本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种具备抗辐射的SiC MOSFET结构，包括漏极、半导体外延层、源极、栅极以及位于栅极表面的栅氧化层，所述半导体外延层内还包括有N衬底层、N扩散层，单个所述MOS元胞的N扩散层内部通过离子注入形...

本发明公开了一种消除栅源横向交替结构的低阻超结结构及其制造方法，包括若干个相互并联的MOS元胞，单个MOS元胞包括漏极、上金属源极、栅极、半导体外延层、衬底层，P阱层、N阱层；相邻MOS元胞之间，蚀刻形成有沟槽，所述沟槽的底部沉积有氧化...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种具有横向变掺杂的终端结构，包括金属漏极、半导体外延层以及源极金属，其中半导体外延层包括衬底层和扩散层，所述扩散层包括有源区、主结以及多区结终端拓展结构，所述源极金属包括有左右两段，左段所述源极...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种结终端拓展结构，包括金属漏极、源区源极金属、栅极金属、终端源极金属以及半导体外延层；所述源区源极金属以及栅极金属与半导体外延层之间均设有多晶硅，其中多晶硅与栅极金属欧姆接触，所述多晶硅表面覆盖...

本发明涉及肖特基二极管技术领域，且公开了种高压碳化硅二极管抗辐射加固结构，包括阴极接触金属、阳极接触金属以及半导体外延层；所述半导体外延层且位于两个高掺杂P阱区之间设有深沟槽结构，所述深沟槽结构包括有位于外层的P型掺杂区和位于内层的填充...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种用于SiC VDMOSFET的高效热隔离结构，包括若干个相互并列的MOS元胞，所述MOS元胞包括衬底层、扩散层、P阱层以及N阱层；其中，若干个所述MOS元胞的底层欧姆连接有漏极，若干个所述MO...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种高压碳化硅功率器件终端结构，包括由金属漏极、半导体外延层、源区金属源极、栅极金属以及结区金属源极构成，所述半导体外延层由衬底层、扩散层、有源区、主结以及多区结终端拓展结构组成，其中有源区包括有...

本发明公开了一种抗高温性能强的碳化硅半导体器件，本发明涉及碳化硅半导体器件技术领域，包括漏极，漏极的上方设置有N+衬底，N+衬底的上方设置有N－漂移区，N－漂移区上设置有两个P阱区，两个P阱区内部均设置有N+有源区和波形缓冲区，两个P阱...

本发明公开了一种具有高功率和高温可靠性的SiC VDMOSFET结构，本发明涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极，漏极的上方设置有N+衬底，N+衬底的上方设置有N－漂移区，SiO2钝化层位于栅氧层和栅极的上方，P阱区上设置有三组沟槽缓冲...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种高压碳化硅功率MOSFET终端结构，包括位于中间的MOS元胞结构和位于端部的终端结构，所述MOS元胞结构、终端结构均由漏极、金属源极和半导体外延层构成，其中，所述半导体外延层包括衬底层、扩散层...

本发明公开了一种稳态热阻的平板式半导体器件，本发明涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极金属层，漏极金属层的上方设置有衬底层，衬底层的上方设置有N+漂移区，N+漂移区的上方设置有半导体层，半导体层的上方两侧分别设置有导电接触层和导电金属层...

本发明公开了集成P型沟道的高可靠性碳化硅MOSFET器件，本发明涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极，导电衬底层的上端中部设置有导电柱区，导电柱区的上方设置有栅极电极，栅极电极内设置有导电多晶碳化硅层，两个导电外延层的上方均设置有导电缓...

本发明公开了一种立式耐击穿的栅极介电层MOSFET器件，本发明涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极电极，漏极电极的上方设置有导电衬底层，导电衬底层的上端两侧均设置有导电外延层，导电衬底层的上端中部设置有导电柱区，导电柱区的上方设置有栅介...

本发明公开了一种具有接触插塞结构的VDMOSFET器件，本发明涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极，漏极的上方设置有导电衬底层，导电衬底层的上端两侧均设置有导电外延层，导电衬底层的上端中部设置有导电柱区，导电柱区的上方均设置有绝缘层和栅...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种能够减少寄生电荷量的SiC VDMOSFET结构，包括若干个相互并列的MOS元胞结构，所述MOS元胞结构包括衬底层、扩散层、P体区以及N体区；其中，所述MOS元胞结构的底层欧姆连接有漏极；所述...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种改善SiC VDMOSFET开关特性的新型结构，包括若干个相互并列的MOS元胞结构，所述MOS元胞结构包括衬底层、扩散层、P阱层以及N阱层，其中N阱层与扩散层之间有P阱层隔绝，单个所述MOS元...

本发明公开了一种含半绝缘区介质超结的MOS型功率半导体结构，本发明涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极，漏极的上端设置有导电衬底层，导电衬底层的上端设置有导电外延层，导电外延层的上端设置有N－漂移区，N－漂移区的下端设置有屏蔽缓冲区，屏...

本发明公开了集成异质结二极管的平面栅碳化硅MOSFET器件，本发明涉及半导体功率器件技术领域，包括漏极电极，漏极电极的上端设置有导电衬底层，导电衬底层的上端设置有导电外延层，导电外延层的上端设置有特征沟槽，特征沟槽的下端开有两组磁场缓冲...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种降低脉冲电荷影响的MOS半导体器件，包括由若干个MOS元胞构成的PMOSFET结构，所述PMOSFET结构包括漏极、源极以及每个MOS元胞表面嵌设的栅极；单个所述MOS元胞包括有衬底层、扩散层...

本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种双栅极VDMOS器件，包括由若干个VDMOS元胞构成的VDMOS器件，其中两两VDMOS元胞之间的正面与正面、反面与反面相互排列；单个所述VDMOS元胞包括源极、漏极、栅极以及半导体外延层，其...