本公开提供了一种半导体工艺腔室的压强控制方法及装置，所述方法包括：确定半导体工艺腔室抽气时，对所述工艺腔室的节流阀的开度进行控制，将所述节流阀的开度由当前开度以步进调整方式调整为目标开度。本公开实施例通过控制节流阀打开的角度及开启速度，...

本公开提供了一种离子束检测装置、半导体工艺设备及检测方法，离子束检测装置包括：束流阻挡件，设有沿第二水平方向延伸且在竖直方向上具有第一宽度的狭缝，第二水平方向与第一水平方向垂直；升降机构，与束流阻挡件连接，驱动束流阻挡件沿竖直方向往复运...

本申请公开了一种晶圆的扫描方法、装置、电子设备及存储介质，所述方法包括：获得缺陷扫描机台的线束的宽度以及待测晶圆中芯片的宽度；根据所述线束的宽度和所述芯片的宽度，确定针对所述待测晶圆的扫描路径；根据所述扫描路径对所述待测晶圆中的芯片进行...

本申请提供一种谐振频率可调的加速桶结构，加速桶结构包括：壳体、电感线圈、加速电极以及四极透镜和电容，其中，壳体、电感线圈和电容相互串联，构成LCR谐振电路，通过在加速电极的上方设置电容调节装置，利用电机和计步器实现对扇形金属板的展开面积...

本公开提供了一种晶圆处理方法及晶圆，涉及半导体技术领域。方法主要包括：对离子注入后的晶圆进行热退火处理；在热退火处理中的晶圆温度达到预设退火温度的情况下，基于预设流量向热退火处理中的晶圆表面通入氧气，以在热退火处理中的晶圆表面形成预设厚...

本申请为一种清洗装置，包括清洗槽、夹持机构、驱动器以及超声波产生器。清洗槽容纳清洗液。夹持机构设置于清洗槽内，并在闭合时包围传送手臂。驱动器机械性连接夹持机构，以驱动夹持机构张开或闭合。超声波产生器设置于夹持机构，并于夹持机构闭合时对清...

本申请公开了一种静电吸盘的处理方法，在该方法中，通过在反应腔室内通入聚合物气体增加静电吸盘侧面的聚合物，使聚合物增加并突显。调整通入反应腔室内吹扫气体的量和/或反应腔室内各个物理参数，使附着于静电吸盘的侧面的聚合物松散化；继续调整通入反...

本申请提供了一种半导体真空设备及其真空控制方法，在半导体真空设备中增加辅助管路，辅助管路中的干泵为滑动密封泵，滑动密封在正常运行时需维持低真空，但真空度要求不高，瞬时的气体波动对机台和干泵没有影响，因此增加连接上述干泵的辅助管路构思巧妙...

本公开提供了一种半导体结构的制造方法，其中，所述方法包括：形成位于衬底上表面的第一外延层；采用第一烘烤工艺按预设时间烘烤，并在烘烤过程中通入氢气；形成位于所述第一外延层上的第二外延层；其中，所述第一外延层和所述第二外延层形成为外延层，并...

本申请公开了一种离子注入能量的检测方法

本申请公开了一种沟槽型

本发明公开了一种氮化镓器件及其制造方法，该氮化镓器件包括：衬底；缓冲层，位于衬底上；沟槽层，位于缓冲层上；势垒层，位于沟槽层上，沟槽层与势垒层之间具有二维电子气；第一介质层，位于势垒层上；第一功率单元

本公开提供了一种屏蔽栅沟槽型

本申请提供了一种双沟道

本申请提供一种金属叠层，包括衬底

本申请提供一种晶圆承载设备及方法，该设备包括：晶圆盒，多片晶圆在竖直方向上分为多层放置于晶圆盒腔体内，晶圆盒前端设取放口，后端设基准壁；扫描传感器，位于取放口的前侧且沿竖直方向运动，包括光发射端和光接收端，光发射端发射从晶圆盒前端指向晶...

本公开提供了一种自动注水装置，涉及半导体技术领域。本公开的一种自动注水装置，包括：冷却循环组件、逻辑门电路和去离子水补给组件；冷却循环组件包括储水箱、第一液位浮球开关和第二液位浮球开关，第一液位浮球开关和第二液位浮球开关固定连接于储水箱...

本公开提供一种反应腔室及晶圆处理装置，包括腔室本体

本申请提供了一种分裂栅沟槽型

本公开提供了一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：形成在衬底上的外延层；形成从所述外延层上表面延伸其内部的沟槽；形成第一介质层及源极导体，其中，所述源极导体位于所述沟槽内，所述第一介质层覆盖所述沟槽内表面及所述外延层上表面，以将所述源...