本发明公开一种UVLED的双层金属反射电极、UVLED及提高UVLED的光提取效率的方法，UVLED的双层金属反射电极包括第一金属反射层、介质层、接触层和第二金属反射层；其中，第二金属反射层、介质层和第一金属反射层沿外延方向排布，介质层...

本申请提供一种氧化物薄膜晶体管器件和其制备方法以及相关设备，涉及半导体技术领域。本申请在衬底上依次制备第一电极层、绝缘层和第二电极层，使第二电极层和/或第一电极层与绝缘层间隔设置有氧化物层，并保证第二电极层、绝缘层和氧化物层侧面对齐，而...

本发明的实施例提供了的一种视觉检测系统、方法以及设备，涉及图像采集技术领域。其中，视觉检测系统包括：图像采集模块、图像检测模块以及光学接杆组件。照明单元，用于为待测物提供至少一个预设照射方向的独立光源。采样单元，用于在预设采集位置处获取...

本发明公开一种应用了仿生复眼结构的深紫外LED芯片出光结构及制备方法，方法包括在深紫外LED芯片的出光面表面涂覆一层纳米压印胶，以在所述出光面表面形成涂胶面；将仿生复眼模板压印在所述涂胶面上，待固化后剥离所述仿生复眼模板，以在深紫外LE...

本申请公开了一种基于蛾眼复合微纳结构的深紫外LED及其制作方法，涉及半导体技术领域。本申请实施例提供的基于蛾眼复合微纳结构的深紫外LED，包括依次层叠设置的n型AlGaN层、多量子阱层、电子阻挡层、p型AlGaN层、p型GaN层，以及分...

本发明公开一种高效深紫外发光结构制备方法，其特征在于，包括以下步骤：在具有一定斜切角的衬底上制备AlN层，并控制AlN层的表面不形成宏台阶表面形貌，以得到第一晶片；将第一晶片进行高温热退火，得到退火晶片；对退火晶片上的AlN层进行图形化...

本发明公开一种储能陶瓷材料及其制备方法以及高储能密度陶瓷电容器电介质的制备方法，其中，储能陶瓷材料的通式为(1‑y)(Bi<subgt;0.5</subgt;Na<subgt;0.5</subgt;)<su...

本发明涉及电子技术领域，提供一种电平移位器、半桥转换电路和电子设备，电平移位器包括输入模块、共模电流抑制模块和输出模块；共模电流抑制模块的第一端和第二端与输入模块电连接，共模电流抑制模块的第三端和第四端与输出模块电连接；输入模块用于根据...

本发明公开一种铌酸钠基储能陶瓷材料及其制备方法与应用，其中，该铌酸钠基储能陶瓷材料的通式为(1‑x)(0.85NaNbO<subgt;3</subgt;‑0.15A<subgt;0.1</subgt;D<s...

本发明公开一种可剥离深紫外LED芯片结构及其制备方法和剥离方法及深紫外LED薄膜芯片，其中，可剥离深紫外LED芯片结构在衬底模板和有源区之间设置有牺牲层和AlN阻挡层，且牺牲层位于衬底模板与AlN阻挡层之间。由于Si掺杂AlN的激活能很...

本发明提供了一种组合导航的定位信息融合方法、装置、电子设备及存储介质，涉及组合导航领域。本发明在强跟踪无迹卡尔曼滤波算法的基础上，通过计算当前激变参数来确定自适应因子，从而在计算滤波增益时利用自适应因子来调节测量噪声的协方差矩阵，由于当...

本申请提供一种圆形肖特基势垒薄膜晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。本申请通过在基底上依次制备圆形化栅极层、栅介质层、圆形化半导体层、圆环化势垒调控层、边界轮廓圆形化的源极层、钝化层、漏极走线层和与源极层电性连接的源极走线层，其中，...

本申请提供一种肖特基势垒氧化物薄膜晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域。本申请在基底上依次制备图形化栅极层、栅介质层、图形化半导体层、图形化扩散阻挡层、图形化功函调控层和图形化源极层，其中扩散阻挡层在基底上的投影区域处于半导体层在基底...

本发明的实施例提供了一种偏振多路复用式双焦面光路系统及头盔显示器，涉及头盔显示器技术领域。该偏振多路复用式双焦面光路系统可以适用于头盔显示器，该偏振多路复用式双焦面光路系统包括偏振元器件、偏振敏感元件、反射光路元件以及自由曲面棱镜，偏振...

本发明公开一种背对背三维叠层扇出封装结构及其制备方法，并公开了应用该封装结构的封装模组及其制备方法，封装结构包括至少一组叠层芯片，每组叠层芯片均包括至少一个功能面朝向第一方向的芯片和至少一个功能面朝向第二方向的芯片；包封材料层，其包封住...

本申请提供了一种电平移位器与半桥转换电路，涉及集成电路技术领域。电平移位器包括输入级模块、共模电流阻断模块和输出级模块。当电平移位器处于正常工作状态时，输入级模块用于对输入信号的上升沿与下降沿进行检测。当检测到上升沿时产生流经第一端口的...

本申请实施例提供一种组合导航数据生成方法、组合导航神经网络的训练方法、存储介质和导航系统，涉及导航技术领域。组合导航数据生成方法包括：在可见卫星数小于4时，从组合导航神经网络接收预测数据；根据预测数据，解算得到卫星的预测位置信息；将预测...

本发明的实施例提供一种光器件性能提高方法、半导体光器件及电子设备，涉及半导体光电技术领域。本发明通过构建量子阱的外加电场强度与量子阱所在材料面的极化总强度的对应关系，依据量子阱的自身参数确定第一化合物的自发极化强度、第二化合物的弯曲参数...

本申请实施例提供一种光电器件结构及其制作方法，涉及半导体光电技术领域。光电器件结构包括逐层连接的衬底、缓冲层、n型半导体层、发光有源区、p型半导体层和接触层；发光有源区包括多个量子阱层和多个量子垒层，量子阱层与量子垒层交替设置，发光有源...

本申请实施例提供一种GaN基光电探测器和GaN基光电探测器制作方法，涉及半导体光电技术领域。本GaN基光电探测器制作方法包括：提供第一基体，第一基体包括逐层连接的第一衬底和绝缘层；提供氮化镓薄膜，采用键合工艺将氮化镓薄膜转移到绝缘层上，...