本发明公开一种高容错率抑制电压过冲的六边屏蔽型SiC VDMOSFET结构，包括六边形MOS元胞并在其中构建有的N+/P+/polySi背靠背二极管、屏蔽结构及阶梯栅氧，避免栅源电极在开关过程中因剧烈振荡而出现的过电压应力，屏蔽结构可以...

本发明公开JFET区源极接触的抑制栅源电压过冲的六边形元胞SiC VDMOSFET结构，其包括多个二维平面内分布的并联的六边形MOS元胞，六边形MOS元胞中具有N+/P+/polySi背靠背二极管，片上集成N‑SiC/P‑SiC/pol...

本发明公开JFET区源极接触的抑制栅源电压过冲的六边形元胞井槽SiC VDMOSFET，其包括六边形MOS元胞，六边形MOS元胞引入井槽或埋沟的井槽，六边形MOS元胞中具有N+/P+/polySi背靠背二极管，片上集成N‑SiC/P‑S...

本发明公开增加JFET区源极接触的具有抑制栅源电压过冲的SiC VDMOSFET结构，其包括多个并联连接的条形的MOS元胞，至少一个所述MOS元胞中具有N+/P+/polySi背靠背二极管，实现利用MOS元胞基本结构自然加入了N+/P+...

本发明公开高容错率抑制电压过冲的六边埋沟井槽屏蔽型SiC VDMOSFET结构，包括引入埋沟井槽的六边形MOS元胞并在其内构建有N+/P+/polySi背靠背二极管、屏蔽结构及阶梯栅氧，避免栅源电极在开关过程中因剧烈振荡而出现的过电压应...

本发明公开JFET区源极接触的抑制栅源电压过冲的埋沟U槽SiC VDMOSFET结构，包括MOS元胞，在MOS元胞中具有N/P+2/polySi背靠背二极管并引入埋沟U槽，实现钳位稳压的作用，同时将元胞的P阱与N阱同时与源区的欧姆接触由...

本发明公开一种具有抑制栅源及漏源电压过冲功能的SiC VDMOSFET结构，包括多个并联的MOS元胞，MOS元胞具有的栅氧层上具有一凸起段，凸起段位于MOS元胞的JFET区上方，MOS元胞还具有为P型半导体区的P+2，使得MOS元胞中形...

本发明公开一种具有抑制栅源电压过冲的六边形元胞井槽SiC VDMOSFET结构，其包括多个二维平面内分布的并联的六边形MOS元胞，所述六边形MOS元胞引入井槽，至少一个所述六边形MOS元胞中具有N+/P+/polySi背靠背二极管，实现...

本发明公开一种具有抑制栅源电压过冲功能的U槽SiC VDMOSFET结构，其包括多个并联连接的条形的MOS元胞，至少一个所述MOS元胞中具有N+/P+/polySi背靠背二极管，所述N+/P+/polySi背靠背二极管包括通过离子注入形...

本发明公开抑制栅源及漏源电压过冲的六边形元胞埋沟井槽SiC VDMOSFET结构，包括六边形MOS元胞，六边形MOS元胞碳化硅外延层，碳化硅外延层顶部具有P阱，P阱顶部具有N阱，N阱顶部具有P+2，P+2、N阱和P阱上开凿有连通的埋沟1...

本发明公开一种抑制栅源电压过冲的埋沟U槽SiC VDMOSFET结构，包括碳化硅外延层，碳化硅外延层顶部具有P阱，P阱顶部具有N阱，N阱顶部具有P+2，P+2、N阱和P阱上开凿有连通的埋沟1、埋沟2及U槽，碳化硅外延层上淀积有连续一体的...

本发明公开一种平面栅U槽SiC VDMOSFET结构，包括多个并联的MOS元胞，所述MOS元胞具有多晶硅栅极，所述多晶硅下侧具有一层栅氧层，所述栅氧层上具有一凸起段，所述突起段位于所述MOS元胞的JFET区上方，使得凸起段降低自身内部的...

本发明公开一种具有抑制栅源电压开关过冲的栅极区PAD集成结构的SiC MOSFET，在栅极MOSFET的栅极复合片内具有栅极区PAD集成结构，栅极区PAD集成结构包括碳化硅外延层，碳化硅外延层通过离子注入形成有多个水平等距分布呈井状的P...

本发明公开一种具有抑制栅源电压过冲功能的埋沟U槽SiC VDMOSFET结构，其包括多个并联连接的条形的MOS元胞，至少一个所述MOS元胞中具有N+/P+/polySi背靠背二极管，所述N+/P+/polySi背靠背二极管包括通过离子注...

本发明公开一种平面栅埋沟井式槽六边形元胞SiC VDMOSFET结构，包括多个并联的六边形MOS元胞，六边形MOS元胞中在N阱和P阱上欧姆接触源区同时贯穿设有埋沟井式槽，六边形MOS元胞具有多晶硅栅极，多晶硅栅极下侧具有一层栅氧层，栅氧...

本发明公开一种抑制电压过冲的埋沟U槽SiC VDMOSFET结构，包括碳化硅外延层，碳化硅外延层顶部具有P阱和N阱基本注入形貌，N阱具有P+2，P阱、N阱及P+2上贯穿形成埋沟式U槽，使得SiC VDMOSFET结构中形成具有栅源之间纵...

本发明公开一种高容错率抑制漏源电压过冲的SiC VDMOSFET结构，包括MOS元胞具有JFET区，JFET区下方的P阱形成窄JFET区的屏蔽结构且在对应的位置采用了阶梯栅氧，屏蔽结构可以利用底部的细径段JFET形成良好的夹断效应，有效...

本发明公开一种具有抑制栅源电压过冲的六边形元胞SiC VDMOSFET结构，其包括多个二维平面内分布的并联的六边形MOS元胞，所述六边形MOS元胞六个边相邻位置均分布有所述六边形MOS元胞，相邻所述六边形MOS元胞至少有一边平行，至少一...

本发明公开提升雪崩能力、导通电阻及短路能力的屏蔽型SiC MOSFET结构，包括多个并联的MOS元胞，所述MOS元胞中具有JFET区，所述JFET区的横截面呈柱型轮廓，所述柱型轮廓至少具有一粗径段和一细径段以形成屏蔽结构，所述粗径段与所...

本发明公开一种具有抑制栅源电压过冲片上集成结构的SiC MOSFET，包括碳化硅外延层，其特征在于，所述碳化硅外延层上具有n个并联连接的MOS元胞和至少一个片上集成结构，所述片上集成结构位于任意相邻两个MOS元胞之间并且与之并联连接，所...