一种半导体器件，包括：衬底；晶体管，形成在衬底的表面上；第一绝缘膜，形成在晶体管上方；第二绝缘膜，形成在第一绝缘膜上；第三绝缘膜，形成在第二绝缘膜上；第四绝缘膜，形成在第三绝缘膜上；以及铁电电容器，形成在第四绝缘膜上，其中第三绝缘膜的氢...

本发明提供一种半导体集成电路器件及其制造方法。因此，本发明的目的是提供一种方法，其中，在半导体集成电路器件中，具有大幅度不同的Ioff水平的多个晶体管被一起嵌入在包括晶体管(每一个晶体管使用非掺杂沟道)的半导体器件中。通过控制有效沟道长...

一种制造半导体器件的方法，其包括：在半导体衬底之上形成绝缘膜；在绝缘膜上形成导电膜；在导电膜上形成介电膜；在介电膜上以一定间隔形成多个上电极；通过溅射法在上电极和介电膜上形成第一保护性绝缘膜；通过原子层沉积法在第一保护性绝缘膜上形成第二...

公开了一种半导体设备。在通过利用整流电路根据天线接收的RF载波信号产生电源电压的半导体设备中，每个都包括多个电容器和多个二极管的整流电路被多级连接。整流电路包括在比二极管导通电压大的电压处导通并且将二极管的阴极钳位在第一电压的限幅电路。...

公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：半导体衬底；基底，位于半导体衬底上方；第一导电插塞，位于基底中；存储单元区域，位于基底中；以及逻辑电路区域，连接至存储单元区域；逻辑电路包括第一电容器。第一电容器包括：第一底电极，第一...

提供了电力切换电路、半导体集成电路、无线电装置、无线电系统和电力切换方法。该电力切换电路包括：电流镜电路，其通过以不同的镜像比传输受监测电流来生成镜像电流，所述受监测电流通过监测电源电压来获得；选择器，其根据电源电压的切换状态、以组合的...

一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有芯片区、位于芯片区外缘的划片区、以及在平面图中位于划片区中并且位于半导体衬底的边缘附近的焊盘区；下布线层，形成在半导体衬底上方，包括第一导电图案和多个第二导电图案，每个第二导电图案布置在焊盘区内，其...

本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件的实施例包括板线，其连接到选自多个铁电电容器的铁电电容器，并且从顶电极上方覆盖所选择的铁电电容器和在所选择的铁电电容器之间的区域。该半导体器件甚至在当小型化铁电电容器时能够获得充足的极化...

化合物半导体器件实施例包括：第一下电极；第一绝缘膜，在所述第一下电极上方；第一上电极，在所述第一绝缘膜上方；第二下电极，与所述第一下电极分离；第二绝缘膜，在所述第二下电极上方；第三绝缘膜，在所述第二绝缘膜上方；以及第二上电极，在所述第三...

一种定时调整电路包括电压控制延迟线、相位检测器、控制电压生成电路以及启动电路。该电压控制延迟线接收输入时钟信号以及生成多相时钟，多相时钟中的每个时钟的延迟量根据控制电压而变化。该相位检测器对第一时钟与第二时钟之间的相位差进行检测，第一时...

本发明公开一种半导体器件制造方法和半导体器件，该半导体器件制造方法包括：在衬底中形成第一导电类型的第一阱；在衬底的第一区中形成第一导电类型的第二阱；在衬底的第一区中的第二阱的下面形成第二导电类型的第三阱，所述第三阱处于与位于衬底的第一区...

本发明提供一种直接存储器存取控制器、其控制方法以及信息处理系统。提供两个通道：主CPU通道和副CPU通道，该主CPU通道和副CPU通道各自均包括接收通道和发送通道并且各自均根据描述符、通过DMA来执行数据传送。通道切换部分根据模式设置寄...

一种铁电存储器设备，包括：存储器阵列，其包括多个铁电存储器单元；码生成电路，其被配置为将写入数据和奇偶校验生成器矩阵相乘以生成校验比特，由此产生汉明码，该汉明码中布置有信息比特和校验比特，该信息比特是写入数据；以及驱动电路，其被配置为将...

公开了一种混合信号电路，该电路包括：ADC单元的阵列，被配置为以时间交织方式进行操作，并且每个ADC单元可在一系列时间窗中的每个时间窗内进行操作以将模拟输入值转换成对应的数字输出值，每个转换包括子转换操作的序列，序列的每个相继的子转换操...

本公开涉及一种开关电路。根据本公开的开关电路包括：主开关，具有控制端子；以及时钟路径部分，连接到主开关的控制端子以向其施加驱动时钟信号以便驱动主开关，其中该电路被配置成向时钟路径部分可控地施加偏置电压以便对施加到主开关的控制端子的驱动时...

一种集成电路，包括电感器布置，该布置包括：四个电感器，相邻地位于一组中并且被布置成限定两行和两列，其中：集成电路被配置为使得这四个传感器中的在该布置中彼此斜对的两个电感器产生具有第一相位的电磁场，并且使得这四个电感器中的其他两个电感器产...

本公开涉及一种用在数模转换器中的开关电路。根据本公开的开关电路包括：公共节点；第一和第二输出节点；以及多个开关，连接在公共节点与第一和第二输出节点之间并且能够基于输入数据在一系列时钟周期中的每个时钟周期中操作，以沿多个路径中的一个给定路...

本发明涉及并行数据接收时钟的相位确定方法、接收电路和电子装置。对于其中的一个延迟相位与参考时钟的相位相同、而其中的其它延迟相位相对于参考时钟的相位被延迟的多个延迟相位中的每个延迟相位，与参考时钟同步地发送的测试并行数据分别与具有延迟相位...

本申请公开一种半导体器件及制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：晶体管，形成在半导体衬底上；第一绝缘薄膜，形成在该半导体衬底上方；以及第一和第二电容器，位于该第一绝缘薄膜上。该第一电容器包括下部电极、铁电体和上部电极。该下部电极和该上...

一种半导体器件，包括：衬底；在衬底内形成的第一有源区域，并且第一有源区域包括具有第一宽度的第一区域以及具有比第一宽度大的第二宽度的第二区域，并且第一有源区域沿第一方向延伸；在衬底内形成的第二有源区域，平行于第一有源区域的第二区域延伸；以...