本公开提供一种废气处理装置，包括罐体和冷却管，罐体内具有容置空间，罐体上设置有进气口、排气口、进液口和出液口，进气口与排气口通过容置空间连通，冷却管从进液口延伸至容置空间内并从出液口伸出，容置空间内设置有过滤部件，冷却管包括冷凝容置空间...

本公开提供了一种管道破损处理装置，所述装置包括：行走机构，其能够沿管道行走；套管，包括第一半管和第二半管，所述第一半管和所述第二半管扣合构成所述套管，所述套管与所述行走机构连接；两个密封环，用于分别将所述套管的两端与管道之间密封，每一所...

本公开提供了一种静电吸盘清洁装置，用于对静电吸盘表面进行清洁颗粒污染物，包括：进气机构与排气机构；进气机构产生的气流在经过静电吸盘表面后从排气机构排出。本公开的静电吸盘清洁装置，在静电吸盘的周围设置进气机构与排气机构，可以利用气流的冲击...

本申请涉及晶圆清洗技术领域，尤其涉及一种晶圆盒结构、晶圆装载结构及单片式湿法设备，该晶圆盒结构包括盒体和气体填充组件；盒体包括主体和盖体，主体包括中空内腔和开口，中空内腔设有晶圆放置框，以及主体的侧壁上设有与所述中空内腔连通的进气口和排...

本公开提供了一种晶圆研磨抛光设备，包括：研磨室、研磨盘、研磨液添加机构与研磨液清洗机构；研磨盘设置在所述研磨室内，用于研磨晶圆；研磨液添加机构用于给所述研磨盘添加研磨液；研磨液清洗机构设置在所述研磨室的内壁上，用于清洁甩溅到所述研磨室内...

本公开提供了一种对准机构，用于对晶圆进行位置校准，包括：外支撑件、内卡盘与用于检测晶圆偏心率的校准器，所述外支撑件设置为环形柱体，所述内卡盘设置在所述外支撑件内部，所述内卡盘的顶部设置有用于吸附晶圆的第一真空吸盘，在初始状态下，所述外支...

本公开提供一种晶圆测试治具，包括基座、针卡和检测组件，检测组件包括报警电路、移动件、接触件和报警件，移动件设置在紧固件上，能够随紧固件相对基座在第一位置与第二位置之间移动，接触件相对基座固定设置；其中，接触件和报警件皆设置在报警电路上，...

本公开提供了一种半导体光阻喷涂装置，包括：用于对晶圆喷涂光阻剂的喷嘴；用于不断向所述喷嘴提供光阻溶液的缓冲罐，所述缓冲罐与所述喷嘴相连；用于储存光阻剂并向所述缓冲罐添加光阻剂的光阻瓶；以及用于去除向所述缓冲罐添加光阻剂过程中产生的气泡的...

本公开提供了一种离子发射装置及离子注入设备，离子发射装置包括离子源、放电腔和设于离子源和放电腔之间的绝缘套，绝缘套两端分别设有第一连接盘和第二连接盘，还包括绝缘套冷却系统，绝缘套冷却系统包括：冷却液通道，设于第一连接盘和/或第二连接盘内...

本公开提供了一种晶圆清洗箱，包括：晶圆固定机构、晶圆清洗机构、晶圆检测机构与水雾去除机构，晶圆固定机构用于固定晶圆；晶圆清洗机构用于对被固定的晶圆进行清洗；晶圆检测机构用于检测所述晶圆固定机构有无固定晶圆，包括信号检测光纤，所述信号检测...

本公开提供了一种半导体制造设备，包括：循环水系统，循环水系统包括循环供水组件、循环回水组件和回路水箱，回路水箱通过循环供水组件和循环回水组件连接曝光系统；液位传感器，设于回路水箱上，液位传感器包括设于回路水箱的第一位置的第一液位传感器，...

本申请提供一种减少刻蚀缺陷的刻蚀结构，包括：基底；位于基底上的刻蚀终结构，刻蚀终结构包括第一刻蚀终结构及第二刻蚀终结构，第一刻蚀终结构包括第一保留结构及第一刻蚀腔，第二刻蚀终结构包括第二保留结构及第二刻蚀腔；第一刻蚀腔的表面积大于第二刻...

本申请提供了一种阴极水平监测装置，其用于监测阴极部件的水平状态，包括：基准部件、多个传感器和控制装置。基准部件包括多个参考点，阴极部件可相对于基准部件运动。各传感器包括至少一个接收端，多个接收端设置于基准部件，并和多个参考点一一对应设置...

本公开提供了一种光罩识别装置及光罩颗粒检测设备，光罩识别装置，包括：光源，用于提供识别光罩所需的光线；承载台，用于承托待识别的光罩；身份读取传感器，用于读取待识别的光罩上的身份信息，所述身份读取传感器和光源分别位于所述承载台的两侧；移动...

本申请提供一种气管固定工具，通过支撑部件中的成对设置的、位于同一水平面的第一支撑部及第二支撑部，以分别承载气管的相对两端，使得气管的底端与底部件之间具有间距，从而气管固定工具可便捷的承载气管，使气管的相对两端保持水平，以在后续对气管进行...

本公开提供了一种涂胶结构及涂胶设备，所述涂胶结构包括：喷嘴，具有第一磁性连接块，所述第一磁性连接块包括第一磁吸面；涂胶臂，用于带动喷嘴移动，所述涂胶臂上具有第二磁性连接块，所述第二磁性连接块具有与所述第一磁吸面相对的第二磁吸面，所述第二...

本申请公开了一种硼磷硅玻璃介电层制备方法、沉积设备、硼磷硅玻璃介电层、半导体器件及电子设备，采用沉积设备利用化学气相沉积方式在晶圆表面形成硼磷硅玻璃薄膜，并且直接在形成硼磷硅玻璃膜的设备中直接进行高温加热干燥，显著提高介质层性能，在形成...

本申请提供了离子注入工艺中定向器的监测方法、装置及存储介质；所述方法包括：确定一个往返行程内信号发生器发射的光信号的第一光强；确定信号接收器接收的光信号的第二光强和所述信号接收器的位置信息；基于所述一个移动周期内所述信号接收器的位置信息...

本公开提供了一种硅片外吸杂方法，所述方法包括：获得第一硅片，所述第一硅片是通过对初始硅片进行第一预处理操作得到的；在所述第一硅片的背面沉积预设材料，使所述第一硅片的背面产生薄膜；对背面产生薄膜的第一硅片进行第二预处理操作，得到第二硅片，...

本申请提供一种半导体器件及其制备方法，制备方法包括步骤：提供一器件基底，器件基底上设置有金属焊盘；于器件基底上形成绝缘层，并对绝缘层进行图形化以在绝缘层中形成通孔，通孔显露金属焊盘；于绝缘层和金属焊盘上沉积隔离层；去除金属焊盘上的隔离层...