本申请公开了填埋式三维扇出封装结构及其制备方法。填埋式三维扇出封装结构的制备方法包括：提供多面管脚芯片，其中多面管脚芯片的管脚分布于多面管脚芯片的多个侧面的不同位置；基于多面管脚芯片制作芯片模块，芯片模块的管脚位于同一平面内；将芯片模块...

本发明的实施例提供了一种涉及半导体技术领域的肖特基势垒金属氧化物薄膜晶体管及制备方法，包括：基底、栅极层、栅介质层、金属氧化物半导体层、金属氧化物绝缘层和电极层，电极层包括源电极以及漏电极，采用非贵金属材料。绝缘层既作为半导体层的刻蚀阻...

本发明公开了一种实现衬底重复利用的器件的制备方法及其应用，涉及半导体器件技术领域。通过在蓝宝石衬底表面形成凹陷区和凸起区，且在凸起区上形成Si介质层和高Al含量的预缓冲层，由于凸起区之间相互独立，使得Al基材料在Si介质层上生长时能够释...

本发明公开一种用于柔性电磁屏蔽纸的电磁屏蔽模板及其制备方法、柔性电磁屏蔽纸及其制备方法，电磁屏蔽模板包括临时载板；设置在临时载板上的电磁屏蔽单元，电磁屏蔽单元包括至少两个导电纳米线模块，所有的导电纳米线模块均相对临时载板朝向一特定方向倾...

本发明公开一种深紫外发光器件中的量子点的制备方法及深紫外发光器件外延方法，其中，深紫外发光器件中的量子点的制备方法包括以下步骤：S20:制备上表面具有锯齿形宏台阶形貌的垒层；S30:在垒层上外延生长GaN层；S40:对GaN层进行脱附处...

本发明公开一种便于探测的紫外发光芯片、其制备方法及应用，其中，便于探测的紫外发光芯片包括依次设置的电子传输层、复合有源区和电子阻挡层；其中，复合有源区包括依次设置的可见光量子阱区和深紫外量子阱区，且可见光量子阱区设在深紫外量子阱区的背离...

本发明公开了一种基于LPC材料的封装载板的制备方法，包括以下步骤：S1.在临时载板上涂布临时键合层，再将第一LCP层涂布至所述临时键合层上；S2.在所述第一LCP层上制作精细金属线路；S3.在S2精细金属线路表面热压第二LCP层；S4....

本发明公开一种多电子束场曲校正模块及电子束光柱体，多电子束场曲校正模块包括：基座和设置在基座上的聚焦像面调节结构阵列，聚焦像面调节结构阵列包含有与通过多电子束场曲校正模块的电子束阵列中的电子束一一对应的聚焦像面调节结构，聚焦像面调节结构...

本发明涉及散射光学技术领域，公开了一种散射光学计算方法、装置、计算机设备及存储介质。方法包括：对样品膜的粒子平均直径、体积分数和样本厚度进行初始随机训练，得到样品膜的散射颗粒部分的厚度分布；对厚度分布进行傅里叶变换，得到相应的空间频谱，...

本发明提供一种存储器的测试方法，包括：按照第一地址顺序于测试区域内的所有存储单元中写入正棋盘格图形；按照第二地址顺序于测试区域内的所有存储单元中写入正棋盘格图形；按照第三地址顺序对测试区域内的所有存储单元进行读操作；按照第四地址顺序对测...

本发明公开一种电子束聚焦偏转系统及电子束光柱体，其电子束聚焦偏转系统包括：物镜，设置在电子束光柱体内的电子束射出路径上，用于形成精细电子束束斑，照射到样品上；磁偏转器，设置在电子束射出路径上，用于对电子束产生定位作用；静电偏转器，设置在...

本申请公开了一种垂直结构深紫外LED器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域，本申请的垂直结构深紫外LED器件的制备方法包括：提供复合衬底，并在复合衬底上形成发光外延片；刻蚀发光外延片形成纳米孔洞，形成光子晶体结构，在纳米孔洞内沉积第一...

本发明公开一种半导体单晶材料的制备方法，其包括以下步骤：采用异质衬底进行材料制备；在200℃

本发明公开一种高出光的深紫外LED薄膜芯片结构及其制备方法，结构包括合拢层和与合拢层邻接的深紫外LED发光本体，合拢层包括至少二个离散布置的凸台结构，且所有离散布置的凸台结构在其与深紫外LED发光本体邻接端相互连接形成连续的合拢表面，深...

一种智能物联网浊度仪，涉及智能检测领域，包括通水管道、光源系统、检测器和AIoT模块，光源系统设置在通水管道上，光源系统用于照射通水管道内的液体；检测器设置在通水管道上，检测器用于接收并处理光源系统发出的光信号，以将光信号转化为电信号；...

本发明公开一种单一N极性AlN薄膜制备方法，其包括以下步骤，S10：将第一模板覆盖在通过在耐高温的无硅衬底上沉积AlN薄膜得到的AlN模板中的AlN薄膜的上表面上，其中，第一模板含Al组分和N组分两者中的至少一者且耐高温；S20：将覆盖...

本申请提供了一种量子点光转换薄膜制作方法，涉及半导体技术领域。首先提供一凹模板，其中，凹模板上设置有多个图案化凹槽，再沿凹模板的表面旋涂量子点聚合物复合材料，并形成量子点聚合物薄膜层，接着提供一临时基底，并将量子点聚合物薄膜层转移至临时...

本申请实施例提供一种甲酸气氛下的键合方法和增强凸点互连结构键合方法，涉及芯片封装技术领域。在第一器件的第一管脚的生长位点内部填充铜柱，并在铜柱顶端制备低熔点焊料帽；在第二器件的第二管脚的生长位点内部填充低熔点焊料，形成低熔点焊料层，随后...

本发明公开一种成形光阑阵列板、成形光阑阵列组件和电子束分束模块，其中，成形光阑阵列板包括基底，基底上阵列排布有N

本发明提供了一种可剥离氮化物结构，其包括：氮化物生长模板以及在所述氮化物生长模板上依次形成的微纳米柱结构、腐蚀阻挡层和半导体器件层，其中，所述氮化物生长模板包括：导电支撑层及形成于所述导电支撑层上的氮化物生长层，所述氮化物生长层包括用于...