本申请涉及一种封装散热系统结构及功率半导体

本发明涉及一种半导体器件运行参数的调节方法

本发明涉及一种半导体器件的建模方法

本发明公开了一种功率模块的封装方法

本申请涉及一种功率模块及其制备方法

本发明公开了一种芯片与铜框架的焊接方法

本申请涉及半导体封装技术领域，公开一种栅极电阻驱动结构、其制造方法及功率半导体模块。栅极电阻驱动结构包括绝缘层、第一导体层、第二导体层、第三导体层、功率半导体芯片和贴片电阻；绝缘层具有第一面和第二面；第一导体层键合于第一面；第二导体层键...

本申请涉及一种功率半导体封装结构及其制造方法，功率半导体封装结构包括：基板、芯片、导电保护板及导电连接件。增加导电保护板，芯片的源极与导电保护板焊接相连，导电保护板与导电连接件的第一连接部采用激光焊接工艺熔融连接，无需采用焊料，能实现快...

本申请涉及半导体封装技术领域，公开一种功率半导体封装结构及制造方法。功率半导体封装结构包括散热座、散热板、绝缘板和功率半导体器件，散热座形成有冷却通道，散热板搅拌摩擦焊接于散热座开设冷却通道的一侧，绝缘板设有若干装配孔，绝缘板塑封于散热...

本申请涉及基于电流加热器件的偏置实验方法、装置、设备和介质。所述方法包括：对待测器件加载加热电流；经过预设加热时间后，关断加热电流；对待测器件加载测试电流，并获取当前热敏参数值；根据当前热敏参数值和温度热敏对应关系确定当前器件温度；在当...

本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底之上形成外延层；于外延层内形成阱区，阱区位于外延层的顶部；于外延层之上形成遮挡结构，遮挡结构靠近阱区的一侧具有注入窗口，注入窗口外露出部分阱区；其...

本发明公开了一种插针的插入深度检测装置，所述插针的插入深度检测装置包括光栅发射器，所述光栅发射器用于发射光栅，光栅接收器，所述光栅接收器与所述光栅发射器之间形成检测空间，所述检测空间用于供插针通过，所述光栅接收器用于接收所述光栅发射器发...

本发明提出一种车床驱动控制电路的控制方法及车床驱动控制电路，所述控制方法包括：获取所述第一直线进给轴的第一位置信息；获取所述旋转轴的第二位置信息；获取所述辅助轴的第三位置信息，其中，所述第三位置信息用于确定所述车削刀具的实时位置；根据所...

本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：衬底；外延层，位于衬底之上；阱区，位于外延层内；第一导电区，位于阱区内，且位于阱区的顶部；其中，阱区内具有沟道区，第一导电区与沟道区沿第一方向排布，第一导电区包括浅结区域，浅结区域位...

本发明涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：衬底；外延层，位于衬底之上；阱区，位于外延层内；第一导电区，位于阱区的顶部，其中，第一导电区与阱区的导电类型相同，且第一导电区的离子掺杂浓度大于阱区的离子掺杂浓度；源区，位于第一导电...

本实用新型公开了一种用于维卡软化温度测定的加热功率驱动与控制电路，本实用新型通过设置电源模块、驱动模块、微处理器、加热模块以及温度测量单元；所述电源模块与所述驱动模块连接，所述驱动模块与所述微处理器以及所述加热模块连接，所述温度测量单元...

本申请涉及一种驱动电路及功率信号生成装置，包括：电压调节器，用于生成预设电压幅值的目标电压信号；电压传感器，与所述电压调节器的输出端连接，用于根据所述目标电压信号生成反馈电压信号；电流调节器，用于生成预设电流幅值及与所述目标电压信号具有...

本申请涉及一种感应加热器控制电路和感应加热器，其中，感应加热器控制电路包括：整流滤波模块将交流电压转换为直流电压，微控制器连接整流滤波模块并输出控制信号，信号驱动模块根据控制信号将直流电压转换为正弦交流电压，加热模块在正弦交流电压的作用...

本实用新型涉及一种连接结构及功率模块，所述连接结构包括：连接主体，第一连接座与第二连接座，第一连接座设有第一延长部，第二连接座设有第二延长部，第一连接座到连接主体的最短距离D1与第二连接座到连接主体的最短距离D2相等，连接主体通过第一连...

本发明涉及功率端子安装连接技术领域，提供一种功率端子连接结构、模块及连接方法，其中，功率端子连接结构包括端子以及陶瓷基板；陶瓷基板覆铜设置，陶瓷基板具有供端子连接的连接面；端子具有焊接面，连接面与焊接面贴合式设置，连接面与焊接面通过激光...