本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种具备高温可靠性的SiCVDMOSFET结构，包括漏极、半导体外延层、源极、栅极以及覆盖在栅极表面的栅氧化层，所述半导体外延层的内部设有N衬底层、N漂移层、P阱层一、重掺杂P层以及N阱层，所述N...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种低开关损耗的VDMOSFET，包括金属漏极、金属源极、半导体外延层、栅极，以及覆盖在栅极表面的栅氧化层，所述半导体外延层的内部包括有沉底层、漂移层、P阱层、高掺杂P层以及N阱层；所述漂移层的内...

本发明公开了一种超结结构及其制造方法，包括若干个相互并联的MOS元胞，单个MOS元胞包括漏极、上金属源极、栅极、半导体外延层、衬底层；半导体外延层通过离子注入形成P阱层、N阱层；P阱层包括轻掺杂P阱层一和重掺杂P阱层一，相邻MOS元胞之...

本发明公开了一种低阻超结结构及其制造方法，包括若干个相互并联的MOS元胞，单个MOS元胞包括漏极、上金属源极、栅极、半导体外延层、衬底层，半导体外延层位于衬底层表面，又称扩散层，通过离子注入形成有P阱层、N阱层；P阱层包括轻掺杂P阱层一...

本发明公开了一种双槽超结结构及其制造方法，包括若干个相互并联的MOS元胞，单个MOS元胞包括漏极、上金属源极、栅极、半导体外延层、衬底层、P阱层、N阱层；相邻MOS元胞之间，在重掺杂P阱层一的中间，蚀刻形成有沟槽，沟槽的底部沉积有氧化层...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种提高双沟槽MOSFET元胞密度的工艺，包括：在半导体外延层内部注入不同浓度的磷元素形成N衬底层和漂移层；在漂移层的上层继续离子注入硼元素形成P体区；在P体区的中心处离子注入形成N阱层，并在上层...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种抑制漏源电压过冲的SiCVDMOSFET结构，包括金属漏极、半导体外延层、金属源极、栅极，以及覆盖在栅极表面的栅氧化层，所述半导体外延层包括有N衬底层、扩散层、P阱层、掺杂P层以及N阱层；所述...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种浅沟道超结MOS半导体器件及其制备工艺，包括漏极、源极、半导体外延层、栅极，以及覆盖在栅极表面的栅氧化层，所述半导体外延层包括N衬底层和漂移层；所述漂移层的内部通过离子注入形成有P阱层、P‑层...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种具有N‑top区的碳化硅半导体器件，包括漏极、半导体外延层、源极、栅极，以及覆盖在栅极表面处的栅氧化层，所述半导体外延层包括有N衬底层和N漂移层，所述N漂移层的内部通过离子注入形成有P+阱层、...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种引入隔离环的器件终端结构，包括漏极、半导体外延层、源极、栅极和场氧化层，其中半导体外延层包括N衬底层和N漂移层，所述N漂移层通过离子注入形成有源区、主结以及多区结终端拓展结构，所述主结的内部通...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种具备抗辐射的SiC MOSFET结构，包括漏极、半导体外延层、源极、栅极以及位于栅极表面的栅氧化层，所述半导体外延层内还包括有N衬底层、N扩散层，单个所述MOS元胞的N扩散层内部通过离子注入形...

本发明公开了一种消除栅源横向交替结构的低阻超结结构及其制造方法，包括若干个相互并联的MOS元胞，单个MOS元胞包括漏极、上金属源极、栅极、半导体外延层、衬底层，P阱层、N阱层；相邻MOS元胞之间，蚀刻形成有沟槽，所述沟槽的底部沉积有氧化...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种具有横向变掺杂的终端结构，包括金属漏极、半导体外延层以及源极金属，其中半导体外延层包括衬底层和扩散层，所述扩散层包括有源区、主结以及多区结终端拓展结构，所述源极金属包括有左右两段，左段所述源极...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种结终端拓展结构，包括金属漏极、源区源极金属、栅极金属、终端源极金属以及半导体外延层；所述源区源极金属以及栅极金属与半导体外延层之间均设有多晶硅，其中多晶硅与栅极金属欧姆接触，所述多晶硅表面覆盖...

本发明涉及肖特基二极管技术领域，且公开了种高压碳化硅二极管抗辐射加固结构，包括阴极接触金属、阳极接触金属以及半导体外延层；所述半导体外延层且位于两个高掺杂P阱区之间设有深沟槽结构，所述深沟槽结构包括有位于外层的P型掺杂区和位于内层的填充...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种用于SiC VDMOSFET的高效热隔离结构，包括若干个相互并列的MOS元胞，所述MOS元胞包括衬底层、扩散层、P阱层以及N阱层；其中，若干个所述MOS元胞的底层欧姆连接有漏极，若干个所述MO...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种高压碳化硅功率器件终端结构，包括由金属漏极、半导体外延层、源区金属源极、栅极金属以及结区金属源极构成，所述半导体外延层由衬底层、扩散层、有源区、主结以及多区结终端拓展结构组成，其中有源区包括有...

本发明公开了一种抗高温性能强的碳化硅半导体器件，本发明涉及碳化硅半导体器件技术领域，包括漏极，漏极的上方设置有N+衬底，N+衬底的上方设置有N－漂移区，N－漂移区上设置有两个P阱区，两个P阱区内部均设置有N+有源区和波形缓冲区，两个P阱...

本发明公开了一种具有高功率和高温可靠性的SiC VDMOSFET结构，本发明涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极，漏极的上方设置有N+衬底，N+衬底的上方设置有N－漂移区，SiO2钝化层位于栅氧层和栅极的上方，P阱区上设置有三组沟槽缓冲...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种高压碳化硅功率MOSFET终端结构，包括位于中间的MOS元胞结构和位于端部的终端结构，所述MOS元胞结构、终端结构均由漏极、金属源极和半导体外延层构成，其中，所述半导体外延层包括衬底层、扩散层...