一种低碳包裹物密度的碳化硅单晶的生长方法，涉及碳化硅单晶制备技术领域。所述低碳包裹物密度的碳化硅单晶的生长方法中，首先，将钽、铌金属网在含碳气氛下进行碳化，以形成碳化钽或碳化铌网；其次，将碳化钽或碳化铌网置于物理气相传输方法的原料与籽晶...

一种应用于碳化硅单晶衬底的加工方法，涉及半导体加工技术领域，其能够有效提高碳化硅衬底的加工质量，以使加工表面更均匀平滑，并有效提高单个晶锭的出片率，同时保证工艺的优化与匹配，进而有效提高生产效率，最终提升产能。所述应用于碳化硅单晶衬底的...

一种碳化硅晶圆表面颗粒动态清洗方法，涉及碳化硅清洗技术领域，其能够动态管控清洗工艺，根据实时数据进行计算并及时优化在线工艺。所述碳化硅晶圆表面颗粒动态清洗方法中，包括RCA清洗；其中，通过对SC1的配比及颗粒数量进行匹配及模拟，得到一个...

一种提升时效的碳化硅晶圆清洗检测方法，涉及碳化硅晶圆加工清洗检测技术领域，其能够将晶圆等级及时分类，减少药液耗量、以及人工和动力，有效节约成本。所述提升时效的碳化硅晶圆清洗检测方法，包括以下步骤：表层去污清洗：先去除晶圆表面多种有机物和...

一种改善碳化硅衬底局部轮廓质量的方法，涉及碳化硅加工技术领域，用于解决现有技术中需重复整个圆周倒角而导致的倒角过量，以及效率低、合格率低的技术问题。所述改善碳化硅衬底局部轮廓质量的方法，包括以下步骤：采用光学显微镜对倒角边缘进行尺寸和位...

一种单体定向切割碳化硅的方法，涉及碳化硅切割技术领域，其是对切割的每一个晶体分别定向后再切割，从而使切割的晶圆角度可控，切割加工后满足客户要求，而且能够切割一锯同时满足多个客户不同角度要求。所述单体定向切割碳化硅的方法，包括如下步骤：晶...

一种高纯碳化硅晶体包裹的检测方法及装置，涉及高纯半绝缘碳化硅晶体包裹物测量技术领域，其相对于现有的切割抛光后累计检测方法，消除了损毁部分厚度段的包裹物数量且弥补了破坏性检验带来的效率低及不良影响因素。所述高纯碳化硅晶体包裹的检测方法及装...