本发明公开一种平面栅井式槽六边形元胞

本发明公开一种具有抑制栅源电压过冲的六边形元胞埋沟井槽

本发明公开一种功率集成隔离结构

本发明公开抑制栅源及漏源电压过冲的六边形元胞井槽

本发明公开具有抑制开关过程中栅源电压过冲单片集成结构的

本发明公开一种正多边环形叠加正多边形补偿的元胞的

本发明公开一种增加

本发明公开一种抑制开关时栅源电压过冲的复合片上集成结构的

本发明公开一种增加

本发明公开一种防止漏源电压过冲退化器件性能的平面栅

本发明公开一种面包状多晶硅刻蚀方法，包括如下步骤，

本发明公开增加

本发明公开一种哑铃状源极互联的六边形元胞埋沟井式槽碳化硅

本发明公开哑铃状源极互联的六边形元胞埋沟锥式槽碳化硅

本发明公开增加

本发明公开一种埋沟式U槽碳化硅VDMOSFET结构，包括至少两个相邻并联的单个VDMOSFET元胞，其特征在于，所述单个VDMOSFET元胞内形成有双沟道的U槽，所述单个VDMOSFET元胞包括碳化硅外延(D极)、离子刻蚀在所述碳化硅外...

本发明公开一种增加JFET区源极接触的井式槽VDMOSFET结构，包括碳化硅外延层，包括在定义单位范围内形成互相并联的六边形元胞1，JFET区上方顶端具有肖特基结，肖特基结上方多晶硅(G极)断裂，使G极与D极正对面积减小，肖特基结上方淀...

本发明公开一种碳化硅U槽VDMOSFET结构，包括至少两个相邻并联的U槽VDMOSFET元胞，其特征在于，所述U槽VDMOSFET元胞内刻蚀有一U槽，所述U槽VDMOSFET元胞包括碳化硅外延(D极)、离子刻蚀在所述碳化硅外延(D极)表...

本发明公开一种增加JFET区源极接触的埋沟V槽碳化硅VDMOSFET结构，包括JFET区顶端具有肖特基结，肖特基结上方淀积有金属2，多晶硅(G极)外围包覆有绝缘隔离性的氧化层，多晶硅(G极)表面与金属2之间通过氧化层隔离，碳化硅外延层表...

本发明公开一种增加JFET区源极接触的碳化硅V槽VDMOSFET结构,包括JFET区顶端具有肖特基结，所述肖特基结上方淀积有S极金属，所述S极金属淀积下方有栅源多晶硅(G极)，所述多晶硅(G极)外围包覆有绝缘隔离性的氧化层，所述多晶硅(...