本发明公开一种具有抑制栅源电压过冲的六边形元胞SiC VDMOSFET结构，其包括多个二维平面内分布的并联的六边形MOS元胞，所述六边形MOS元胞六个边相邻位置均分布有所述六边形MOS元胞，相邻所述六边形MOS元胞至少有一边平行，至少一...

本发明公开提升雪崩能力、导通电阻及短路能力的屏蔽型SiC MOSFET结构，包括多个并联的MOS元胞，所述MOS元胞中具有JFET区，所述JFET区的横截面呈柱型轮廓，所述柱型轮廓至少具有一粗径段和一细径段以形成屏蔽结构，所述粗径段与所...

本发明公开一种具有抑制栅源电压过冲片上集成结构的SiC MOSFET，包括碳化硅外延层，其特征在于，所述碳化硅外延层上具有n个并联连接的MOS元胞和至少一个片上集成结构，所述片上集成结构位于任意相邻两个MOS元胞之间并且与之并联连接，所...

本发明公开一种高容错率抑制电压过冲的六边埋沟井槽SiC VDMOSFET结构，包括碳化硅外延层，碳化硅外延层形成有六边形MOS元胞，六边形MOS元胞栅源之间形成N/P+2/polySi背靠背二极管，实现钳位稳压的作用，将元胞的P阱与N阱...

本发明公开一种具有抑制栅源电压过冲的SiC VDMOSFET结构，其包括多个并联连接的条形的MOS元胞，至少一个所述MOS元胞中具有N+/P+/polySi背靠背二极管，所述N+/P+/polySi背靠背二极管包括通过离子注入形成于所述...

本发明公开一种六边屏蔽型井槽SIC MOSFET结构，包括多个并联的六边形MOS元胞，在六边形MOS元胞引入井槽，减小单个重复元胞尺寸增大电流密度，六边形MOS元胞中具有JFET区，JFET区的横截面呈柱型轮廓，柱型轮廓至少具有一粗径段...

本发明公开一种高容错率抑制漏源电压过冲的U槽SiC VDMOSFET结构，包括MOS元胞，MOS元胞引入U槽，缩小单个重复元胞尺寸，提升电流密度，MOS元胞的JFET区下方的P阱形成窄JFET区的屏蔽结构且在对应的位置采用了阶梯栅氧，屏...

本发明公开一种高容错率抑制电压过冲的U槽屏蔽型SiC VDMOSFET结构，包括引入U槽的MOS元胞并在其中构建有N+/P+/polySi背靠背二极管、屏蔽结构及阶梯栅氧，避免栅源电极在开关过程中因剧烈振荡而出现的过电压应力，屏蔽结构可...

本发明公开一种高容错率抑制电压过冲的屏蔽型

本发明公开一种高容错率抑制电压过冲的埋沟

本发明公开一种高容错率抑制漏源电压过冲的埋沟

本发明公开一种平面栅井式槽六边形元胞

本发明公开一种具有抑制栅源电压过冲的六边形元胞埋沟井槽

本发明公开一种功率集成隔离结构

本发明公开抑制栅源及漏源电压过冲的六边形元胞井槽

本发明公开具有抑制开关过程中栅源电压过冲单片集成结构的

本发明公开一种正多边环形叠加正多边形补偿的元胞的

本发明公开一种增加

本发明公开一种抑制开关时栅源电压过冲的复合片上集成结构的

本发明公开一种增加