本发明公开了一种含半绝缘区介质超结的MOS型功率半导体结构，本发明涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极，漏极的上端设置有导电衬底层，导电衬底层的上端设置有导电外延层，导电外延层的上端设置有N－漂移区，N－漂移区的下端设置有屏蔽缓冲区，屏...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种降低脉冲电荷影响的MOS半导体器件，包括由若干个MOS元胞构成的PMOSFET结构，所述PMOSFET结构包括漏极、源极以及每个MOS元胞表面嵌设的栅极；单个所述MOS元胞包括有衬底层、扩散层...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种双栅极VDMOS器件，包括由若干个VDMOS元胞构成的VDMOS器件，其中两两VDMOS元胞之间的正面与正面、反面与反面相互排列；单个所述VDMOS元胞包括源极、漏极、栅极以及半导体外延层，其...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种超结结构，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个所述MOS元胞包括有漏极、上金属源极、栅极以及半导体外延层，所述栅极的表面设有栅氧化层；所述半导体外延层的内部通过离子注入形成有P阱层、N阱...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种不同维度的半导体互连结构，包括多个相互并列互连的MOS元胞结构，所述MOS元胞得底端表面欧姆连接有漏极，相邻所述MOS元胞之间共设有连结源极，所述MOS元胞的顶端表面欧姆连接有金属源极；所述连...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种变掺杂U槽结构的VDMOSFET器件，包括若干个相互并列的MOS元胞，所述MOS元胞包括有衬底层、扩散层、P体区以及N体区，其中单个所述MOS元胞的中间处蚀刻成型有沟槽，且沟槽的内部嵌设有栅极...

本发明公开了一种防护型耐高温半导体芯片，本发明涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极，漏极的上端设置有N+衬底，N+衬底的上端设置有N‑外延层，N‑外延层的上端设置有N－漂移区，N－漂移区的下端设置有屏蔽缓冲区，屏蔽缓冲区的内部设置有屏蔽...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种垂直型源极的碳化硅SiC VDMOSFET器件，包括若干个呈并列排列设计的MOS元胞结构，所述MOS元胞结构包括漏极、半导体基层、源极和栅极，所述半导体基层的中间表面区域开设有沟槽，且源极呈向...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种新型耐压的VDMOSFET结构，所述的VdMosfet结构包括漏极、半导体基础层、源极、栅极以及抑源层，所述半导体基础层包括衬底层、扩散层、P体区以及N体区；所述P体区包括轻掺杂P体区和重掺杂...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种沟槽型SiC VDMOSFET结构，包括多个呈并联排列的MOS元胞结构，所述MOS元胞结构包括漏极、碳化硅外延层、源极和栅极，其中碳化硅外延层包括衬底层、扩散层、P型半导体区以及N型半导体区；...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种具有较低米勒电容的SiC VDMOSFET器件，包括包括多个水平排列并前后延伸的并联的MOS元胞结构，所述MOS元胞结构包括漏极、栅极、源极以及半导体基层，其中半导体基层包括衬底层、碳化硅外延...

本发明涉及SiC MOSFET技术领域，且公开了一种新型U槽SiC MOSFET结构，包括栅极、源极和漏极，所述漏极的上表面平铺有N+衬底，所述N+衬底的上表面淀积有N‑漂移区，N‑漂移区的上方离子注入形成P‑体区，P‑体区的下表面中部...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种减少寄生电容的SiC VDMOSFET结构，包括包括多个水平排列并前后延伸的并联的MOS元胞结构，所述MOS元胞结构包括漏极、源极、栅极以及半导体基层，其中半导体基层包括衬底层、碳化硅外延层、...

本发明涉及沟槽型SiC VDMOSFET器件技术领域，且公开了一种改善沟槽型SiC VDMOSFET器件漏源击穿电压结构，包括源极和金属栅极，N+衬底基片的上表面有缓冲层，缓冲层的上表面生长一层碳化硅N‑漂移区，碳化硅N‑漂移区的内部通...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种抑制栅源电压过冲的埋沟U槽SiC VDMOSFET结构，包括MOS元胞，多个水平排列并前后延伸的并联的MOS元胞组成SiC VDMOSFET结构，所述MOS元胞包括半导体基层和漏极，其半导体基...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种低阈值电压SiC圆形栅VDMOSFET功率器件，包括水平排列并前后延伸的并联MOS元胞结构，所述MOS元胞包括半导体基层、栅极、P体区、N体区以及源极，所述栅极嵌设在半导体基层的上方，并且栅极...

本发明涉及VDMOSFET半导体技术领域，且公开了一种高UIS耐性的VDMOSFET器件，包括Mos半导体结构，该Mos半导体结构，该Mos半导体结构由多个水平排列并前后延伸的并联的MOS元胞组成，并且所有MOS元胞的栅极、漏极最终分别...

本发明涉及VDMOSFET结构技术领域，且公开了一种SiC小体积型的V槽VDMOSFET结构，包括漏极，设置于漏极表面的N+衬底，设置于N+衬底表面的N‑漂移区以及铺设于N‑漂移区上表面的P型体区一号，所述N+衬底具体为硅片，所述N‑漂...

本发明涉及半导体器件技术领域，且公开了一种SiC VDMOSFET功率器件，包括漏极，所述漏极的上表面铺设一层N+衬底，所述N+衬底的上方具有N‑漂移区，所述N‑漂移区的内部嵌设多个P+型区，在两个所述P+型区之间有P型半导体，所述P型...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种高抗性SiC VDMOSFET器件，包括多个水平排列并前后延伸的并联的MOS元胞结构，所述MOS元胞结构包括漏极、半导体基层、源极以及栅极，其中半导体基层包括衬底层和扩散层，所述衬底层制备中的...