆样品，该晶圆样品的材质与待加工晶圆的材质相同，用激...

本发明提供了一种使用偏向籽晶生长制作碳化硅衬底的方法，属于碳化硅晶体生长技术领域，所述使用偏向籽晶生长制作碳化硅衬底的方法包括如下步骤：S10：使用偏角大于4°的籽晶作为拼接籽晶，在所述拼接籽晶的外缘取两个切割点，以两个所述切割点的连线...

本发明提供了一种碳化硅单晶用生长装置及生长方法，属于碳化硅晶体生长技术领域，所述碳化硅单晶用生长装置包括坩埚、籽晶固定组件、原料区、石墨筒以及保温结构，所述坩埚具有位于中心的第一腔体、位于所述第一腔体外周的第二腔体，所述坩埚的顶部和底部...

本发明涉及碳化硅技术领域，具体公开一种碳化硅衬底的自动化加工方法。本发明通过控制各工序的去除量，精准控制各工序碳化硅的厚度，提高了前后工序的匹配度，降低了厚度偏差，提高了衬底的平整度和均匀性，实现了衬底加工的自动化精准控制；且通过建立激...

本发明涉及单晶柔性膜制造技术领域，具体公开一种具有p/n结结构的碳化硅单晶柔性膜及其制备方法和应用。本发明提供的具有p/n结结构的碳化硅单晶柔性膜的制备方法，依次在n型碳化硅衬底表面同质外延生长n<supgt;‑</supg...

本技术提供了一种可移动式无线碳化硅生长设备压力计校准装置，包括密封桶，具有密封腔，密封桶用于设置在真空设备内；密封桶上设有供绳索挂接的吊环；压力校准机构，设置在密封腔内，用于测量真空设备内的压力。本技术提供的可移动式无线碳化硅生长设备压...

本发明涉及碳化硅技术领域，具体公开一种碳化硅衬底平整度测试盘高点的去除方法。本发明提供创造性地提出了采用简单旋转碳化硅衬底进行两次测量的方法判断测试盘是否存在脏污，且首次提出了利用平整度分布图以及公式精准判断测试脏污区域位置和去除脏污的...

本发明提供了一种晶圆研磨抛光设备及研磨抛光方法，属于半导体加工技术领域，包括工作台、第一研磨装置、第二研磨装置以及载具盘；第一研磨装置和第二研磨装置之间具有研磨空间；载具盘设置在研磨空间内；载具盘的顶部和底部分别具有同轴设置的安装孔，每...

本发明提供了一种晶圆边缘倒角的工装及加工方法，属于半导体加工技术领域，包括游星轮装载板，所述游星轮装载板上具有安装通孔，所述游星轮装载板的厚度小于晶圆的厚度；所述安装通孔的内周壁具有内凹曲面，所述内凹曲面用于与晶圆边缘接触，以在双面磨削...

本发明提供了一种视觉校正多线切割工作台角度的方法，属于多线切割设备校正的技术领域，本发明提供的一种视觉校正多线切割工作台角度的方法包括以下步骤：A、在其中一个连接件底部安装摄像装置，并将摄像装置与外部显示装置进行连接，以在显示装置上显示...

本发明涉及半导体长晶技术领域，提供一种碳化硅单晶的生长方法。该方法包括：将第一碳化硅原料放入碳化硅单晶生长容器内，其中，在碳化硅单晶生长容器中的碳化硅原料的上表面为水平面；将第二碳化硅原料放入预设形状的容器内，进行焙烧成型后，设置在第一...

本发明涉及单晶片制造技术领域，具体公开一种p型碳化硅单晶柔性膜及其制备方法和应用。本发明提供的p型碳化硅单晶柔性薄膜的制备方法，先在n型碳化硅衬底表面同质外延生长一层p型碳化硅层，然后浸没于腐蚀液中，并在p型膜表面照射超禁带光，富集在耗...

一种改善N型SiC衬底电阻率均匀性的热场结构，涉及N型SiC晶体PVT法生长技术领域，其能够实现长晶过程中晶体各处温度更加均匀，并有效提高晶体内电阻率的均匀性。所述改善N型SiC衬底电阻率均匀性的热场结构中，坩埚内放置有生长晶体；坩埚的...

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种衬底表面金属杂质的萃取方法。本发明提供的衬底表面金属杂质的萃取方法，通过采用向衬底表面滴加萃取液并使萃取液扫掠衬底的整个待测面的方式，实现对衬底表面痕量级别金属杂质的萃取。该方法无需使用HF‑V...

本申请提供了一种晶体正交角度偏差调整方法，包括以下步骤：固定寻峰检测工装；固定晶体；旋转晶体并进行寻峰测量，以得到特定方向所对应的位置；在晶体上标记平行线段，并在平行线段一端标记箭头；调节晶体位置，使晶体柱面朝上，令箭头指向定向仪射线方...

本发明公开一种碳化硅衬底的清洗方法。本发明首先采用双氧水超声浸泡的方法去除陶瓷盘及碳化硅衬底表面残留的抛光液、强吸附性物质和大颗粒，然后采用异丙醇浸泡陶瓷盘及碳化硅衬底，溶解表面和边缘的蜡质，去除表面蜡质的同时减小碳化硅衬底与陶瓷盘间的...

本申请提供一种低包裹物密度SiC晶体的生长装置及生长方法，属于晶体生长技术领域。该生长装置，包括：籽晶固定件、籽晶、石墨坩埚、感应线圈、保温组件和耐腐蚀过滤组件；SiC粉料置于石墨坩埚底部；耐腐蚀过滤组件置于石墨坩埚内，并置于SiC粉料...

本发明涉及半导体制造技术领域，具体公开一种用于碳化硅衬底漏液检测前的预清洗方法。本发明将预清洗方法提前至碳化硅衬底工序后，首先采用纯水超声清洗去除碳化硅衬底表面附着的大颗粒研磨液，然后于氢氟酸/硫酸混合酸溶液中进行多频段超声清洗，有效去...

本发明涉及无机非金属材料领域，具体公开了一种高品质碳化硅粉料及其制备方法和应用。本发明以碳粉、硅粉为主要原料，以特定粒径的碳化硅粉作为添加剂，高温烧结制备了一种松装密度高、结晶质量好、收率高的高品质碳化硅粉料。利用该碳化硅粉料制备的碳化...