本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种用于SiC VDMOSFET的高效热隔离结构，包括若干个相互并列的MOS元胞，所述MOS元胞包括衬底层、扩散层、P阱层以及N阱层；其中，若干个所述MOS元胞的底层欧姆连接有漏极，若干个所述MO...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种高压碳化硅功率器件终端结构，包括由金属漏极、半导体外延层、源区金属源极、栅极金属以及结区金属源极构成，所述半导体外延层由衬底层、扩散层、有源区、主结以及多区结终端拓展结构组成，其中有源区包括有...

本发明公开了一种抗高温性能强的碳化硅半导体器件，本发明涉及碳化硅半导体器件技术领域，包括漏极，漏极的上方设置有N+衬底，N+衬底的上方设置有N－漂移区，N－漂移区上设置有两个P阱区，两个P阱区内部均设置有N+有源区和波形缓冲区，两个P阱...

本发明公开了一种具有高功率和高温可靠性的SiC VDMOSFET结构，本发明涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极，漏极的上方设置有N+衬底，N+衬底的上方设置有N－漂移区，SiO2钝化层位于栅氧层和栅极的上方，P阱区上设置有三组沟槽缓冲...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种高压碳化硅功率MOSFET终端结构，包括位于中间的MOS元胞结构和位于端部的终端结构，所述MOS元胞结构、终端结构均由漏极、金属源极和半导体外延层构成，其中，所述半导体外延层包括衬底层、扩散层...

本发明公开了一种稳态热阻的平板式半导体器件，本发明涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极金属层，漏极金属层的上方设置有衬底层，衬底层的上方设置有N+漂移区，N+漂移区的上方设置有半导体层，半导体层的上方两侧分别设置有导电接触层和导电金属层...

本发明公开了集成P型沟道的高可靠性碳化硅MOSFET器件，本发明涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极，导电衬底层的上端中部设置有导电柱区，导电柱区的上方设置有栅极电极，栅极电极内设置有导电多晶碳化硅层，两个导电外延层的上方均设置有导电缓...

本发明公开了一种立式耐击穿的栅极介电层MOSFET器件，本发明涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极电极，漏极电极的上方设置有导电衬底层，导电衬底层的上端两侧均设置有导电外延层，导电衬底层的上端中部设置有导电柱区，导电柱区的上方设置有栅介...

本发明公开了一种具有接触插塞结构的VDMOSFET器件，本发明涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极，漏极的上方设置有导电衬底层，导电衬底层的上端两侧均设置有导电外延层，导电衬底层的上端中部设置有导电柱区，导电柱区的上方均设置有绝缘层和栅...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种能够减少寄生电荷量的SiC VDMOSFET结构，包括若干个相互并列的MOS元胞结构，所述MOS元胞结构包括衬底层、扩散层、P体区以及N体区；其中，所述MOS元胞结构的底层欧姆连接有漏极；所述...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种改善SiC VDMOSFET开关特性的新型结构，包括若干个相互并列的MOS元胞结构，所述MOS元胞结构包括衬底层、扩散层、P阱层以及N阱层，其中N阱层与扩散层之间有P阱层隔绝，单个所述MOS元...

本发明公开了一种含半绝缘区介质超结的MOS型功率半导体结构，本发明涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极，漏极的上端设置有导电衬底层，导电衬底层的上端设置有导电外延层，导电外延层的上端设置有N－漂移区，N－漂移区的下端设置有屏蔽缓冲区，屏...

本发明公开了集成异质结二极管的平面栅碳化硅MOSFET器件，本发明涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极电极，漏极电极的上端设置有导电衬底层，导电衬底层的上端设置有导电外延层，导电外延层的上端设置有特征沟槽，特征沟槽的下端开有两组磁场缓冲...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种降低脉冲电荷影响的MOS半导体器件，包括由若干个MOS元胞构成的PMOSFET结构，所述PMOSFET结构包括漏极、源极以及每个MOS元胞表面嵌设的栅极；单个所述MOS元胞包括有衬底层、扩散层...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种双栅极VDMOS器件，包括由若干个VDMOS元胞构成的VDMOS器件，其中两两VDMOS元胞之间的正面与正面、反面与反面相互排列；单个所述VDMOS元胞包括源极、漏极、栅极以及半导体外延层，其...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种超结结构，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个所述MOS元胞包括有漏极、上金属源极、栅极以及半导体外延层，所述栅极的表面设有栅氧化层；所述半导体外延层的内部通过离子注入形成有P阱层、N阱...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种不同维度的半导体互连结构，包括多个相互并列互连的MOS元胞结构，所述MOS元胞得底端表面欧姆连接有漏极，相邻所述MOS元胞之间共设有连结源极，所述MOS元胞的顶端表面欧姆连接有金属源极；所述连...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种变掺杂U槽结构的VDMOSFET器件，包括若干个相互并列的MOS元胞，所述MOS元胞包括有衬底层、扩散层、P体区以及N体区，其中单个所述MOS元胞的中间处蚀刻成型有沟槽，且沟槽的内部嵌设有栅极...

本发明公开了一种防护型耐高温半导体芯片，本发明涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极，漏极的上端设置有N+衬底，N+衬底的上端设置有N‑外延层，N‑外延层的上端设置有N－漂移区，N－漂移区的下端设置有屏蔽缓冲区，屏蔽缓冲区的内部设置有屏蔽...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种垂直型源极的碳化硅SiC VDMOSFET器件，包括若干个呈并列排列设计的MOS元胞结构，所述MOS元胞结构包括漏极、半导体基层、源极和栅极，所述半导体基层的中间表面区域开设有沟槽，且源极呈向...